Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Технология полевых транзисторов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5639_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2003 г. | /files/onsemiconductor-2n5639d26z-datasheets-3385.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5639 | 350 мВт | N-канал | 10 пФ при 12 В ВГС | 30 В | 25 при мА 20 В | 60Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J175_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J175 | ТО-92-3 | 350 мВт | P-канал | 3 В при 10 нА | 30 В | 7 при мА 15 В | 125 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J174 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | -30В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | Нет СВХК | 3 | 350 мВт | J174 | Одинокий | 350 мВт | ТО-92-3 | 60 мА | 30 В | 30 В | 30 В | 350 мВт | 85Ом | P-канал | 5 В при 10 нА | 30 В | 20 при мА 15 В | 85 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J177_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J177 | ТО-92-3 | 350 мВт | P-канал | 800 мВ при 10 нА | 30 В | 1,5 мА при 15 В | 300 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J107_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j107d75z-datasheets-3473.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 625 МВт | N-канал | 500 мВ @ 1 мкА | 25 В | 100 мА при 15 В | 8Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J105_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j107d75z-datasheets-3473.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 625 МВт | N-канал | 4,5 В @ 1 мкА | 25 В | 500 мА при 15 В | 3Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ247А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bf247a-datasheets-3456.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | совместимый | 350 мВт | N-канал | 600 мВ при 100 нА | 25 В | 30 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J270_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-j270d27z-datasheets-3475.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 48 недель | 3 | 350 мВт | Одинокий | 350 мВт | 30 В | P-канал | 500 мВ при 1 нА | 2 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PF53012 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | 30 В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 625 МВт | Одинокий | 625 МВт | 3пФ | 40В | N-канал | 1,7 В при 1 нА | 30 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J111_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J111 | 625 МВт | N-канал | 3 В при 1 мкА | 35В | 20 при мА 15 В | 30Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПФ5103 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2006 г. | /files/onsemiconductor-pf5103-datasheets-3442.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 16пФ при 15В | 1,2 В при 1 нА | 40В | 10 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5459_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/onsemiconductor-2n5457d26z-datasheets-3376.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5459 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 7пФ при 15В | 2 В при 10 нА | 25 В | 4 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4093 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-pn4092-datasheets-3426.pdf | 40В | 8мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | 3 | 625 МВт | 2Н4093 | Одинокий | 625 МВт | 50 мА | -40В | 40В | 80Ом | N-канал | 16пФ при 20В | 1 В при 1 нА | 8 при мА 20 В | 80Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J112_D11Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J112 | 625 МВт | N-канал | 1 В @ 1 мкА | 35В | 5 при мА 15 В | 50Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5459_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5457d26z-datasheets-3376.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5459 | 625 МВт | N-канал | 7пФ при 15В | 2 В при 10 нА | 25 В | 4 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4119 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-pn4119-datasheets-3448.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | совместимый | 8541.21.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 2Н4119 | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 350 мВт | 1,5 пФ | N-канал | 3пФ @ 10В | 2 В при 1 нА | 40В | 200 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4092 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-pn4092-datasheets-3426.pdf | 40В | 15 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | 3 | 625 МВт | 2Н4092 | Одинокий | 625 МВт | 50 мА | -40В | 40В | 50Ом | N-канал | 16пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 15 при мА 20 В | 50Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U1897 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-u1897-datasheets-3449.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 16пФ при 20В | 5 В при 1 нА | 40В | 30 при мА 20 В | 30 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J113_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J113 | 625 МВт | N-канал | 500 мВ @ 1 мкА | 35В | 2 при мА 15 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5638_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-2n5638-datasheets-3380.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5638 | ТО-92-3 | 350 мВт | N-канал | 10 пФ при 12 В ВГС | 30 В | 50 при мА 20 В | 30 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4861 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2005 г. | /files/onsemiconductor-pn4861-datasheets-3428.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 2N4861 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 18пФ @ 10В | 800 мВ при 0,5 нА | 30 В | 8 при мА 15 В | 60 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J113_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 35В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 200,998119мг | 3 | 625 МВт | J113 | Одинокий | 2мА | -35В | 35В | N-канал | 500 мВ @ 1 мкА | 2 при мА 15 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4091 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-pn4092-datasheets-3426.pdf | 40В | 30 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | 3 | 625 МВт | 2Н4091 | Одинокий | 625 МВт | 50 мА | -40В | 40В | 30Ом | N-канал | 16пФ при 20В | 5 В при 1 нА | 30 при мА 20 В | 30Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J202_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2008 год | /files/onsemiconductor-j202-datasheets-3431.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J202 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 800 мВ при 10 нА | 40В | 900 мкА при 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J202 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-j202-datasheets-3431.pdf | 40В | 4,5 А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 201мг | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | 625 МВт | НИЖНИЙ | J202 | 3 | Одинокий | 625 МВт | 1 | 5,4 мА | -40В | КРЕМНИЙ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 800 мВ при 10 нА | 900 мкА при 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJN598JABU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fjn598jbta-datasheets-3397.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | FJN598 | 150 мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 100 мкА при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J202_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2008 год | /files/onsemiconductor-j202-datasheets-3431.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J202 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 800 мВ при 10 нА | 40В | 900 мкА при 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJZ594JBTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-fjz594jctf-datasheets-3413.pdf | 20 В | 1 мА | СОТ-623Ф | Без свинца | 3 | 100мВт | Одинокий | 1 мА | -20В | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 150 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПФ5102 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-pf5102-datasheets-3433.pdf | 40В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 201мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 20 мА | -40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 6 пФ | N-канал | 16пФ при 15В | 700 мВ при 1 нА | 4 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||
| 2N5458_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5457d26z-datasheets-3376.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5458 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 7пФ при 15В | 1 В при 10 нА | 25 В | 2 при мА 15 В |
