Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Фотодиоды - Электронные компоненты Поиск - лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Опуликовано Техниль На Это Деликат PakeT / KORPUES Emcostath Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН Форма Верна - DOSTIчH SVHC Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец ЖILIGHNый МАТЕРИАЛ Rradiaцyonnoe wyproчneneenee ДДлина Свина DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Пико -Аймперратара Колист. Каналов Wremape@pikovoйtemperaturu (я) R. Вернее Подкейгория МАКСИМАЛАНА ТЕМПЕРАТУРА Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй Vpreged Верна МАКСИМАЛНГАН ВАМОЛЕЕ ПРОСМОТРА Стиль Обюктива Верна Я не могу Коунфигура Пело На то, что вы можете Ох Дип МАКСИМАЛНА Охрация. POLUPROVODNYKOWыйMATERIAL Делина Вонн Пейк Пиковаядлина ТЕМНЕС Raзmer ИНФРАКОНА ТЕМНЕСА На SpekTraLnыйdeApaзOn Актияя ТОК - ТЕМНЕ (ТИП) С. С. ТОК-НОМ Otзыwyvostth @ nm ЦВ, укун Опенн
197-23-21-041 197-23-21-041 Advanced Photonix
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/advancedPhotonix-1972321041-datasheets-0517.pdf 16 13ns 82 ° 660 nm 50 350 nmm ~ 1100 nmm 2435 мм2 (x4) 1,4NA 0,55 a/w ppri 900 nmm Красн
PD333-3B/H0/L2 PD333-3B/H0/L2 Everlight Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2013 Рриал Кругл 15 2 в дар 8541.40.60.50 1 150 м Фотод 80 ° 45NS 45 м Одинокий Приколот 170 32V Кремни 940 nm 5NA 5 ММ В дар 840 nm ~ 1100 nmm 19,6 мм2 0,035 Ма
VBP104S VBP104S PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Найдите, poverхnostnoe Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Digi-Reel® 3 (168 чASOW) Rohs3 2009 /files/vishaysemiconductoroptodivision vbp104s-datasheets-0326.pdf 2-SMD, крхло 4,4 мм 1,2 ММ 3,9 мм Квадрат 13 НЕИ 2 в дар Веса Не 8541.40.60.50 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 215 м 215 м Фотод 50 май 1,3 В. 130 ° 100ns 100 млн Одинокий 60 60 Приколот 60 60 Кремни 940 nm 2NA В дар 430 nmm ~ 1100 nmm 4,4 мм2 2NA 0,035 Ма
SFH 2400-Z SFH 2400-z Оправый
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 4 (72 чACA) Rohs3 /files/osramoptosemonductorsinc-sfh2400z-datasheets-0320.pdf 3-SMD, кргло 14 5NS 120 ° Приколот 900 nm 20 750 nmm ~ 1100 nmm 1 мм2 1NA
AXUV100G AXUV100G Опно -
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Акс Чereз dыru Чereз dыru -10 ° C ~ 40 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2015 /files/optodiodecorp-axuv100g-datasheets-0553.pdf 16 НЕИ 10 В 254 м 2NA 10 В 100 мм2
MICROFC-30035-SMT-TR1 MicroFC-30035-SMT-TR1 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА C-serkip sipm Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. 4 (72 чACA) Rohs3 /files/onsemoronductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf 4-SMD, neTLIDERSTVA 4 neDe в дар 600 л.с. Лавина 420 nm 24,7 В. 300 nmm ~ 950 nmm 9 мм2 154NA Сини
BPD-BQDA34-RR BPD-BQDA34-RR American Bright Optoelectronics Corporation $ 0,56
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/americanbrightoptoelectronicscorporation-bpdbqda34rr-datasheets-0558.pdf Рриал 10 nedely 50NS Приколот 60 100na max ИНФракрасн (нир)
VBPW34S VBPW34S PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Найдите, poverхnostnoe Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Digi-Reel® 3 (168 чASOW) Rohs3 2009 /files/vishaysemiconductoroptodivision vbpw34s-datasheets-0348.pdf 2-SMD, крхло 4,4 мм 1,2 ММ 3,9 мм СОУДНО ПРИОН ПРЕВОЙДЕГО 13 НЕИ 2 в дар Оло Не 8541.40.60.50 1 E3 215 м 215 м Фотод 50 май 1,3 В. 130 ° 100ns 100 млн Одинокий 60 60 Приколот 60 60 Кремни 940 nm 2NA В дар 430 nmm ~ 1100 nmm 7,5 мм2 2NA 0,055 Ма
TEFD4300F TEFD4300F PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductoroptodivision-tefd4300f-datasheets-0560.pdf Рриал СОУДНО ПРИОН 32 nede НЕИ 2 Не 215 м 215 м 100ns 50 май 1V 40 ° 100ns 100 млн 60 Приколот 10 В 60 950 nm 150pa 10 В 750 nmm ~ 1050 nmm 150pa
AXUVHS5 Axuvhs5 Опно -
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Акс Polhe-swelesh -10 ° C ~ 40 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 40 ° С -10 ° С ROHS COMPRINT 2015 /files/optodiodecorp-axuvhs5-datasheets-0150.pdf 16 700 л.с. 1NA 1 мм2 1NA
VEMD2000X01 VEMD2000x01 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Найдите, poverхnostnoe Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 2а (4 nedeli) Rohs3 2008 /files/vishaysemiconductoroptodivision vemd2020x01-datasheets-9839.pdf 2-SMD, Z-Bend 2,3 мм 1,75 мм 2,3 мм Кругл 17 НЕИ 2 в дар Nnewnoй stoTl --violtrtr Не 8541.40.60.50 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 215 м 215 м Фотод 100 ° С 100 ° С 50 май 1V 30 ° 100ns 100 млн Одинокий 32V 32V Приколот 60 60 Кремни 940 nm 1NA 1,8 ММ В дар 750 nmm ~ 1050 nmm 0,23 мм2 0,012 Ма
PDB-C139 PDB-C139 Advanced Photonix
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 80 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2005 /files/advancedphotonix-pdbc139-datasheets-5520.pdf 5,8 мм Рриалнь, 5 ммдиаг (т 1 3/4) 5,41 мм 14 Пластик 26,5 мм 59 ° 50NS 25 В Приколот 50 950 nm 5NA 50 700 nmm ~ 1100 nmm 4,12 мм2 Сини
PDB-C613-2 PDB-C613-2 Advanced Photonix
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА БЕСПЛАТНО БЕСПЛАТНО -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2005 /files/advancedphotonix-pdbc6132-datasheets-0178.pdf Чip s pwwхprovodom 30 kaliebroww 9,98 мм 410 мкм 9,98 мм 14 159 ММ 50NS 50 75 950 nm 90NA 75 350 nmm ~ 1100 nmm 86,4 мм2 Красн
PDB-V615-2 PDB-V615-2 Advanced Photonix
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА БЕСПЛАТНО БЕСПЛАТНО -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT /files/advancedPhotonix-pdbv6152-datasheets-0206.pdf Чip s pwwхprovodom 30 kaliebroww СОУДНО ПРИОН 14 7 мкс 7 мкс 25 В 940 nm 350NA 25 В 350 nmm ~ 1100 nmm 232,7 мм2 350NA Красн
HSDL-5420#011 HSDL-5420#011 Lite-on
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА HSDL-5400 Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 2а (4 nedeli) Rohs3 2001 /files/liteoninc-hsdl4400011-datasheets-4550.pdf 2-SMD, крхло Кругл 12 8541.40.60.50 1 7,5NS 56 ° Одинокий Приколот 875 nm 1,78 ММ В дар 5NA 40 770 nm ~ 1000 часов 0,15 мм2 1NA 0,0016 Ма 40
BP 104 FAS-Z BP 104 FAS-Z Оправый
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Веса 4 (72 чACA) Rohs3 2-SMD, крхло 14 20ns 120 ° Приколот 880 nm 20 730 nmm ~ 1100 nmm 4,84 мм2 2NA
VEMD2520X01 VEMD2520x01 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 2а (4 nedeli) Rohs3 2011 год /files/vishaysemiconductoroptodivision vemd2520x01-datasheets-0211.pdf 2-SMD, ИГЕБИ СОУДНО ПРИОН Кругл 17 НЕИ 2 Веса 8541.40.60.50 1 215 м 215 м Фотод 50 май 1V 70 ° Прохан 100ns 100 млн Одинокий 60 Приколот 60 60 Кремни 900 nm 1NA 1,8 ММ В дар 350 nmm ~ 1120 nmm 0,23 мм2 0,012 Ма
AXUV20HS1 AXUV20HS1 Опно -
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Акс Чereз dыru -10 ° C ~ 40 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) 40 ° С -10 ° С ROHS COMPRINT 2015 /files/optodiodecorp-axuv20hs1-datasheets-0238.pdf Глотокк 10 nedely 160В 100NA 160В 250 nmm ~ 1100 nmm 19,7 мм2 100NA
VEMD11940FX01 VEMD11940FX01 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Пефер Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Rohs3 2014 /files/vishaysemiconductoroptodivision vemd11940fx01-datasheets-0249.pdf SMD/SMT 12 НЕИ 2 Ear99 Nukahan Nukahan 1 мкс 150 ° Приколот 60 950 nm 1NA 60 780 nm ~ 1050 nmm 0,053 мм2
PD15-21B/TR8 PD15-21B/TR8 Everlight Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -25 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Rohs3 2012 2-SMD, neTLIDERSTVA СОУДНО ПРИОН ПРЕВОЙДЕГО 15 2 в дар Не 8541.40.60.50 1 150 м Фотод 6ns 6 м Одинокий Приколот 32V 32V Кремни 940 nm 10NA В дар 730 nmm ~ 1100 nmm 0 0008 май
VEMD2020X01 VEMD2020X01 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q101 Найдите, poverхnostnoe Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 2а (4 nedeli) Rohs3 2009 /files/vishaysemiconductoroptodivision vemd2020x01-datasheets-9839.pdf 2-SMD, крхло 2,3 мм 2,77 мм 2,3 мм СОУДНО ПРИОН Кругл 17 НЕИ 2 в дар Nnewnoй stoTl --violtrtr Оло Не 8541.40.60.50 1 E3 215 м 215 м Фотод 50 май 1V 30 ° 100ns 100 млн Одинокий 32V 60 Приколот 60 60 Кремни 940 nm 1NA 1,8 ММ В дар 750 nmm ~ 1050 nmm 0,23 мм2 0,012 Ма
BPW20RF BPW20RF PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Найдите, то есть Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpw20rf-datasheets-0101.pdf Raodianan, lenshepayan momeTaLLISKAYABAYABAN 1.2NF 9,1 мм 3,3 мм 9,1 мм СОУДНО ПРИОН Кругл 12 НЕИ 2 в дар Веса Не 8541.40.60.50 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 300 м 300 м 3,4 мкс Фотод 125 ° С 125 ° С 50 май 1,3 В. 100 ° Плоски 3,4 мкс 3,7 мкс Одинокий 10 В 10 В Приколот 10 В 10 В Кремни 920 nm 2NA 5,9 мм В дар 550 nmm ~ 1040 nmm 7,5 мм2 0,06 Ма
SFH 2200 FA SFH 2200 FA Оправый
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Power Topled® Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) Rohs3 /files/osramoptosemononductorsinc-sfh2200fa-datasheets-0298.pdf 2-SMD, neTLIDERSTVA 10 nedely 40ns 120 ° Приколот 940 nm 20 740 nm ~ 1100 nmm 7,02 мм2 1NA
TEMD1020 TEMD1020 PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/vishaysemiconductoroptodivision-temd1020-datasheets-0096.pdf SMD/SMT 2,5 мм 2,7 ММ 2 ММ СОУДНО ПРИОН Кругл 14 НЕИ 2 в дар Nnewnoй violtr Оло Не 8541.40.60.50 1 E3 75 м 75 м Фотод 50 май 1,3 В. 30 ° 4ns 4 млн Одинокий 60 Приколот 60 60 Кремни 940 nm 1NA 1,9 мм В дар 790 nm ~ 1050 nmm 0,23 мм2 0,55 A/W @ 950NM
OPF422 OPF422 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пансел, Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-opf422-datasheets-0303.pdf To-46-3 СОУДНО ПРИОН 12 НЕИ 3 200 м 20ns 6ns 6 м 100 100 Приколот 100 880 nm 100pa 100 500 nmm ~ 1100 nmm 100pa
BP 104 S-Z BP 104 SZ Оправый
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Веса 2 (1 годы) Rohs3 /files/osramoptosemononductorsinc-bp104sz-datasheets-0108.pdf 2-SMD, Z-Bend 20ns 120 ° Приколот 850 nm 20 400 nmm ~ 1100 часов 4,84 мм2 2NA
OP999 OP999 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/ttelectronicsoptektechnology-op999-datasheets-0125.pdf 60 6,22 мм 8,89 мм 6,22 мм СОУДНО ПРИОН 8 НЕТ SVHC 2 Пластик Не 19,1 мм 100 м 1 100 м 5NS 1,2 В. 1MA 40 ° 5NS 5 млн 60 Приколот 60 890 nm 890 nm 1NA 60 500 nmm ~ 1100 nmm 1NA
BPV22F BPV22F PoluprovoDnykowany -я
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Найдите, то есть Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2008 /files/vishaysemiconductoroptodivision-bpv22f-datasheets-0138.pdf Radialnый vid nnabokowoй 70pf 4,5 мм 6 мм 5 ММ СОУДНО ПРИОН 7 НЕИ 2 Не 8541.40.60.50 215 м 215 м 50 май 1,3 В. 120 ° 100ns 100 млн 60 60 Приколот 60 60 950 nm 2NA 870 nm ~ 1050 nms 7,5 мм2
ODA-6WB-500M ODA-6WB-500M Опно -
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Гибридн Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 100 ° C. Поднос 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2015 /files/optodiodecorp-oda6wb500m-datasheets-0024.pdf 16 НЕИ 940 nm 400 nmm ~ 1100 часов 6 мм2 Сини/зeLENый
VTB1113H VTB1113H Excelitas Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 110 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2000 /Files/Excelitastechnologies VTB1113H-Datasheets-0029.pdf 60A Raodianain, lenshovyan meTALLIGHON 6 НЕТ SVHC 2 НЕИ 8541.40.60.50 Не Фотод 30 ° Кремни 920 nm 20pa 40 320 nmm ~ 1100 nmm 1,60 мм2

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.