Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Жилье | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DR2X4K7_INVAR_RGB_V5_NOVREFC FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-43140-FXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | Непригодный | /files/onsemiconductor-kai43140axajpb1-datasheets-3228.pdf | 72-БФКПГА | 9 недель | да | совместимый | 14,5 В~15,5 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 4 | 8040Г х 5360В | ||||||||||||||||||||||
| NE2D_B&W_2M FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9D015D00STCMC25BC1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9d015d00stcmc25bc1200-datasheets-1078.pdf | Править | Без свинца | да | 1,7 В~1,9 В 2,4 В~2,9 В | 1,75 мкмx1,75 мкм | 120 | 1608Г х 1208В | |||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV90_F2.7_0.17M FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9E013D00STCC4BAC1-200-R4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°С~70°С ТДж | Поставщик не определен | 1,7 В~1,95 В | 1,4 мкмx1,4 мкм | 15 | 3264Г х 2448В | |||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV90F4.0_NP_1.05MRCSRW FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV120_F2.8_6W FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02170-FBA-JD-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai02170fbajdae-datasheets-3163.pdf | Модуль 67-BFCPGA | да | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 | 1920 Г х 1080 В | ||||||||||||||||||||||
| КАИ-2093-АБА-CB-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-kai2093aaacpae-datasheets-3048.pdf | Модуль 32-CDIP | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 14 УФ/ЭЛЕКТРОН | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,42 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 30 | 1920 Г х 1080 В | |||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV90_F4.0_TUBE FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M413W00STMC44AC1-750 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -5°К~60°К | Поставщик не определен | Модуль 280-BCPGA | 3,3 В | 280-КПГА (48,26х48,26) | 12 мкмx12 мкм | 500 | 1280 х 1024 В | |||||||||||||||||||||||||
| DR24K3.5_INVAR_B&W_V3 FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V011D00STCC82SC1-305 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -20°К~60°К | Поставщик не определен | 28-ЛЦК | 111 недель | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | совместимый | 2,55~3,05 В | 0,20-2,60 В | 5,6 мкмx5,6 мкм | 60 дБ | 640 | 30 | 640Г х 480В | 1/4 дюйма | 27 МГц | ||||||||||||||||||
| KAI-08052-FBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08052qbajdba-datasheets-2821.pdf | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 2 месяца назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 16 | 3296Г х 2472В | |||||||||||||||||||||
| MT9M032D00STMC14CC1-200 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Поставщик не определен | 48-CLCC | 2,6 В~3,1 В | 48-CLCC (11,43х11,43) | 2,2 мкмx2,2 мкм | 60 | 1472Г х 1096В | |||||||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV90_F2.7_1.33M_S FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV120_F2.8_NB_2M FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV160_F2.4_3M FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-4011-ААА-CR-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-kai4011aaacrae-datasheets-3143.pdf | Модуль 34-CDIP | да | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 16 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV90_F6.0_HSW FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАФ-18500-NXA-JH-AE-08 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | 0°К~60°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf18500nxajhae08-datasheets-3146.pdf | 48-БПГА | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 24 Мбит/с | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 3,5 мм | 48,1 мм | 34,1 мм | 6,8 мкмx6,8 мкм | 68,1 дБ | 5270Г х 3516В | |||||||||||||||||
| КАФ-18500-AXA-JH-AE-08 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | 0°К~60°К | 1 (без блокировки) | 48-БПГА | 14,5 В~15,5 В | 48-ПГА (48,1х34,1) | 6,8 мкмx6,8 мкм | 5270Г х 3516В | ||||||||||||||||||||||||||
| MT9V117W00STCK22CC1-750 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не определен | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV90F4.0_NP _2M_50UM FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DR2X8K7_INVAR_RB_V4_NOVREFC FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE2D_RGB_FOV90F4.0_3M FT SE | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02050-ФБА-ФД-АЭ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai02050abafdae-datasheets-3084.pdf | Модуль 67-BFCPGA | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | ДА | 14,5 В~15,5 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,94 мм | 18,29 мм | 18,29 мм | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 68 | 1600 В х 1200 В | 2/3 дюйма | |||||||||||||
| КАИ-02150-QBA-FD-AE | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°К~70°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-kai02150qbafdae-datasheets-3175.pdf | Модуль 67-BFCPGA | да | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 | 1920 Г х 1080 В | |||||||||||||||||||||||
| AR0237CSSC00SUEA0-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~85°К | Поднос | 4 (72 часа) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0237cssc00suea0dr-datasheets-3155.pdf | 80-ЛБГА | Без свинца | 17 недель | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,8 В 2,8 В | 3 мкмx3 мкм | 60 | 1920 Г х 1080 В |
