Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Прирост мощности-мин (Гп) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N4859JTXL02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4416 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-2n4416a2-datasheets-4117.pdf | 10 мА | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | ТО-206АФ (ТО-72) | 15 мА | 300мВт | 150Ом | N-канал | 4пФ @ 15В | 3 В при 1 нА | 30 В | 5 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4118A-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 4 | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 8 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | О-MBCY-W4 | -40В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | -70В | 1,5 пФ | N-канал | 3пФ при 10 В | 1 В при 1 нА | 40В | 80 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4416A-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-2n4416a2-datasheets-4117.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | Без свинца | 4 | Неизвестный | 4 | да | Олово | Нет | е3 | 300мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 8 | Одинокий | 300мВт | 1 | Другие транзисторы | -35В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10 В | СОЕДИНЕНИЕ | -36В | 150Ом | N-канал | 4пФ @ 15В | 2,5 В при 1 нА | 35В | 5 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4392 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-2n4393-datasheets-4101.pdf | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Нет | 1,8 Вт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | 14пФ | 25 мА | -40В | -40В | 1,8 Вт | 60Ом | N-канал | 14пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 40В | 25 при мА 20 В | 60 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5114JTXL02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | ТО-206АА (ТО-18) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4856JTXL02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5114 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | -50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Без свинца | 3 | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | -90 мА | 30 В | 30 В | 75Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4858JAN02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Содержит свинец | 3 | Да | Одинокий | -40В | 500 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4857JTX02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -40В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4858JTXV02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -40В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4391-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4393-datasheets-4101.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Нет | 1,8 Вт | Одинокий | -40В | N-канал | 14пФ при 20В | 4 В при 1 нА | 40В | 50 при мА 20 В | 30Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4861JTXL02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | ТО-206АА (ТО-18) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4339-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4338-datasheets-3999.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 18 недель | 2 | 300мВт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | 7пФ | -50В | 300мВт | N-канал | 7пФ при 15В | 600 мВ при 100 нА | 50В | 500 мкА при 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИС75_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТИС75 | 350мВт | N-канал | 18пФ при 10В ВГС | 800 мВ при 4 нА | 30 В | 8 при мА 15 В | 60Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4859JTX02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4393-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-2n4393-datasheets-4101.pdf | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 5,84 мм | 5,33 мм | 5,84 мм | 3 | Неизвестный | 100Ом | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ВНЕСЯЩИЕ ПОТЕРИ | Олово | Нет | е3 | 1,8 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 1,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | 15 нс | 50 нс | 5мА | -40В | КРЕМНИЙ | ВОРОТА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | -55В | 100Ом | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 40В | 5 при мА 20 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||
| 2СК715У-АС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sk715vac-datasheets-3906.pdf | СК-72 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | 300мВт | НИЖНИЙ | 2СК715 | 3 | Одинокий | 1 | 50 мА | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 15 В | 15 В | СОЕДИНЕНИЕ | ТО-92 | 0,05А | N-канал | 10пФ при 5В | 600 мВ при 100 мкА | 7,3 мА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4857JTXV02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -40В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4338-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4338-datasheets-3999.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Неизвестный | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | Одинокий | Другие транзисторы | -50В | СОЕДИНЕНИЕ | -57В | N-канал | 7пФ при 15В | 300 мВ при 100 нА | 50В | 200 мкА при 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4856JAN02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -40В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4416-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-2n4416a2-datasheets-4117.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 4 | Неизвестный | 4 | да | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 8 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | -30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | -36В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 0,8 пФ | N-канал | 4пФ @ 15В | 3 В при 1 нА | 30 В | 5 при мА 15 В | 10 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4391-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-2n4393-datasheets-4101.pdf | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Без свинца | Неизвестный | 3 | Нет | 1,8 Вт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | 14пФ | 50 мА | -40В | -55В | 1,8 Вт | 30Ом | N-канал | 14пФ при 20В | 4 В при 1 нА | 40В | 50 при мА 20 В | 30 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4861JAN02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4118A | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | 50 мА | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 10 недель | 4 | Нет | 300мВт | Одинокий | 300мВт | ТО-206АФ (ТО-72) | 3пФ | -40В | -40В | 300мВт | 7кОм | N-канал | 3пФ при 10 В | 1 В при 1 нА | 40В | 80 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5461RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~135°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n5462g-datasheets-3502.pdf | -40В | -10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | НИЗКИЙ ШУМ | неизвестный | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 350мВт | НИЖНИЙ | 260 | 2N5461 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицированный | 40В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 2 пФ | P-канал | 7пФ при 15В | 1 В @ 1 мкА | 2 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК715В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/onsemiconductor-2sk715vac-datasheets-3906.pdf | СК-72 | 3 | 3 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 300мВт | 2СК715 | 3 | Одинокий | 1 | Не квалифицированный | 50 мА | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 15 В | 15 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,05А | N-канал | 10пФ при 5В | 600 мВ при 100 мкА | 10 при мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4338-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4338-datasheets-3999.pdf | -1В | 600 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 18 недель | 2 | 300мВт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | 7пФ | 600 мкА | -50В | 300мВт | N-канал | 7пФ при 15В | 300 мВ при 100 нА | 50В | 200 мкА при 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4119A | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | 50 мА | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 4 | Нет | 300мВт | Одинокий | 300мВт | ТО-206АФ (ТО-72) | 3пФ | -40В | 300мВт | N-канал | 3пФ при 10 В | 2 В при 1 нА | 40В | 200 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4117А-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 4 | Нет | 300мВт | Одинокий | ТО-206АФ (ТО-72) | 3пФ | 90 мкА | -40В | 300мВт | 11 кОм | N-канал | 3пФ при 10 В | 600 мВ при 1 нА | 40В | 30 мкА при 10 В |
