Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Поставщик пакета оборудования | Выходная мощность | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Технология полевых транзисторов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| J109_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j108d74z-datasheets-3481.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J109 | 625 МВт | N-канал | 2 В при 10 нА | 25 В | 40 при мА 15 В | 12Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J105 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-j107d75z-datasheets-3473.pdf | 25 В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 201мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 500 мА | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | -25В | 3Ом | N-канал | 4,5 В @ 1 мкА | 500 мА при 15 В | 3Ом | |||||||||||||||||||
| J177_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | -30В | -50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет | 350 мВт | J177 | Одинокий | ТО-92-3 | 10,8 мА | 30 В | 30 В | 350 мВт | P-канал | 800 мВ при 10 нА | 30 В | 1,5 мА при 15 В | 300 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J108_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j108d74z-datasheets-3481.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J108 | 625 МВт | N-канал | 3 В при 10 нА | 25 В | 80 при мА 15 В | 8Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5457LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbf5457lt1g-datasheets-3489.pdf | 25 В | 5мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБФ5457 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 5мА | 25 В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | 25 В | N-канал | 7пФ при 15В | 500 мВ при 10 нА | 1 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5460LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbf5460lt1g-datasheets-3483.pdf | -40В | -10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБФ5460 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицированный | 40В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 2 пФ | P-канал | 7пФ при 15В | 750 мВ при 1 мкА | 1 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||
| J177_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J177 | ТО-92-3 | 350 мВт | P-канал | 800 мВ при 10 нА | 30 В | 1,5 мА при 15 В | 300 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J174_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J174 | ТО-92-3 | 350 мВт | P-канал | 5 В при 10 нА | 30 В | 20 при мА 15 В | 85 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J109_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j108d74z-datasheets-3481.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J109 | 625 МВт | N-канал | 2 В при 10 нА | 25 В | 40 при мА 15 В | 12Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J108 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-j108d74z-datasheets-3481.pdf | 25 В | 80 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | Нет СВХК | 3 | 625 МВт | J108 | Одинокий | 625 МВт | ТО-92-3 | 625 МВт | 80 мА | 25 В | 25 В | -25В | 625 МВт | 8Ом | N-канал | 3 В при 10 нА | 25 В | 80 при мА 15 В | 8 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN5434 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-pn5434-datasheets-3493.pdf | 25 В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | 3 | Нет | 350 мВт | 2N5434 | Одинокий | 350 мВт | 10 мА | 25 В | 25 В | 10Ом | N-канал | 30 пФ при 10 В ВГС | 1 В при 3 нА | 30 при мА 15 В | 10Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J176 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | -30В | 25 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 201мг | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | ИНН (СН) | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | J176 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | -25 мА | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | 30 В | 250Ом | P-канал | 1 В при 10 нА | 2 при мА 15 В | 250Ом | |||||||||||||||||||||||||
| J110_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j108d74z-datasheets-3481.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J110 | 625 МВт | N-канал | 500 мВ при 10 нА | 25 В | 10 при мА 15 В | 18Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN5432 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-pn5434-datasheets-3493.pdf | 25 В | 150 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | 3 | Нет | 350 мВт | 2Н5432 | Одинокий | 350 мВт | 10 мА | 25 В | 25 В | 5Ом | N-канал | 30 пФ при 10 В ВГС | 4 В при 3 нА | 150 мА при 15 В | 5Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J113_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J113 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 500 мВ @ 1 мкА | 35В | 2 при мА 15 В | 100 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J105_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j107d75z-datasheets-3473.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 625 МВт | N-канал | 4,5 В @ 1 мкА | 25 В | 500 мА при 15 В | 3Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J176_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | -30В | -50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет | 350 мВт | J176 | Одинокий | 13,5 мА | 30 В | 30 В | P-канал | 1 В при 10 нА | 2 при мА 15 В | 250Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J175_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J175 | ТО-92-3 | 350 мВт | P-канал | 3 В при 10 нА | 30 В | 7 при мА 15 В | 125 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J176_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J176 | ТО-92-3 | 350 мВт | P-канал | 1 В при 10 нА | 30 В | 2 при мА 15 В | 250 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ203 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4117 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/onsemiconductor-pn4119-datasheets-3448.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | совместимый | 2Н4117 | 350 мВт | N-канал | 3пФ @ 10В | 600 мВ при 1 нА | 40В | 30 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J108_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j108d74z-datasheets-3481.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J108 | 625 МВт | N-канал | 3 В при 10 нА | 25 В | 80 при мА 15 В | 8Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИС74 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-tis74-datasheets-3462.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 350 мВт | N-канал | 18пФ при 10В ВГС | 2 В при 4 нА | 30 В | 20 при мА 15 В | 40 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J106_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j107d75z-datasheets-3473.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 625 МВт | N-канал | 2 В @ 1 мкА | 25 В | 200 мА при 15 В | 6Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J201 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j202-datasheets-3431.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 300 мВ при 10 нА | 40В | 200 мкА при 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J177_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J177 | ТО-92-3 | 350 мВт | P-канал | 800 мВ при 10 нА | 30 В | 1,5 мА при 15 В | 300 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J174_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J174 | ТО-92-3 | 350 мВт | P-канал | 5 В при 10 нА | 30 В | 20 при мА 15 В | 85 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P1087 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-p1087-datasheets-3486.pdf | -30В | -5мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | 3 | 350 мВт | Одинокий | 350 мВт | 5мА | 30 В | 30 В | 150Ом | P-канал | 45пФ при 15В | 5 В @ 1 мкА | 5 при мА 20 В | 150Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4118 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-pn4119-datasheets-3448.pdf | 40В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | 3 | 350 мВт | 2Н4118 | Одинокий | 350 мВт | 50 мА | -40В | 40В | N-канал | 3пФ @ 10В | 1 В при 1 нА | 80 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN598JCBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjn598jbta-datasheets-3397.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | FJN598 | 150 мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 100 мкА при 5 В |
