Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Фотодиоды - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Опуликовано Техниль На PakeT / KORPUES Emcostath Делина Вес Шyrina Проспна СОУДНО ПРИОН Форма Верна МАССА DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец ЖILIGHNый МАТЕРИАЛ Rradiaцyonnoe wyproчneneenee ДДлина Свина DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Колист. Каналов R. Вернее Подкейгория МАКСИМАЛАНА ТЕМПЕРАТУРА Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй В конце концов Vpreged Верна МАКСИМАЛНГАН ВАМОЛЕЕ ПРОСМОТРА Стиль Обюктива Верна Я не могу Коунфигура Пело На то, что вы можете Ох Дип МАКСИМАЛНА Охрация. POLUPROVODNYKOWыйMATERIAL Делина Вонн Пейк Пиковаядлина ТЕМНЕС Raзmer ИНФРАКОНА ТЕМНЕСА На SpekTraLnыйdeApaзOn Актияя ТОК - ТЕМНЕ (ТИП) С. С. ТОК-НОМ Otзыwyvostth @ nm ЦВ, укун Опенн
QSB34CGR QSB34CGR На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -25 ° C ~ 85 ° C. Веса 3 (168 чASOW) Rohs3 2013 /files/onsemyonductor-qsb34cgr-datasheets-0470.pdf 2-SMD, крхло 4,5 мм 1,2 ММ 4 мм СОУДНО ПРИОН ПРЕВОЙДЕГО 4 neDe 46.015mg 2 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар Ear99 Nnewnoй violtr Не 1 E3 Олово (sn) 150 м 150 м Фотод 120 ° 50NS 50 млн Одинокий 32V Приколот 32V 32V Кремни 940 nm 30NA В дар 400 nmm ~ 1100 часов 6,5 мм2 0,037 Ма
BPW21R BPW21R PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Найдите, то есть Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Rohs3 1999 /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw21r-datasheets-0704.pdf Raodianan, lenshepayan momeTaLLISKAYABAYABAN 400pf 9,1 мм 3,3 мм 9,1 мм СОУДНО ПРИОН 14 НЕИ 2 Не 14,1 мм 300 м 300 м 3,1 мкс 125 ° С 125 ° С 50 май 1,3 В. 100 ° Плоски 3,5 мкс 3 мкс 10 В 10 В Приколот 10 В 10 В 565 nm 565 nm 2NA 10 В 420 nmm ~ 675 nmm 7,5 мм2 2NA
OP950 OP950 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-op950-datasheets-0598.pdf 60 Рриал 5,84 мм СОУДНО ПРИОН 10 nedely НЕИ 2 Пластик Не 12,7 ММ 1 100 м 5NS 60 18 Мка 1,2 В. 1MA Прохан 5NS 5 млн 60 Приколот 60 935 nm 935 nm 1NA 60 500 nmm ~ 1100 nmm 1NA
PD204-6B PD204-6B Everlight Electronics Co Ltd $ 0,43
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/everlight-pd2046b-datasheets-5621.pdf Radialnый, t-1 obъektiv Кругл 15 2 в дар Не 8541.40.60.50 1 150 м Фотод Прохан 6ns 6 м Одинокий 32V Приколот 170 Кремни 940 nm 10NA 3 ММ В дар 840 nm ~ 1100 nmm 9 мм2 0,003 Ма
BPW41N BPW41N PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Найдите, то есть Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw41n-datasheets-0605.pdf Radialnый vid nnabokowoй 70pf 5 ММ 6,4 мм 3 ММ СОУДНО ПРИОН ПРЕВОЙДЕГО 7 НЕИ 2 Не 8541.40.60.50 1 215 м 215 м 130 ° 100ns 100 млн Одинокий 60 60 Приколот 60 60 850 nm 2NA В дар 870 nm ~ 1050 nms 7,5 мм2
MTD3910N MTD3910N Marktech Optoelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -30 ° C ~ 100 ° C. 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/marktechoptoelectronics-mtd3910n-datasheets-0721.pdf 18-2 МЕТАЛЛИСКА 12 900 nm 30 400 nmm ~ 1060 nmm 10NAMAKS 0,58 a/w прри 900 nmm
TEFD4300 TEFD4300 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С Rohs3 2012 /files/vishaysemiconductoroptodivision-tefd4300-datasheets-0612.pdf Рриал СОУДНО ПРИОН 32 nede НЕИ 2 Не 215 м 215 м 100ns 50 май 1V 40 ° Прохан 100ns 100 млн 60 Приколот 10 В 60 950 nm 150pa 10 В 350 nmm ~ 1120 nmm 150pa
MTD5010W MTD5010W Marktech Optoelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -30 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2011 год /files/marktechoptoelectronics-mtd5010w-datasheets-0723.pdf 12 1 3,5NS 110 ° Одинокий 30 850 nm 5NA В дар 30 400 nmm ~ 1100 часов 0,03 Ма 0,2 A/W @ 450NM ИНФракрасн (нир)/красн
SFH 2430-Z SFH 2430-Z Оправый
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Веса 4 (72 чACA) Rohs3 /files/osramoptosemononductorsinc-sfh2430z-datasheets-0619.pdf 2-SMD, крхло 12 200 мкс 120 ° Приколот 570 nm 400 nmm ~ 900 часов 7,02 мм2 100pa
BPV10NF BPV10NF PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С Rohs3 2004 /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpv10nf-datasheets-0730.pdf Рриал 11pf 5,75 мм 8,6 ММ 5,75 мм 100 мг СОУДНО ПРИОН 29 nedely НЕИ 2 Оло Не 26,3 мм 215 м 215 м 50 май 1,3 В. 40 ° 2,5NS 2,5 млн 60 60 Приколот 60 60 940 nm 940 nm 1NA 60 790 nm ~ 1050 nmm 0,79 мм2 1NA
OP906 OP906 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-op906-datasheets-0639.pdf Рриал 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 10 nedely НЕТ SVHC 2 Пластик 12,7 ММ 100 м 5NS 35 Мка 1,2 В. 20 ° Прохан 5NS 5 млн 60 60 Приколот 60 935 nm 890 nm 1NA 60 500 nmm ~ 1100 nmm 1NA
VTB1113BH VTB1113BH Excelitas Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 110 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /Files/Excelitastechnologies VTB1113BH-Datasheets-0739.pdf Raodianain, lenshovyan meTALLIGHON Кругл 6 НЕТ SVHC 2 НЕИ 8541.40.60.50 1 Не Фотод 30 ° Одинокий Кремни 580 nm 20pa 1,6 ММ Не 40 330 nmm ~ 720 nmm 1,60 мм2 0,006 Ма
C30641GH C30641GH Excelitas Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2011 год /files/excelitastechnologies-c30641GH-datasheets-0646.pdf 206aa, 18-3 Металлана Банканка 14 Не Фотод Приколот Ина 1550 nm 5NA 80 800 nmm ~ 1700 nmm 1 мм2 5NA 0,95 А/В.При 1550 НМ Илтрафиолето (uoltravioleTovoE)
BP104 BP104 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Найдите, то есть Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С Rohs3 2016 /files/vishay-bp104-datasheets-5584.pdf 2-Dip (0,200, 5,10 мм) 70pf 4,65 мм 2 ММ 4,3 мм СОУДНО ПРИОН 20 НЕИ 2 Оло Не 215 м 215 м 130 ° 100ns 100 млн 60 60 Приколот 60 60 950 nm 950 nm 2NA 60 870 nm ~ 1050 nms 7,5 мм2 2NA
BPW34S BPW34S PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw34s-datasheets-0654.pdf 2-Dip СОУДНО ПРИОН Квадрат 20 НЕИ 2 Веса Оло Не 8541.40.60.50 1 E3 215 м 100 млн Фотод 130 ° 100ns 100 млн Одинокий 60 Приколот 60 Кремни 900 nm 2NA 3 ММ В дар 430 nmm ~ 1100 nmm 7,5 мм2 0,05 Ма
BPV10 BPV10 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С Rohs3 2016 /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpv10-datasheets-0659.pdf Рриал 11pf 8,6 ММ 12,1 мм 5 ММ 250 мг СОУДНО ПРИОН 19 nedely НЕИ 2 Не 215 м 215 м 2,5 млн 100 ° С 100 ° С 50 май 1,3 В. 40 ° Прохан 2,5NS 2,5 млн 60 60 Приколот 60 60 920 nm 920 nm 1NA 60 380 nmm ~ 1100 nmm 0,79 мм2 1NA
SFH 206K SFH 206K Оправый
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/osramoptosemononductorsinc-sfh206k-datasheets-0664.pdf Рриал 14 20ns 120 ° Приколот 850 nm 32V 400 nmm ~ 1100 часов 7,02 мм2 2NA 0,62 a/w прри 850 nmm
SFH 203 PFA SFH 203 PFA Оправый
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/osramoptosemononductorsinc-sfh203pfa-datasheets-0669.pdf Рриал 14 5NS 150 ° Приколот 850 nm 50 750 nmm ~ 1100 nmm 1 мм2 1NA 0,62 a/w прри 850 nmm
SFH 2400-Z SFH 2400-z Оправый
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 4 (72 чACA) Rohs3 /files/osramoptosemonductorsinc-sfh2400z-datasheets-0320.pdf 3-SMD, кргло 14 5NS 120 ° Приколот 900 nm 20 750 nmm ~ 1100 nmm 1 мм2 1NA
AXUV100G AXUV100G Опно -
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Акс Чereз dыru Чereз dыru -10 ° C ~ 40 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2015 /files/optodiodecorp-axuv100g-datasheets-0553.pdf 16 НЕИ 10 В 254 м 2NA 10 В 100 мм2
MICROFC-30035-SMT-TR1 MicroFC-30035-SMT-TR1 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА C-serkip sipm Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. 4 (72 чACA) Rohs3 /files/onsemoronductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf 4-SMD, neTLIDERSTVA 4 neDe в дар 600 л.с. Лавина 420 nm 24,7 В. 300 nmm ~ 950 nmm 9 мм2 154NA Сини
BPD-BQDA34-RR BPD-BQDA34-RR American Bright Optoelectronics Corporation $ 0,56
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/americanbrightoptoelectronicscorporation-bpdbqda34rr-datasheets-0558.pdf Рриал 10 nedely 50NS Приколот 60 100na max ИНФракрасн (нир)
VBPW34S VBPW34S PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Найдите, poverхnostnoe Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Digi-Reel® 3 (168 чASOW) Rohs3 2009 /files/vishaysemiconductoroptodivision vbpw34s-datasheets-0348.pdf 2-SMD, крхло 4,4 мм 1,2 ММ 3,9 мм СОУДНО ПРИОН ПРЕВОЙДЕГО 13 НЕИ 2 в дар Оло Не 8541.40.60.50 1 E3 215 м 215 м Фотод 50 май 1,3 В. 130 ° 100ns 100 млн Одинокий 60 60 Приколот 60 60 Кремни 940 nm 2NA В дар 430 nmm ~ 1100 nmm 7,5 мм2 2NA 0,055 Ма
TEFD4300F TEFD4300F PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductoroptodivision-tefd4300f-datasheets-0560.pdf Рриал СОУДНО ПРИОН 32 nede НЕИ 2 Не 215 м 215 м 100ns 50 май 1V 40 ° 100ns 100 млн 60 Приколот 10 В 60 950 nm 150pa 10 В 750 nmm ~ 1050 nmm 150pa
PD333-3C/H0/L2 PD333-3C/H0/L2 Everlight Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/everlight-pd3333ch0l2-datasheets-5542.pdf Рриал СОУДНО ПРИОН Кругл 15 2 в дар 8541.40.60.50 1 150 м 150 м Фотод 80 ° Прохан 45NS 45 м Одинокий 32V Приколот 170 32V Кремни 940 nm 5NA 5 ММ В дар 400 nmm ~ 1100 часов 19,6 мм2 0,04 мая
SFH 203 P SFH 203 с Оправый
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/osramoptosemononductorsinc-sfh203p-datasheets-0568.pdf Рриал 14 5NS 150 ° Приколот 850 nm 50 400 nmm ~ 1100 часов 1 мм2 1NA 0,62 a/w прри 850 nmm
SFH 2201 SFH 2201 Оправый
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Power Topled® Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) Rohs3 /files/osramoptosemonductorsinc-sfh2201-datasheets-0417.pdf 2-SMD, neTLIDERSTVA 10 nedely 40ns 120 ° Приколот 950 nm 16 300 nmm ~ 1100 часов 8,12 мм2 1NA
SLD-70BG2A SLD-70BG2A Advanced Photonix
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Polhe-swelesh -20 ° C ~ 85 ° C. 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2014 /files/advancedPhotonix-sld70bg2a-datasheets-0575.pdf Рриал 14 НЕИ 2 4 мкс, 6 мкс 120 ° 4 мкс 550 nm 100NA 50 400 nmm ~ 700 часов 9 мм2 Сини/зeLENый
PD204-6C PD204-6C Everlight Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/everlightelectronicscoltd-pd2046c-datasheets-0430.pdf Рриал Кругл 15 1 1 250 м Прохан 6ns 6 м Одинокий Приколот 170 32V 940 nm 10NA 3 ММ В дар 400 nmm ~ 1100 часов 9 мм2 0,0035 Ма
BPW 34 FS-Z BPW 34 FS-Z Оправый
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Веса 4 (72 чACA) Rohs3 /files/osramoptosemonductorsinc-bpw34fsz-datasheets-0364.pdf 2-SMD, крхло 14 20ns 120 ° Приколот 950 nm 16 780 nm ~ 1100 nmm 7 мм2 2NA

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.