Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Выходное напряжение 1 | Входное напряжение (мин.) | Входное напряжение (макс.) | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Падение напряжения1-ном. | Регулируемость | Падение напряжения1-Макс. | Допуск по напряжению-Макс. | Входное напряжение Абсолютное-Макс. | Выходной ток1-Макс. | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TF252-4-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-tf2524tlh-datasheets-3725.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 600 мкм | 270 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 30мВт | ТФ252 | 3 | Одинокий | 1 мА | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | 140 мкА при 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EC3A04B-3-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ec3a04b3tlh-datasheets-3727.pdf | 3-XFDFN | 3 | 100мВт | Одинокий | 100мВт | 10 мА | -30В | 30 В | 200Ом | 30 В | N-канал | 4пФ @ 10В | 180 мВ @ 1 мкА | 1,2 мА при 10 В | 200Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF252-5-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-tf2524tlh-datasheets-3725.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 600 мкм | 270 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 30мВт | ТФ252 | 3 | Одинокий | 1 мА | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | 210 мкА при 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3372ГУЛ | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°С~80°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-2sk3372gsl-datasheets-3617.pdf | СОТ-723 | 100мВт | 2СК3372 | СССМини3-F2 | 20 В | 100мВт | N-канал | 2мА | 107 мкА при 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК771-5-ТБ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-2sk7715tbe-datasheets-7532.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 200мВт | 2СК771 | 200мВт | 40В | N-канал | 9пФ @ 10В | 20 мА | 5 при мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EC3A03B-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-ec3a03btlh-datasheets-3732.pdf | 3-XFDFN | Без свинца | 3 | да | 100мВт | Одинокий | Другие транзисторы | 1 мА | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 1,7 пФ при 10 В | 1,5 В @ 1 мкА | 50 мкА при 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK0663ГРЛ | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-2sk0663grl-datasheets-3635.pdf | СК-85 | 85 | 150 мВт | 2СК0663 | SMini3-F2 | 6,5 пФ | 55В | 150 мВт | N-канал | 6,5 пФ при 10 В | 5 В @ 10 мкА | 30 мА | 1 при мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JANTX2N4857 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 3 | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 360мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ВОРОТА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 40Ом | 8 пФ | N-канал | 18пФ при 10В ВГС | 6 В при 500 пА | 40В | 100 мА при 15 В | 40Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U1898_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2004 г. | /files/onsemiconductor-u1898-datasheets-3411.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 16пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 40В | 15 при мА 20 В | 50 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBFJ175 215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-pmbfj175215-datasheets-3700.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MBFJ175 | 3 | 40 | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,3 Вт | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | 300мВт | 125 Ом | P-канал | 8пФ при 10В ВГС | 3 В при 10 нА | 30 В | 7 при мА 15 В | 125 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4391_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn4392d27z-datasheets-3577.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н4391 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 14пФ при 20В | 4 В при 1 нА | 30 В | 50 при мА 20 В | 30 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBFJ113,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-pmbfj113215-datasheets-3741.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MBFJ113 | 3 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,3 Вт | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 300мВт | ТО-236АБ | 100Ом | N-канал | 6пФ при 10В ВГС | 3 В при 1 мкА | 40В | 2 при мА 15 В | 100Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF252TH-5-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-tf252th5tlh-datasheets-3657.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 1,4 мм | 340 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 100мВт | ДВОЙНОЙ | ТФ252 | 3 | Одинокий | 100мВт | 1 | 1 мА | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 2В | СОЕДИНЕНИЕ | 20 В | 0,001А | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 1 В @ 1 мкА | 210 мкА при 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF202THC-5-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | да | Олово | Нет | 100мВт | Одинокий | 1 мА | -20В | 5В | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 200 мВ @ 1 мкА | 210 мкА при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J112RL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-j112g-datasheets-3523.pdf | 35В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ЧАСТИ | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 350мВт | НИЖНИЙ | 260 | J112 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 35В | КРЕМНИЙ | ЧОППЕР | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | 50Ом | 5 пФ | N-канал | 1 В @ 1 мкА | 5 при мА 15 В | 50Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF256-5-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-tf2565tlh-datasheets-3754.pdf | СОТ-1123 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 30мВт | ТФ256 | 3 | Одинокий | 1 мА | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | 240 мкА при 2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4391_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn4392d27z-datasheets-3577.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н4391 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 14пФ при 20В | 4 В при 1 нА | 30 В | 50 при мА 20 В | 30 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J111RL1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-j112g-datasheets-3523.pdf | 35В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ЧАСТИ | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 350мВт | НИЖНИЙ | 260 | J111 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 35В | КРЕМНИЙ | ЧОППЕР | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | 5 пФ | N-канал | 3 В при 1 мкА | 20 при мА 15 В | 30Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P1086 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | 4,82 мм | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-p1086d75z-datasheets-3551.pdf | -30В | -10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 10,16 мм | 8,89 мм | Без свинца | 3 | 201мг | 3 | EAR99 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 2,54 мм | 3 | Одинокий | 40 | 350мВт | Другие регуляторы | Не квалифицирован | 10 мА | 30 В | -30В | 1 | 3,3 В | 4,7 В | 7В | 75Ом | 1,05 В | ЗАФИКСИРОВАННЫЙ | 1,4 В | 1,5% | 7В | 1,5 А | P-канал | 45пФ при 15В | 10 В @ 1 мкА | 10 при мА 20 В | 75Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4092_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn4092-datasheets-3426.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 2Н4092 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 16пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 40В | 15 при мА 20 В | 50 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J175_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j176d26z-datasheets-3458.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J175 | 350мВт | P-канал | 3 В при 10 нА | 30 В | 7 при мА 15 В | 125 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J270 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-j270d27z-datasheets-3475.pdf | 30 В | -15А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | Нет СВВК | 3 | Нет | 350мВт | Одинокий | 350мВт | 8,5 мА | 30 В | 30 В | -30В | P-канал | 500 мВ при 1 нА | 2 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J110 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 135°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-j108d74z-datasheets-3481.pdf | -25В | 10А | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | Нет СВВК | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 дня назад) | 310мВт | J110 | Одинокий | 625 МВт | ТО-92-3 | 10 мА | -25В | 25 В | -25В | 310мВт | 18Ом | N-канал | 500 мВ @ 1 мкА | 25 В | 10 при мА 15 В | 18 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J112RL1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-j112g-datasheets-3523.pdf | 35В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Содержит свинец | 3 | 3 | ЕВРОПЕЙСКИЙ НОМЕР ЧАСТИ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 350мВт | НИЖНИЙ | 240 | J112 | 3 | Одинокий | 30 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 35В | КРЕМНИЙ | ЧОППЕР | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | 50Ом | 5 пФ | N-канал | 1 В @ 1 мкА | 5 при мА 15 В | 50Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J201_D27Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2008 год | /files/onsemiconductor-j202-datasheets-3431.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 300 мВ при 10 нА | 40В | 200 мкА при 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИС75_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТИС75 | 350мВт | N-канал | 18пФ при 10В ВГС | 800 мВ при 4 нА | 30 В | 8 при мА 15 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK2593GQL | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-2sk2593gql-datasheets-3627.pdf | СК-89, СОТ-490 | 125 МВт | 2СК2593 | ССМини3-F3 | 6,5 пФ | 55В | 125 МВт | N-канал | 6,5 пФ при 10 В | 5 В @ 10 мкА | 30 мА | 1 при мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5639 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-2n5639d26z-datasheets-3385.pdf | 30 В | 10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | 201мг | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 дня назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 310мВт | НИЖНИЙ | 240 | 2N5639 | 3 | Одинокий | 30 | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 25 мА | -30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | -30В | 60Ом | 4 пФ | 30 В | N-канал | 10 пФ при 12 В ВГС | 35В | 25 при мА 20 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСК596CBU | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksk596pcwd-datasheets-3390.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | КСК596 | ТО-92С | 100мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 100 мкА при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J108_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-j108d74z-datasheets-3481.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J108 | ТО-92-3 | 625 МВт | N-канал | 3 В при 10 нА | 25 В | 80 при мА 15 В | 8 Ом |
