Транзисторы JFET — Поиск электронных компонентов — Лучший агент по продаже электронных компонентов — ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Сопротивление Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Без галогенов Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Входная емкость Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Применение транзистора Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Напряжение проба Мощность - Макс. Самый высокий частотный диапазон Код JEDEC-95 Максимальный ток стока (Abs) (ID) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Обратная связь Cap-Max (Crss) Напряжение проба стока к источнику Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id Напряжение – проба (В(BR)GSS) Текущее потребление (Id) — Макс. Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) Сопротивление - RDS(Вкл.) Выключить Тайм-Макс (toff) Время включения-Макс (тонна)
2SK2145-BL(TE85L,F 2СК2145-БЛ(ТЭ85Л,Ф Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 125°С, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2014 год СК-74А, СОТ-753 52 недели да 300мВт Двойной 14 мА -1,5 В 2 N-канала (двойной) 13пФ при 10В 200 мВ при 100 нА 6 при мА 10 В
TF252TH-4-TL-H TF252TH-4-TL-H Рочестер Электроникс, ООО
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/rochesterelectronicsllc-tf252th4tlh-datasheets-0814.pdf 3-СМД, плоский вывод 3-ВТФП 100мВт N-канал 3,1 пФ при 2 В 100 мВ @ 1 мкА 1 мА 140 мкА при 2 В
2SK208-GR(TE85L,F) 2СК208-ГР(ТЭ85Л,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 125°С, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) 125°С -55°С Соответствует RoHS 2009 год ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 52 недели 3 Нет 100мВт Одинокий СК-59 8,2 пФ 6,5 мА 100мВт N-канал 8,2 пФ при 10 В 400 мВ при 100 нА 50В 6,5 мА 2,6 мА при 10 В
2SK880GRTE85LF 2СК880ГРТЕ85ЛФ Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 125°С, ТиДжей Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2009 год /files/toshiba-2sk880grte85lf-datasheets-0930.pdf СК-70, СОТ-323 52 недели 3 Нет 100мВт Одинокий 6,5 мА -1,5 В N-канал 13пФ при 10В 1,5 В при 100 нА 50В 2,6 мА при 10 В
NSVJ5908DSG5T1G NSVJ5908DSG5T1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2011 г. /files/onsemiconductor-nsvj5908dsg5t1g-datasheets-0738.pdf 5-SMD, плоские выводы 7 недель АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 300мВт 2 N-канала (двойной) 10,5 пФ при 5 В, тип. 300 мВ @ 100 мкА 15 В 50 мА 10 при мА 5 В
CPH6904-TL-E CPH6904-TL-E ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2011 г. /files/onsemiconductor-cph6904tle-datasheets-0734.pdf СК-74, СОТ-457 2,9 мм 900 мкм 1,6 мм Без свинца 7 недель 6 АКТИВНО (последнее обновление: 9 часов назад) да EAR99 е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) ДА 700мВт 6 Двойной 700мВт 2 Малые сигналы общего назначения на полевых транзисторах 50 мА 25В 25В СОЕДИНЕНИЕ 2 N-канала (двойной) 6пФ @ 5В 600 мВ при 100 мкА 20 при мА 5 В
JANTX2N4091 JANTX2N4091 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -65°С~175°С ТДж Масса 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Не соответствует требованиям RoHS ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка 3 3 В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) нет EAR99 не_совместимо 8541.21.00.95 е0 Олово/Свинец (Sn/Pb) 360мВт НИЖНИЙ ПРОВОЛОКА НЕ УКАЗАН 2Н4091 3 Одинокий НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован 40В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 360мВт 5 пФ N-канал 16пФ при 20В 30 при мА 20 В 30Ом
CMPFJ176 TR CMPFJ176 ТР Центральная полупроводниковая корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -65°С~150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Не соответствует требованиям RoHS 2016 год /files/centralsemiconductorcorp-cmpfj175tr-datasheets-4360.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 18 недель да е3 МАТОВАЯ ТУНКА (315) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 10 1 Не квалифицирован Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СОЕДИНЕНИЕ 350 мВт 250Ом P-канал 1 В при 10 нА 30В 2 при мА 15 В 250Ом
TF410-TL-HX TF410-TL-HX Рочестер Электроникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS
MCH3914-7-TL-H MCH3914-7-TL-H ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2011 г. /files/onsemiconductor-mch39147tlh-datasheets-0763.pdf 3-СМД, плоский вывод Без свинца 5 недель 3 АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да EAR99 е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) Без галогенов 300мВт 3 Одинокий 300мВт 50 мА 15 В 15 В N-канал 4,9 пФ при 5 В 600 мВ при 10 мкА 16 при мА 5 В
TF256TH-3-TL-H TF256TH-3-TL-H Рочестер Электроникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/rochesterelectronicsllc-tf256th3tlh-datasheets-0769.pdf 3-СМД, плоский вывод ВТФП 100мВт N-канал 3,1 пФ при 2 В 100 мВ @ 1 мкА 1 мА 100 мкА при 2 В
2SK879-Y(TE85L,F) 2СК879-И(ТЭ85Л,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 125°С, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2004 г. СК-70, СОТ-323 52 недели 6,208546 мг да неизвестный 100мВт Одинокий 6,5 мА -30В 10 В N-канал 8,2 пФ при 10 В 400 мВ при 100 нА 1,2 мА при 10 В
MMBF4391LT1G ММБФ4391LT1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) СМД/СМТ РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2000 г. /files/onsemiconductor-smmbf4391lt1g-datasheets-3908.pdf 30В 50 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,9 мм 940 мкм 1,3 мм Без свинца 3 8 недель 1,437803г Нет СВХК 30Ом 3 АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) да EAR99 Нет е3 Олово (Вс) Без галогенов ДА 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 МБФ4391 3 Одинокий 40 225 МВт 1 Другие транзисторы 30В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СОЕДИНЕНИЕ -30В 30Ом 30В N-канал 14пФ при 15В 4 В при 10 нА 50 при мА 15 В 30Ом
PMBFJ309,215 PMBFJ309,215 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2001 г. /files/nxpusainc-pmbfj308215-datasheets-0309.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 8 недель НИЗКИЙ ШУМ 8541.21.00.75 е3 Олово (Вс) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 MBFJ309 3 НЕ УКАЗАН 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПДСО-Г3 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ УСИЛИТЕЛЬ 0,25 Вт 25В СОЕДИНЕНИЕ 250 мВт ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б ТО-236АБ 2,5 пФ N-канал 5пФ @ 10В 1 В @ 1 мкА 25В 12 при мА 10 В 50Ом
2SK932-23-TB-E 2СК932-23-ТБ-Э ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2012 год /files/onsemiconductor-2sk93223tbe-datasheets-0193.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,9 мм 1,1 мм 1,5 мм Без свинца 4 недели 7,994566мг 3 АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) 200мВт 3 Одинокий 50 мА -10В 15 В 15 В N-канал 200 мВ при 100 мкА 10 при мА 5 В
MMBF5103 ММБФ5103 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2003 г. /files/onsemiconductor-mmbf5103-datasheets-9889.pdf 40В 50 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,9 мм 1,04 мм 1,3 мм Без свинца 3 42 недели 30мг Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 Нет 8541.21.00.95 е3 Олово (Вс) 350 мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ МБФ5103 Одинокий 350 мВт 1 Другие транзисторы 40 мА -40В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 6 пФ N-канал 16пФ при 15В 1,2 В при 1 нА 10 при мА 15 В
MMBFJ111 ММБФДЖ111 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2008 год /files/onsemiconductor-mmbfj112-datasheets-9740.pdf 35В 20 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,9 мм 1,04 мм 1,3 мм Без свинца 3 16 недель 30мг Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) да EAR99 Олово Нет 8541.21.00.95 е3 350 мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ MBFJ111 Одинокий 350 мВт 1 Другие транзисторы 20 мА -35В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 35В СОЕДИНЕНИЕ -35В 30Ом 5 пФ N-канал 3 В при 1 мкА 20 при мА 15 В 30Ом
J111-D26Z J111-D26Z ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2006 г. /files/onsemiconductor-j111d74z-datasheets-9859.pdf 35В 50 мА ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные выводы) Без свинца 3 38 недель 201мг Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) да Медь, Серебро, Олово Нет 625 МВт НИЖНИЙ J111 Одинокий 1 Другие транзисторы 7пФ 20 мА -35В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 35В СОЕДИНЕНИЕ 5 пФ N-канал 3 В при 1 мкА 20 при мА 15 В 30Ом
2SK208-Y(TE85L,F) 2СК208-И(ТЭ85Л,Ф) Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 125°С, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Соответствует RoHS 2002 г. ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 52 недели 7,994566мг 3 НИЗКИЙ ШУМ 8541.21.00.95 100мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ Одинокий 1 6,5 мА -30В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 10 В СОЕДИНЕНИЕ N-канал 8,2 пФ при 10 В 400 мВ при 100 нА 50В 1,2 мА при 10 В
PMBF4391,215 ПМБФ4391,215 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 1997 год /files/nxpusainc-pmbf4391215-datasheets-0513.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3 8 недель EAR99 8541.21.00.95 е3 Олово (Вс) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 МБФ4391 3 40 1 Другие транзисторы Не квалифицирован Р-ПДСО-Ф3 КРЕМНИЙ ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 0,25 Вт 40В СОЕДИНЕНИЕ 250 мВт 0,012А 30Ом 3,5 пФ N-канал 14пФ при 20В 4 В при 1 нА 40В 50 при мА 20 В 30Ом 20нс 80нс
CMPF4393 TR PBFREE CMPF4393 TR PBFREE Центральная полупроводниковая корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -65°С~150°С ТДж Разрезанная лента (CT) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/centralsemiconductorcorp-cmpf4391trtinlead-datasheets-4370.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 22 недели ДА Другие транзисторы 0,35 Вт СОЕДИНЕНИЕ 350 мВт N-канал 14пФ при 20В 500 мВ при 1 нА 40В 5 при мА 20 В 100Ом
MMBF4393LT3G ММБФ4393LT3G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2006 г. /files/onsemiconductor-smmbf4391lt1g-datasheets-3908.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 3 8 недель 200,998119мг Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 е3 Олово (Вс) Без галогенов 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 МБФ4393 3 Одинокий 40 225 МВт 1 Другие транзисторы Не квалифицирован 30В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СОЕДИНЕНИЕ 30В 100Ом N-канал 14пФ при 15В 500 мВ при 10 нА 5 при мА 15 В 100Ом
2SK932-24-TB-E 2СК932-24-ТБ-Э ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2012 год /files/onsemiconductor-2sk93223tbe-datasheets-0193.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,9 мм 1,1 мм 1,5 мм Без свинца 10 недель 7,994566мг 3 АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) 200мВт 3 Одинокий 50 мА -10В 15 В N-канал 200 мВ при 100 мкА 14,5 мА при 5 В
MMBFJ271 ММБФДЖ271 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2006 г. /files/onsemiconductor-mmbfj271-datasheets-0539.pdf -30В -50 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,9 мм 1,04 мм 1,3 мм Без свинца 3 6 недель 30мг 3 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 Нет 8541.21.00.95 е3 Олово (Вс) 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ MBFJ271 Одинокий 225 МВт 1 Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе -50 мА 30В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СОЕДИНЕНИЕ P-канал 1,5 В при 1 нА 6 при мА 15 В
MMBFJ177LT1G MMBFJ177LT1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2005 г. /files/onsemiconductor-mmbfj177lt1g-datasheets-9796.pdf -25В -20 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 3,04 мм 1,01 мм 1,4 мм Без свинца 3 8 недель 1,437803г Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 Олово Нет е3 Без галогенов ДА 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 MBFJ177 3 Одинокий 40 225 МВт 1 Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе 20 мА 25В КРЕМНИЙ ЧОППЕР 25В СОЕДИНЕНИЕ 30В 300Ом 5,5 пФ P-канал 11пФ при 10 В ВГС 800 мВ при 10 нА 1,5 мА при 15 В 300Ом
2SK2394-6-TB-E 2СК2394-6-ТБ-Э ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 150°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2012 год /files/onsemiconductor-2sk23947tbe-datasheets-0136.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 3 6 недель 3 АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 НИЗКИЙ ШУМ 8541.21.00.95 е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) ДА 200мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 3 Одинокий 1 50 мА КРЕМНИЙ УСИЛИТЕЛЬ 15 В СОЕДИНЕНИЕ 0,05 А N-канал 10пФ при 5В 300 мВ @ 100 мкА 10 при мА 5 В
2SK545-11D-TB-E 2СК545-11Д-ТБ-Э ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 125°С -55°С Соответствует ROHS3 2012 год /files/onsemiconductor-2sk54511dtbe-datasheets-0564.pdf ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 2 недели 7,994566мг 3 АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да EAR99 е6 Олово/Висмут (Sn/Bi) 125 МВт 3 Одинокий 1 мА -40В 40В N-канал 1,7 пФ при 10 В 1,5 В @ 1 мкА 60 мкА при 10 В
MMBFJ270 ММБФДЖ270 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. /files/onsemiconductor-mmbfj270-datasheets-0624.pdf -30В -50 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,9 мм 1,04 мм 1,3 мм Без свинца 3 42 недели 30мг Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 13 часов назад) да EAR99 Олово Нет 8541.21.00.95 е3 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ MBFJ270 Одинокий 225 МВт 1 -15 мА 30В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК P-канал 500 мВ при 1 нА 2 при мА 15 В
MMBFU310LT1G ММБФУ310ЛТ1Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2011 г. /files/onsemiconductor-mmbfu310lt1g-datasheets-0402.pdf 25В 10 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 3 2 недели 1,437803г Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) да EAR99 Олово Нет е3 Без галогенов ДА 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 МБФУ310 3 Одинокий 40 225 МВт 1 Другие транзисторы 60 мА 25В КРЕМНИЙ УСИЛИТЕЛЬ СОЕДИНЕНИЕ -25В СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б 2,5 пФ 25В N-канал 5 пФ при 10 В ВГС 2,5 В при 1 нА 24 при мА 10 В
MMBF4117 ММБФ4117 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2008 год /files/onsemiconductor-mmbf4117-datasheets-9897.pdf 40В 50 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 2,92 мм 930 мкм 1,3 мм Без свинца 3 16 недель 30мг Нет СВХК 3 АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 Олово Нет 8541.21.00.95 е3 225 МВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ МБФ4117 Одинокий 225 МВт 1 Другие транзисторы 90 мкА -40В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 40В СОЕДИНЕНИЕ -40В 1,5 пФ N-канал 3пФ @ 10В 600 мВ при 1 нА 30 мкА при 10 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.