Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Конфигурация элемента | Рассеяние активности | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Выходная мощность | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Снижение сопротивления до источника | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5459_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5457d26z-datasheets-3376.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5459 | 625 МВт | N-канал | 7пФ при 15В | 2 В при 10 нА | 25 В | 4 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5457_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5457d26z-datasheets-3376.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5457 | 625 МВт | N-канал | 7пФ при 15В | 500 мВ при 10 нА | 25 В | 1 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИС75 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-tis75-datasheets-3425.pdf | 30 В | 20 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | Нет СВХК | 3 | 350 мВт | ТИС75 | Одинокий | 350 мВт | 350 мВт | 80 мА | -30В | 30 В | -30В | 60Ом | N-канал | 18пФ при 10В ВГС | 800 мВ при 4 нА | 8 при мА 15 В | 60Ом | |||||||||||||||
| КСК596ББУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksk596pcwd-datasheets-3390.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | КСК596 | ТО-92С | 100мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 100 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| КСК596АБУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksk596pcwd-datasheets-3390.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | КСК596 | ТО-92С | 100мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 100 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| KSK596PAWD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksk596pcwd-datasheets-3390.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | КСК596 | ТО-92С | 100мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 100 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| FJX597JBTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fjx597jctf-datasheets-3401.pdf | СК-70, СОТ-323 | СК-70 (СОТ323) | 100мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 150 мкА при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| КСК595ХМТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksk595hmtf-datasheets-3409.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 | 100мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 1 мА | 150 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| U1898 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Радиальный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-u1898-datasheets-3411.pdf | 40В | 30 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 201мг | Нет СВХК | 3 | 625 МВт | Одинокий | 625 МВт | 50 мА | -40В | 40В | -40В | 50Ом | N-канал | 16пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 15 при мА 20 В | 50Ом | ||||||||||||
| FJZ594JCTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fjz594jctf-datasheets-3413.pdf | 20 В | 1 мА | СОТ-623Ф | Без свинца | 3 | 100мВт | Одинокий | 1 мА | -20В | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 150 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||
| 2N5457_L99Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 135°С, ТиДжей | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5457d26z-datasheets-3376.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 310мВт | N-канал | 7пФ при 15В | 500 мВ при 10 нА | 25 В | 5 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5460_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5462d27z-datasheets-3382.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н5460 | 350 мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 750 мВ при 1 мкА | 40В | 1 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КСК30YTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksk30rbu-datasheets-3393.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | КСК30 | ТО-92-3 | 100мВт | N-канал | 8,2 пФ при 0 В | 400 мВ при 100 нА | 50В | 1,2 мА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| КСК30РБУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksk30rbu-datasheets-3393.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | КСК30 | ТО-92-3 | 100мВт | N-канал | 8,2 пФ при 0 В | 400 мВ при 100 нА | 50В | 300 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| FJN598JCTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjn598jbta-datasheets-3397.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | FJN598 | ТО-92-3 | 150 мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 100 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5457_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/onsemiconductor-2n5457d26z-datasheets-3376.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5457 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 7пФ при 15В | 500 мВ при 10 нА | 25 В | 1 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| PN4302 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2004 г. | /files/onsemiconductor-pn4302-datasheets-3419.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 2Н4302 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 4 В при 1 нА | 30 В | 500 мкА при 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN598JBTA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjn598jbta-datasheets-3397.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | FJN598 | 150 мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 100 мкА при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5458_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5457d26z-datasheets-3376.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5458 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 7пФ при 15В | 1 В при 10 нА | 25 В | 2 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КСК30YBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksk30rbu-datasheets-3393.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | КСК30 | ТО-92-3 | 100мВт | N-канал | 8,2 пФ при 0 В | 400 мВ при 100 нА | 50В | 1,2 мА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| J111_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J111 | 625 МВт | N-канал | 3 В при 1 мкА | 35В | 20 при мА 15 В | 30Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJX597JCTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fjx597jctf-datasheets-3401.pdf | 20 В | 1 мА | СК-70, СОТ-323 | Без свинца | 3 | 100мВт | Одинокий | СК-70 (СОТ323) | 3,5 пФ | 1 мА | -20В | 20 В | 100мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 210 мкА при 5 В | |||||||||||||||
| КСК30ОБУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksk30rbu-datasheets-3393.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | КСК30 | ТО-92-3 | 100мВт | N-канал | 8,2 пФ при 0 В | 400 мВ при 100 нА | 50В | 600 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| FJN598JBBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjn598jbta-datasheets-3397.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | FJN598 | ТО-92-3 | 150 мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 100 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| PN4303 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-pn4303-datasheets-3423.pdf | 30 В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 625 МВт | 2Н4303 | Одинокий | 625 МВт | 10 мА | -30В | 30 В | N-канал | 6 В при 1 нА | 4 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||
| 2N5462_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5462d27z-datasheets-3382.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5462 | ТО-92-3 | 350 мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 1,8 В @ 1 мкА | 40В | 4 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5460_L99Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~135°С, ТДж | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5462d27z-datasheets-3382.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 350 мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 750 мВ при 1 мкА | 40В | 5 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5461_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5462d27z-datasheets-3382.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5461 | ТО-92-3 | 350 мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 1 В @ 1 мкА | 40В | 2 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5639_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2003 г. | /files/onsemiconductor-2n5639d26z-datasheets-3385.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5639 | 350 мВт | N-канал | 10 пФ при 12 В ВГС | 30 В | 25 при мА 20 В | 60Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ246А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bf246a-datasheets-3387.pdf | 30 В | 140 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | 3 | 350 мВт | БФ246 | Одинокий | 625 МВт | 30 В | 30 В | N-канал | 600 мВ при 100 нА | 30 при мА 15 В |
