Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Выключить Тайм-Макс (toff) | Время включения-Макс (тонна) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2СК2145-БЛ(ТЭ85Л,Ф | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74А, СОТ-753 | 52 недели | да | 300мВт | Двойной | 14 мА | -1,5 В | 2 N-канала (двойной) | 13пФ при 10В | 200 мВ при 100 нА | 6 при мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF252TH-4-TL-H | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-tf252th4tlh-datasheets-0814.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 3-ВТФП | 100мВт | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | 1 мА | 140 мкА при 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК208-ГР(ТЭ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 52 недели | 3 | Нет | 100мВт | Одинокий | СК-59 | 8,2 пФ | 6,5 мА | 100мВт | N-канал | 8,2 пФ при 10 В | 400 мВ при 100 нА | 50В | 6,5 мА | 2,6 мА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК880ГРТЕ85ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshiba-2sk880grte85lf-datasheets-0930.pdf | СК-70, СОТ-323 | 52 недели | 3 | Нет | 100мВт | Одинокий | 6,5 мА | -1,5 В | N-канал | 13пФ при 10В | 1,5 В при 100 нА | 50В | 2,6 мА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NSVJ5908DSG5T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-nsvj5908dsg5t1g-datasheets-0738.pdf | 5-SMD, плоские выводы | 7 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 2 N-канала (двойной) | 10,5 пФ при 5 В, тип. | 300 мВ @ 100 мкА | 15 В | 50 мА | 10 при мА 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH6904-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cph6904tle-datasheets-0734.pdf | СК-74, СОТ-457 | 2,9 мм | 900 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 7 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 9 часов назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 700мВт | 6 | Двойной | 700мВт | 2 | Малые сигналы общего назначения на полевых транзисторах | 50 мА | 25В | 25В | СОЕДИНЕНИЕ | 2 N-канала (двойной) | 6пФ @ 5В | 600 мВ при 100 мкА | 20 при мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N4091 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 360мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 2Н4091 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 360мВт | 5 пФ | N-канал | 16пФ при 20В | 30 при мА 20 В | 30Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPFJ176 ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cmpfj175tr-datasheets-4360.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 18 недель | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА (315) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 350 мВт | 250Ом | P-канал | 1 В при 10 нА | 30В | 2 при мА 15 В | 250Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF410-TL-HX | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCH3914-7-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-mch39147tlh-datasheets-0763.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 5 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 300мВт | 3 | Одинокий | 300мВт | 50 мА | 15 В | 15 В | N-канал | 4,9 пФ при 5 В | 600 мВ при 10 мкА | 16 при мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF256TH-3-TL-H | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-tf256th3tlh-datasheets-0769.pdf | 3-СМД, плоский вывод | ВТФП | 100мВт | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | 1 мА | 100 мкА при 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК879-И(ТЭ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | СК-70, СОТ-323 | 52 недели | 6,208546 мг | да | неизвестный | 100мВт | Одинокий | 6,5 мА | -30В | 10 В | N-канал | 8,2 пФ при 10 В | 400 мВ при 100 нА | 1,2 мА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4391LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-smmbf4391lt1g-datasheets-3908.pdf | 30В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 30Ом | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБФ4391 | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | -30В | 30Ом | 30В | N-канал | 14пФ при 15В | 4 В при 10 нА | 50 при мА 15 В | 30Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBFJ309,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nxpusainc-pmbfj308215-datasheets-0309.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 8 недель | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MBFJ309 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,25 Вт | 25В | СОЕДИНЕНИЕ | 250 мВт | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | ТО-236АБ | 2,5 пФ | N-канал | 5пФ @ 10В | 1 В @ 1 мкА | 25В | 12 при мА 10 В | 50Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК932-23-ТБ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sk93223tbe-datasheets-0193.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Без свинца | 4 недели | 7,994566мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 200мВт | 3 | Одинокий | 50 мА | -10В | 15 В | 15 В | N-канал | 200 мВ при 100 мкА | 10 при мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5103 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-mmbf5103-datasheets-9889.pdf | 40В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,04 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 42 недели | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ5103 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 40 мА | -40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6 пФ | N-канал | 16пФ при 15В | 1,2 В при 1 нА | 10 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ111 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbfj112-datasheets-9740.pdf | 35В | 20 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,04 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MBFJ111 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 20 мА | -35В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | -35В | 30Ом | 5 пФ | N-канал | 3 В при 1 мкА | 20 при мА 15 В | 30Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J111-D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-j111d74z-datasheets-9859.pdf | 35В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) | Без свинца | 3 | 38 недель | 201мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | Медь, Серебро, Олово | Нет | 625 МВт | НИЖНИЙ | J111 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 7пФ | 20 мА | -35В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | 5 пФ | N-канал | 3 В при 1 мкА | 20 при мА 15 В | 30Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК208-И(ТЭ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2002 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 52 недели | 7,994566мг | 3 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | 100мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | 6,5 мА | -30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10 В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 8,2 пФ при 10 В | 400 мВ при 100 нА | 50В | 1,2 мА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПМБФ4391,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-pmbf4391215-datasheets-0513.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 8 недель | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБФ4391 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,25 Вт | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 250 мВт | 0,012А | 30Ом | 3,5 пФ | N-канал | 14пФ при 20В | 4 В при 1 нА | 40В | 50 при мА 20 В | 30Ом | 20нс | 80нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPF4393 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpf4391trtinlead-datasheets-4370.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ДА | Другие транзисторы | 0,35 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 350 мВт | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 40В | 5 при мА 20 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4393LT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-smmbf4391lt1g-datasheets-3908.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 8 недель | 200,998119мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБФ4393 | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 30В | 100Ом | N-канал | 14пФ при 15В | 500 мВ при 10 нА | 5 при мА 15 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК932-24-ТБ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sk93223tbe-datasheets-0193.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Без свинца | 10 недель | 7,994566мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 200мВт | 3 | Одинокий | 50 мА | -10В | 15 В | N-канал | 200 мВ при 100 мкА | 14,5 мА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ271 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbfj271-datasheets-0539.pdf | -30В | -50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,04 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MBFJ271 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | -50 мА | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | P-канал | 1,5 В при 1 нА | 6 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBFJ177LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbfj177lt1g-datasheets-9796.pdf | -25В | -20 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MBFJ177 | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | 20 мА | 25В | КРЕМНИЙ | ЧОППЕР | 25В | СОЕДИНЕНИЕ | 30В | 300Ом | 5,5 пФ | P-канал | 11пФ при 10 В ВГС | 800 мВ при 10 нА | 1,5 мА при 15 В | 300Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК2394-6-ТБ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sk23947tbe-datasheets-0136.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 6 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | 50 мА | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 15 В | СОЕДИНЕНИЕ | 0,05 А | N-канал | 10пФ при 5В | 300 мВ @ 100 мкА | 10 при мА 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК545-11Д-ТБ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sk54511dtbe-datasheets-0564.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 2 недели | 7,994566мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 125 МВт | 3 | Одинокий | 1 мА | -40В | 40В | N-канал | 1,7 пФ при 10 В | 1,5 В @ 1 мкА | 60 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ270 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbfj270-datasheets-0624.pdf | -30В | -50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,04 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 42 недели | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MBFJ270 | Одинокий | 225 МВт | 1 | -15 мА | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | P-канал | 500 мВ при 1 нА | 2 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФУ310ЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-mmbfu310lt1g-datasheets-0402.pdf | 25В | 10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,437803г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБФУ310 | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 60 мА | 25В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | -25В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 2,5 пФ | 25В | N-канал | 5 пФ при 10 В ВГС | 2,5 В при 1 нА | 24 при мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4117 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbf4117-datasheets-9897.pdf | 40В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ4117 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 90 мкА | -40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | -40В | 1,5 пФ | N-канал | 3пФ @ 10В | 600 мВ при 1 нА | 30 мкА при 10 В |
