Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Технология полевых транзисторов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BF246B_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bf246b-datasheets-3378.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | БФ246 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 600 мВ при 10 нА | 25В | 60 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПФ4393 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mpf4392-datasheets-3549.pdf | 30 В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Содержит свинец | 3 | Неизвестный | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 350мВт | НИЖНИЙ | 240 | МПФ4393 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 100Ом | 30 В | N-канал | 10 пФ при 15 В ВГС | 500 мВ при 10 нА | 5 при мА 15 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||
| PN5434_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2001 г. | /files/onsemiconductor-pn5434-datasheets-3493.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5434 | ТО-92-3 | 350мВт | N-канал | 30 пФ при 10 В ВГС | 1 В при 3 нА | 25В | 30 при мА 15 В | 10 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF247A_J35Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bf247a-datasheets-3456.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 350мВт | N-канал | 600 мВ при 100 нА | 25В | 30 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFR31LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-bfr31lt1-datasheets-3497.pdf | 25В | 1 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФР31 | 3 | Одинокий | 40 | 200мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 25В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | 1,5 пФ | 25В | N-канал | 5пФ @ 10В | 2,5 В при 0,5 нА | 1 при мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| БФР30ЛТ1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-bfr31lt1-datasheets-3497.pdf | 25В | 1 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Содержит свинец | 3 | 1,437803г | Нет СВВК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | БФР30 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 10 мА | 25В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | 1,5 пФ | 25В | N-канал | 5пФ @ 10В | 5 В @ 0,5 нА | 4 при мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||
| P1087_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-p1087-datasheets-3486.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 350мВт | P-канал | 45пФ при 15В | 5 В @ 1 мкА | 30 В | 5 при мА 20 В | 150Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J174_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J174 | ТО-92-3 | 350мВт | P-канал | 5 В при 10 нА | 30 В | 20 при мА 15 В | 85 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4303_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2004 г. | /files/onsemiconductor-pn4303-datasheets-3423.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н4303 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 6 В при 1 нА | 30 В | 4 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МПФ4392 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mpf4392-datasheets-3549.pdf | 30 В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Содержит свинец | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 350мВт | НИЖНИЙ | 240 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 60Ом | 30 В | N-канал | 10 пФ при 15 В ВГС | 2 В @ 10 нА | 25 при мА 15 В | 60Ом | ||||||||||||||||||||||||||||
| P1086_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-p1086d75z-datasheets-3551.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 350мВт | P-канал | 45пФ при 15В | 10 В @ 1 мкА | 30 В | 10 при мА 20 В | 75Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5639RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n5639g-datasheets-3507.pdf | 30 В | 10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 310мВт | НИЖНИЙ | 260 | 2N5639 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 35В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 310мВт | 60Ом | 4 пФ | 30 В | N-канал | 10 пФ при 12 В ВГС | 25 при мА 20 В | 60Ом | ||||||||||||||||||||||||||
| PN4117A_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-pn4117ad26z-datasheets-3553.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н4117 | ТО-92-3 | 350мВт | N-канал | 3пФ при 10 В | 600 мВ при 1 нА | 40В | 30 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J271 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-j271-datasheets-3522.pdf | -30В | -50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | 3 | 350мВт | Одинокий | 350мВт | 28мА | 30 В | 30 В | P-канал | 1,5 В при 1 нА | 6 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J106 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-j107d75z-datasheets-3473.pdf | 25В | 200 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 7 недель | 201мг | Нет СВВК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 625 МВт | НИЖНИЙ | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 200 мА | 25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | СОЕДИНЕНИЕ | 6Ом | N-канал | 2 В @ 1 мкА | 200 мА при 15 В | 6Ом | |||||||||||||||||||||||||||
| J112G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-j112g-datasheets-3523.pdf | 35В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 19,05 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 3 | 453,59237мг | Нет СВВК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | Нет | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 350мВт | НИЖНИЙ | 260 | J112 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | -35В | КРЕМНИЙ | ЧОППЕР | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | -35В | 50Ом | 5 пФ | N-канал | 1 В @ 1 мкА | 5 при мА 15 В | 50Ом | |||||||||||||||||||||||
| 2N5638RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n5639g-datasheets-3507.pdf | 30 В | 10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 310мВт | НИЖНИЙ | 260 | 2N5638 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 35В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 310мВт | 4 пФ | 30 В | N-канал | 10 пФ при 12 В ВГС | 50 при мА 20 В | 30Ом | |||||||||||||||||||||||||||
| 2N5462 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~135°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n5462-datasheets-3526.pdf | -40В | 10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | Нет СВВК | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | 350мВт | 2N5462 | Одинокий | 350мВт | ТО-92-3 | 7пФ | 10 мА | 40В | 40В | 40В | 350мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 1,8 В @ 1 мкА | 40В | 4 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J110RLRAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 135°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-j110rlrag-datasheets-3563.pdf | 25В | 10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 310мВт | НИЖНИЙ | 260 | J110 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 310мВт | 18Ом | 15 пФ | N-канал | 500 мВ @ 1 мкА | 10 при мА 15 В | 18Ом | |||||||||||||||||||||||||||||
| J111RLRPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-j112g-datasheets-3523.pdf | 35В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 350мВт | НИЖНИЙ | 260 | J111 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 35В | КРЕМНИЙ | ЧОППЕР | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | 5 пФ | N-канал | 3 В при 1 мкА | 20 при мА 15 В | 30Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| J107 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-j107d75z-datasheets-3473.pdf | 25В | 100 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 201мг | Нет СВВК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 100 мА | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | СОЕДИНЕНИЕ | -25В | 8Ом | N-канал | 500 мВ @ 1 мкА | 100 мА при 15 В | 8Ом | ||||||||||||||||||||||||
| 2N5461_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5462d27z-datasheets-3382.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5461 | ТО-92-3 | 350мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 1 В @ 1 мкА | 40В | 2 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5461RLRA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~135°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n5462g-datasheets-3502.pdf | -40В | -10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Содержит свинец | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 дня назад) | нет | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 350мВт | НИЖНИЙ | 240 | 2N5461 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицированный | 40В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 2 пФ | P-канал | 7пФ при 15В | 1 В @ 1 мкА | 2 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| J110_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j108d74z-datasheets-3481.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J110 | 625 МВт | N-канал | 500 мВ при 10 нА | 25В | 10 при мА 15 В | 18Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5459_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/onsemiconductor-2n5457d26z-datasheets-3376.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5459 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 7пФ при 15В | 2 В @ 10 нА | 25В | 4 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5639G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-2n5639g-datasheets-3507.pdf | 30 В | 10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 310мВт | НИЖНИЙ | 260 | 2N5639 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 35В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 310мВт | 60Ом | 4 пФ | 30 В | N-канал | 10 пФ при 12 В ВГС | 25 при мА 20 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||
| J109_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j108d74z-datasheets-3481.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J109 | 625 МВт | N-канал | 2 В @ 10 нА | 25В | 40 при мА 15 В | 12Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J105 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-j107d75z-datasheets-3473.pdf | 25В | 500 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 201мг | Нет СВВК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 500 мА | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | СОЕДИНЕНИЕ | -25В | 3Ом | N-канал | 4,5 В @ 1 мкА | 500 мА при 15 В | 3Ом | ||||||||||||||||||||||
| J177_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | -30В | -50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | Нет | 350мВт | J177 | Одинокий | ТО-92-3 | 10,8 мА | 30 В | 30 В | 350мВт | P-канал | 800 мВ при 10 нА | 30 В | 1,5 мА при 15 В | 300 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J108_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j108d74z-datasheets-3481.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J108 | 625 МВт | N-канал | 3 В при 10 нА | 25В | 80 при мА 15 В | 8Ом |
