Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Технология полевых транзисторов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БСР58ЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bsr58lt1g-datasheets-3939.pdf | 40В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | Олово | 8541.21.00.95 | е3 | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БСР58 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | -35В | КРЕМНИЙ | ЧОППЕР | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 60Ом | 5 пФ | N-канал | 800 мВ @ 1 мкА | 8 при мА 15 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF208TH-4-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-tf208th4tlh-datasheets-3946.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 3 | 100мВт | 100мВт | ВТФП | 5пФ | 100мВт | N-канал | 5пФ @ 2В | 100 мВ @ 1 мкА | 1 мА | 140 мкА при 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ175-Т1-Е3 | Вишай Дейл | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishay-sst175t1e3-datasheets-7647.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 15 недель | 8,193012мг | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | Одинокий | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | 30 В | П-КАНАЛ | СОЕДИНЕНИЕ | 125 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5461 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mmbf5460-datasheets-3785.pdf | -40В | -10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ5461 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | -9мА | 40В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 2 пФ | P-канал | 7пФ при 15В | 1 В @ 1 мкА | 2 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| PN4117_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn4117d26z-datasheets-3976.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н4117 | ТО-92-3 | 350 мВт | N-канал | 3пФ @ 10В | 600 мВ при 1 нА | 40В | 30 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4393_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn4392d27z-datasheets-3577.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н4393 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 30 В | 5 при мА 20 В | 100 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK3666-4-ТБ-Е | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-2sk36664tbe-datasheets-3896.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 200мВт | 2SK3666 | Одинокий | 200мВт | 10 мА | -30В | 30 В | N-канал | 4пФ @ 10В | 180 мВ @ 1 мкА | 30 В | 2,5 мА при 10 В | 200Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J109_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j108d74z-datasheets-3481.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J109 | 625 МВт | N-канал | 2 В при 10 нА | 25 В | 40 при мА 15 В | 12Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF252TH-4-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-tf252th5tlh-datasheets-3657.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 1,4 мм | 340 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 100мВт | ДВОЙНОЙ | ТФ252 | 3 | Одинокий | 1 | 1 мА | -20В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 2В | СОЕДИНЕНИЕ | 0,001А | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | 140 мкА при 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF256TH-5-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-tf256th5tlh-datasheets-3808.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 100мВт | ТФ256 | 3 | Одинокий | 1 мА | -20В | 2В | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | 240 мкА при 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4391 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-pn4392d27z-datasheets-3577.pdf | 30 В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 30мг | Нет СВХК | 30Ом | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ4391 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 150 мА | -30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | -30В | 30Ом | N-канал | 14пФ при 20В | 4 В при 1 нА | 50 при мА 20 В | 30Ом | ||||||||||||||||||||||||
| TF202THC-3-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2016 год | 3-СМД, плоский вывод | 3 | 100мВт | Одинокий | 1 мА | -1В | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 200 мВ @ 1 мкА | 140 мкА при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF256TH-4-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-tf256th5tlh-datasheets-3808.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 100мВт | ТФ256 | 3 | Одинокий | 1 мА | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | 140 мкА при 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5638RLRA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n5639g-datasheets-3507.pdf | 30 В | 10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Содержит свинец | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 310мВт | НИЖНИЙ | 240 | 2N5638 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 4 пФ | 30 В | N-канал | 10 пФ при 12 В ВГС | 35В | 50 при мА 20 В | 30Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| J112RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-j112g-datasheets-3523.pdf | 35В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | Нет | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 100мВт | НИЖНИЙ | 260 | J112 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | 3,5 пФ | -35В | КРЕМНИЙ | ЧОППЕР | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | 35В | 350 мВт | 50Ом | N-канал | 1 В @ 1 мкА | 5 при мА 15 В | 50Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5462 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mmbf5460-datasheets-3785.pdf | -40В | -16 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 9 часов назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ5462 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | -16 мА | 40В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 40В | 2 пФ | P-канал | 7пФ при 15В | 1,8 В @ 1 мкА | 4 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 2СК596С-Б | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-2sk596sb-datasheets-3845.pdf | СК-72 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 100мВт | 3 | Одинокий | 1 мА | N-канал | 4,1 пФ при 5 В | 500 мВ @ 1 мкА | 150 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSK5J01Q0L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-dsk5j01q0l-datasheets-3826.pdf | СК-85 | 2 мм | 800 мкм | 1,25 мм | 3 | 10 недель | 85 | EAR99 | неизвестный | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 150 мВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | DSK5J01 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 150 мВт | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 30 мА | -55В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 55В | СОЕДИНЕНИЕ | 0,03 А | N-канал | 6пФ @ 10В | 5 В @ 10 мкА | 2 при мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5459 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-2n5457d26z-datasheets-3376.pdf | 25 В | 16 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ5459 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 16 мА | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | -25В | N-канал | 7пФ при 15В | 2 В при 10 нА | 4 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| PN4117A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-pn4117ad26z-datasheets-3553.pdf | 40В | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | совместимый | 2Н4117 | 350 мВт | 90 мкА | -40В | N-канал | 3пФ @ 10В | 600 мВ при 1 нА | 40В | 30 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF408-2-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-tf4082tlh-datasheets-3890.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 30мВт | 3 | Одинокий | 30мВт | 10 мА | 30 В | 30 В | N-канал | 4пФ @ 10В | 180 мВ @ 1 мкА | 600 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF256-4-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-tf2565tlh-datasheets-3754.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 30мВт | ТФ256 | 3 | Одинокий | 1 мА | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | 140 мкА при 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF408-3-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-tf4082tlh-datasheets-3890.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 30мВт | 3 | Одинокий | 30мВт | 10 мА | 30 В | 30 В | N-канал | 4пФ @ 10В | 180 мВ @ 1 мкА | 1,2 мА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5460 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mmbf5460-datasheets-3785.pdf | -40В | -10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ5460 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | -5мА | 40В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 2 пФ | P-канал | 7пФ при 15В | 750 мВ при 1 мкА | 1 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| TF410-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-tf410tlh-datasheets-3894.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 30мВт | 3 | Одинокий | 30мВт | 1 мА | 40В | 40В | N-канал | 0,7 пФ при 10 В | 50 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4092_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn4092-datasheets-3426.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 2Н4092 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 16пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 40В | 15 при мА 20 В | 50 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4392 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mmbf4392-datasheets-3659.pdf | 30 В | 75 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 32 недели | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ4392 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 75 мА | -30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | 60Ом | N-канал | 14пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 25 при мА 20 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||
| FJX597JHTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fjx597jctf-datasheets-3401.pdf | 20 В | 1 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 100мВт | Одинокий | СК-70 (СОТ323) | 3,5 пФ | 1 мА | -20В | 20 В | 100мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 150 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF252-4-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-tf2524tlh-datasheets-3725.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 600 мкм | 270 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 30мВт | ТФ252 | 3 | Одинокий | 1 мА | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | 140 мкА при 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EC3A04B-3-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ec3a04b3tlh-datasheets-3727.pdf | 3-XFDFN | 3 | 100мВт | Одинокий | 100мВт | 10 мА | -30В | 30 В | 200Ом | 30 В | N-канал | 4пФ @ 10В | 180 мВ @ 1 мкА | 1,2 мА при 10 В | 200Ом |
