Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2СК715В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/onsemiconductor-2sk715vac-datasheets-3906.pdf | СК-72 | 3 | 3 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | 300мВт | 2СК715 | 3 | Одинокий | 1 | Не квалифицированный | 50 мА | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 15 В | 15 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,05А | N-канал | 10пФ при 5В | 600 мВ при 100 мкА | 10 при мА 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4338-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4338-datasheets-3999.pdf | -1В | 600 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 18 недель | 2 | 300мВт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | 7пФ | 600 мкА | -50В | 300мВт | N-канал | 7пФ при 15В | 300 мВ при 100 нА | 50В | 200 мкА при 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4119A | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | 50 мА | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 4 | Нет | 300мВт | Одинокий | 300мВт | ТО-206АФ (ТО-72) | 3пФ | -40В | 300мВт | N-канал | 3пФ при 10 В | 2 В при 1 нА | 40В | 200 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4117А-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 4 | Нет | 300мВт | Одинокий | ТО-206АФ (ТО-72) | 3пФ | 90 мкА | -40В | 300мВт | 11 кОм | N-канал | 3пФ при 10 В | 600 мВ при 1 нА | 40В | 30 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4393 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 200°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-2n4393-datasheets-4101.pdf | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Без свинца | 3 | Нет | 1,8 Вт | Одинокий | 1,8 Вт | ТО-206АА (ТО-18) | 14пФ | 100пА | -40В | 40В | -40В | 1,8 Вт | 100Ом | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 40В | 5 при мА 20 В | 100 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5458 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-2n5457d26z-datasheets-3376.pdf | 25В | 10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,04 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ5458 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 200 мкА | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 7пФ при 15В | 1 В при 10 нА | 2 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J110G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 135°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-j110rlrag-datasheets-3563.pdf | 25В | 10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 3 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 4 дня назад) | 310мВт | J110 | Одинокий | ТО-92-3 | 25В | 310мВт | N-канал | 500 мВ @ 1 мкА | 25В | 10 при мА 15 В | 18 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4339-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4338-datasheets-3999.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Неизвестный | 3 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | Одинокий | Другие транзисторы | -50В | СОЕДИНЕНИЕ | -57В | N-канал | 7пФ при 15В | 600 мВ при 100 нА | 50В | 500 мкА при 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСР56 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-bsr56-datasheets-3925.pdf | 40В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 7 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 250мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСР56 | Одинокий | 250мВт | 1 | Другие транзисторы | 50 мА | -40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 750 мВ | СОЕДИНЕНИЕ | 25Ом | 5 пФ | N-канал | 4 В @ 0,5 нА | 50 при мА 15 В | 25Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4416А-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4416a2-datasheets-4117.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 4 | нет | неизвестный | 8541.21.00.95 | е0 | Оловянный свинец | 300мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | О-MBCY-W4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | 0,8 пФ | N-канал | 4пФ @ 15В | 2,5 В при 1 нА | 35В | 5 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5434 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-mmbf5434-datasheets-4006.pdf | 25В | 30 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,51 мм | 1,12 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 29 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ5434 | 1 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 30 мА | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | СОЕДИНЕНИЕ | 10Ом | N-канал | 30 пФ при 10 В ВГС | 1 В при 3 нА | 30 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4859JTXV02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4339 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4338-datasheets-3999.pdf | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 2 | Нет | 300мВт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | 7пФ | 1,5 мА | -50В | 300мВт | 1,7 кОм | N-канал | 7пФ при 15В | 600 мВ при 100 нА | 50В | 500 мкА при 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4118А-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 4 | 4 | да | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 300мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | Одинокий | 1 | -40В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | 1,5 пФ | N-канал | 3пФ при 10 В | 1 В при 1 нА | 40В | 80 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF256-3-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-tf2565tlh-datasheets-3754.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 30мВт | ТФ256 | 3 | Одинокий | 30мВт | 1 мА | N-канал | 3,1 пФ при 2 В | 100 мВ @ 1 мкА | 100 мкА при 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСР58ЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bsr58lt1g-datasheets-3939.pdf | 40В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | Олово | 8541.21.00.95 | е3 | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БСР58 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | -35В | КРЕМНИЙ | ЧОППЕР | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 60Ом | 5 пФ | N-канал | 800 мВ @ 1 мкА | 8 при мА 15 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF208TH-4-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-tf208th4tlh-datasheets-3946.pdf | 3-СМД, плоский вывод | 3 | 100мВт | 100мВт | ВТФП | 5пФ | 100мВт | N-канал | 5пФ @ 2В | 100 мВ @ 1 мкА | 1 мА | 140 мкА при 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ175-Т1-Е3 | Вишай Дейл | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishay-sst175t1e3-datasheets-7647.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 15 недель | 8,193012мг | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | Одинокий | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | 30 В | П-КАНАЛ | СОЕДИНЕНИЕ | 125Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ5461 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-mmbf5460-datasheets-3785.pdf | -40В | -10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ5461 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | -9мА | 40В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 2 пФ | P-канал | 7пФ при 15В | 1 В @ 1 мкА | 2 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN4117_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-pn4117d26z-datasheets-3976.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н4117 | ТО-92-3 | 350мВт | N-канал | 3пФ при 10 В | 600 мВ при 1 нА | 40В | 30 мкА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FJZ594JTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2007 год | /files/onsemiconductor-fjz594jctf-datasheets-3413.pdf | СОТ-623Ф | СОТ-623Ф | 100мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 150 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4091 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mmbf4091-datasheets-3877.pdf | -40В | 30 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Олово | 8541.21.00.95 | е3 | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | МБФ4091 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 30 мА | -40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | -40В | 30Ом | 5 пФ | N-канал | 16пФ при 20В | 5 В при 1 нА | 30 при мА 20 В | 30Ом | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3796-2-ТЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sk37964tle-datasheets-3912.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 100мВт | 8 | Одинокий | 10 мА | 30 В | 30 В | N-канал | 4пФ @ 10В | 180 мВ @ 1 мкА | 600 мкА при 10 В | 200Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТИС75_Д26З | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | ТИС75 | 350мВт | N-канал | 18пФ при 10В ВГС | 800 мВ при 4 нА | 30 В | 8 при мА 15 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4119A-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4119ae3-datasheets-3988.pdf | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 300мВт | Одинокий | 300мВт | Другие транзисторы | -40В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 3пФ при 10 В | 2 В при 1 нА | 40В | 200 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК715В-АС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sk715vac-datasheets-3906.pdf | СК-72 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Олово/медь/серебро/никель (Sn/Cu/Ag/Ni) | НЕТ | 300мВт | НИЖНИЙ | 2СК715 | 3 | Одинокий | 1 | 50 мА | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 15 В | 15 В | СОЕДИНЕНИЕ | ТО-92 | 0,05А | N-канал | 10пФ при 5В | 600 мВ при 100 мкА | 10 при мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4338 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | 175°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-2n4338-datasheets-3999.pdf | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Неизвестный | 3 | Нет | 300мВт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | 7пФ | -50В | 50В | -50В | 300мВт | 2,5 кОм | N-канал | 7пФ при 15В | 300 мВ при 100 нА | 50В | 200 мкА при 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMBF4391LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-smmbf4391lt1g-datasheets-3908.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | МБФ4391 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 225 МВт | N-канал | 14 пФ при 15 В ВГС | 4 В при 10 нА | 50 при мА 15 В | 30Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPF4393RLRPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-mpf4392-datasheets-3549.pdf | 30 В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 453,59237мг | Нет СВХК | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НЕТ | 350мВт | НИЖНИЙ | 260 | МПФ4393 | 3 | Одинокий | 40 | 1 | Другие транзисторы | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 30 В | 100Ом | 30 В | N-канал | 10 пФ при 15 В ВГС | 500 мВ при 10 нА | 5 при мА 15 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3796-4-ТЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-2sk37964tle-datasheets-3912.pdf | СК-75, СОТ-416 | Без свинца | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 100мВт | Одинокий | 10 мА | 30 В | 30 В | N-канал | 4пФ @ 10В | 180 мВ @ 1 мкА | 2,5 мА при 10 В | 200Ом |
