Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Прирост мощности-мин (Гп) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ССТ201-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/vishaysiliconix-sst204e3-datasheets-4241.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,12 мм | 200,998119мг | Неизвестный | 3 | 350 мВт | 1 | Одинокий | 350 мВт | 150°С | СОТ-23 | 4,5 пФ | 1 мА | -40В | -40В | 350 мВт | -300мВ | N-канал | 4,5 пФ при 15 В | 300 мВ при 10 нА | 40В | 200 мкА при 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3738-ТЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sk3738tle-datasheets-4327.pdf | СК-75, СОТ-416 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Без свинца | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е6 | 100мВт | 8 | Одинокий | 100мВт | 1 мА | -20В | 200Ом | N-канал | 1,7 пФ при 10 В | 2,3 В @ 1 мкА | 40В | 50 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4391 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Масса | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n4391pbfree-datasheets-4417.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,8 Вт | N-канал | 14пФ при 20В | 10 В при 1 нА | 40В | 100пА | 150 мА при 20 В | 30Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК596С-С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-2sk596sb-datasheets-3845.pdf | СК-72 | Без свинца | 72 | да | Нет | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 100мВт | Одинокий | Другие транзисторы | 1 мА | -20В | 5В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 4,1 пФ при 5 В | 500 мВ @ 1 мкА | 210 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Дж203-18 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| У441-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-u440e3-datasheets-4263.pdf | 50 мА | ТО-71-6 | 9 недель | 6 | Нет | 500мВт | Двойной | 500мВт | 3пФ | 30 мА | 25В | -25В | 500мВт | 2 N-канала (двойной) | 3пФ @ 10В | 1 В при 1 нА | 25В | 6 при мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IJW120R100T1FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-ijw120r100t1fksa1-datasheets-4380.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 14 недель | Одинокий | ПГ-ТО247-3 | 26 мкА | 2В | 1,2 кВ | 1200В | 190 Вт | N-канал | 1550 пФ при 19,5 В ВГС | 26А | 1,5 мкА при 1200 В | 100мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N6660JAN02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ5462-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sst5462t1e3-datasheets-4384.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23 | 350 мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 1,8 В @ 1 мкА | 40В | 4 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST4416-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4416a2-datasheets-4117.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 200,998119мг | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 350 мВт | Одинокий | 350 мВт | Другие транзисторы | 5мА | -30В | СОЕДИНЕНИЕ | 150Ом | N-канал | 2,2 пФ при 15 В | 3 В при 1 нА | 30В | 5 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5116УБ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | 3-СМД, без свинца | 3 | 18 недель | 3 | нет | EAR99 | 8541.21.00.95 | е0 | Оловянный свинец | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицирован | 30В | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 500мВт | 175Ом | 7 пФ | P-канал | 27пФ при 15В | 4 В при 1 нА | 25 при мА 15 В | 175Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3820 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/centralsemiconductorcorp-2n3820-datasheets-4430.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицирован | O-PBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,36 Вт | 20 В | СОЕДИНЕНИЕ | 360мВт | 16 пФ | P-канал | 32пФ при 10В | 8 В при 10 мкА | 20 В | 300 мА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST5484-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sst5485t1e3-datasheets-4258.pdf | 10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 200,998119мг | Неизвестный | 3 | 350 мВт | Одинокий | 350 мВт | СОТ-23 | 5пФ | 1 мА | -25В | -25В | 350 мВт | 300Ом | N-канал | 5пФ при 15В | 300 мВ при 10 нА | 25В | 1 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J112 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-j112-datasheets-4438.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92 | 350 мВт | N-канал | 5 пФ при 10 В ВГС | 5 В @ 1 мкА | 35В | 5 при мА 15 В | 50 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5114УБ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | 3-СМД, без свинца | 3 | 18 недель | 3 | нет | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Оловянный свинец | ДВОЙНОЙ | 3 | Одинокий | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | 30В | КРЕМНИЙ | 0,5 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 500мВт | 75Ом | 7 пФ | P-канал | 25пФ при 15В | 10 В при 1 нА | 90 при мА 18 В | 75Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5116 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | 500мВт | Одинокий | ТО-18 | -500пА | 30В | 30В | 500мВт | 175Ом | P-канал | 27пФ при 15В | 4 В при 1 нА | 30В | 25 при мА 15 В | 175 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5115-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-2n5115e3-datasheets-7913.pdf | -50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Без свинца | 3 | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | -60 мА | 30В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5546JTX01 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | ТО-71-6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4393-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2062n4393ct20-datasheets-4329.pdf | Править | 8 недель | EAR99 | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 40В | 5 при мА 20 В | 100Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF202THC-4-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-tf202thc4tlh-datasheets-4345.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | да | 100мВт | Одинокий | 1 мА | -20В | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 200 мВ @ 1 мкА | 140 мкА при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U291 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-u290e3-datasheets-4280.pdf | ТО-206АС, ТО-52-3 Металлическая банка | 3 | 500мВт | Одинокий | ТО-206АС (ТО-52) | 160пФ | -30В | 500мВт | 7Ом | N-канал | 160пФ при 0 В | 1,5 В при 3 нА | 30В | 200 мА при 10 В | 7 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4416A | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n4416a-datasheets-4352.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 4 | 12 недель | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.75 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 300мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-MBCY-W4 | 15 мА | 35В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 0,015А | 1 пФ | 35В | N-канал | 4пФ @ 15В | 2,5 В при 1 нА | 5 при мА 15 В | 4 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н3822 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/375 | Сквозное отверстие | -55°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-2n3822-datasheets-4356.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 18 недель | ТО-72 | 50В | 300мВт | N-канал | 6пФ @ 15В | 6 В при 500 пА | 50В | 10 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4858JTXL02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ4119-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 8,193012мг | 3 | 350 мВт | Одинокий | 350 мВт | ТО-236 | 3пФ | 200 мкА | -40В | 350 мВт | N-канал | 3пФ @ 10В | 2 В при 1 нА | 40В | 200 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST5486-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sst5485t1e3-datasheets-4258.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 200,998119мг | Неизвестный | 3 | 350 мВт | Одинокий | 350 мВт | СОТ-23 | 5пФ | 8мА | -25В | 350 мВт | N-канал | 5пФ при 15В | 2 В при 10 нА | 25В | 8 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4093 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Военный, MIL-PRF-19500/431 | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2002 г. | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 18 недель | ТО-18 | 40В | 360мВт | N-канал | 16пФ при 20В | 40В | 8 при мА 20 В | 80 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF252TH-4A-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | 3-СМД, плоский вывод | 100мВт | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | 1 мА | 140 мкА при 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP210-2N4416-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp2102n4416ct20-datasheets-4364.pdf | Править | 8 недель | Править | 4пФ | 30В | N-канал | 4пФ @ 15В | 6 В при 1 нА | 30В | 5 при мА 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF262TH-5-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-tf262th4tlh-datasheets-4292.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 100мВт | Одинокий | 1 мА | -20В | -20В | N-канал | 3,5 пФ при 2 В | 200 мВ @ 1 мкА | 210 мкА при 2 В |
