Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Технология полевых транзисторов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CP210-2N4416-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp2102n4416ct20-datasheets-4364.pdf | Править | 8 недель | Править | 4пФ | 30 В | N-канал | 4пФ @ 15В | 6 В при 1 нА | 30 В | 5 при мА 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF262TH-5-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-tf262th4tlh-datasheets-4292.pdf | 3-СМД, плоский вывод | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 100мВт | Одинокий | 1 мА | -20В | -20В | N-канал | 3,5 пФ при 2 В | 200 мВ @ 1 мкА | 210 мкА при 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ5484-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sst5485t1e3-datasheets-4258.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 200,998119мг | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 1 мА | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | N-канал | 5пФ при 15В | 300 мВ при 10 нА | 25В | 1 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5116-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishay-2n5116e3-datasheets-7875.pdf | -50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Неизвестный | 3 | 500мВт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | -25 мА | 30 В | 45В | 150Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPF4391 ТР ИНН/СВИНЦОВЫЙ | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cmpf4391trtinlead-datasheets-4370.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 350мВт | N-канал | 14пФ при 20В | 4 В при 1 нА | 40В | 50 при мА 20 В | 30Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF202THC-L5-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | 3-СМД, плоский вывод | 100мВт | ВТФП | 3,5 пФ | 100мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 200 мВ @ 1 мкА | 1 мА | 210 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4392-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/vishaysiliconix-2n4393-datasheets-4101.pdf | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Без свинца | 3 | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ВНЕСЯЩИЕ ПОТЕРИ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 3 | Одинокий | 30 | 1,8 Вт | 1 | Другие транзисторы | 25 мА | -40В | КРЕМНИЙ | ВОРОТА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 400мВ | СОЕДИНЕНИЕ | -55В | 60Ом | N-канал | 14пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 40В | 25 при мА 20 В | 60Ом | ||||||||||||||||||||||||||
| CP210-2N4416-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | Править | 8 недель | Править | 4пФ | 30 В | N-канал | 4пФ @ 15В | 6 В при 1 нА | 30 В | 5 при мА 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4393-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/centralsemiconductorcorp-cp2062n4393ct20-datasheets-4329.pdf | Править | 8 недель | Править | 14пФ | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 40В | 5 при мА 20 В | 100 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U430 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-u430e3-datasheets-4252.pdf | 10 мА | ТО-78-6 Металлическая банка | 7 | 500мВт | Двойной | 500мВт | ТО-78-6 | 5пФ | 30 мА | -25В | -25В | 500мВт | 2кОм | 2 N-канала (двойной) | 5пФ @ 10В | 1 В при 1 нА | 25В | 12 при мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4857JTXL02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | ТО-206АА (ТО-18) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5547JTXV01 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | ТО-71-6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5546JTXV01 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | ТО-71-6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3320-И(ТЭ85Л,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 200мВт | УСВ | 13пФ | 200мВт | N-канал | 13пФ при 10В | 200 мВ при 100 нА | 1,2 мА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5547JTX01 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | ТО-71-6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5460 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n5460-datasheets-4304.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 34 недели | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | 310мВт | 1 | О-PBCY-T3 | 5мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | 2 пФ | P-канал | 7пФ при 15В | 750 мВ при 1 мкА | 40В | 1 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5545JTXL01 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-71-6 | 18 недель | ТО-71 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| У291-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-u290e3-datasheets-4280.pdf | ТО-206АС, ТО-52-3 Металлическая банка | 3 | 9 недель | да | НИЗКИЕ ВНЕСЯЩИЕ ПОТЕРИ | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | О-MBCY-W3 | -30В | КРЕМНИЙ | ВОРОТА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 7Ом | 30 пФ | N-канал | 160пФ при 0 В | 1,5 В при 3 нА | 30 В | 200 мА при 10 В | 7Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ174-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sst174e3-datasheets-4250.pdf | -50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 8,193012мг | Нет СВВК | 3 | 350мВт | Одинокий | 350мВт | ТО-236 | 20пФ | -135 мА | 30 В | 30 В | 350мВт | 125Ом | P-канал | 20пФ при 0 В | 5 В при 10 нА | 30 В | 20 при мА 15 В | 85 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U441 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-u440e3-datasheets-4263.pdf | 50 мА | ТО-71-6 | 6 | Нет | 500мВт | Двойной | 500мВт | 3пФ | 30 мА | -25В | -25В | 500мВт | 2 N-канала (двойной) | 3пФ при 10 В | 1 В при 1 нА | 25В | 6 при мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| У430-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-u430e3-datasheets-4252.pdf | ТО-78-6 Металлическая банка | Без свинца | 7 | 9 недель | Неизвестный | 6 | да | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 8 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицированный | О-MBCY-W7 | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | -35В | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 2,5 пФ | 2 N-канала (двойной) | 5пФ @ 10В | 1 В при 1 нА | 25В | 12 при мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ204-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sst204e3-datasheets-4241.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 200,998119мг | 3 | 350мВт | Одинокий | 350мВт | СОТ-23 | 4,5 пФ | 3мА | -40В | 350мВт | N-канал | 4,5 пФ при 15 В | 300 мВ при 10 нА | 25В | 200 мкА при 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U431 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-u430e3-datasheets-4252.pdf | 10 мА | ТО-78-6 Металлическая банка | Без свинца | 7 | Нет | 500мВт | Двойной | ТО-78-6 | 5пФ | 60 мА | -25В | 500мВт | 2кОм | 2 N-канала (двойной) | 5пФ @ 10В | 2 В при 1 нА | 25В | 24 при мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ5485-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sst5485t1e3-datasheets-4258.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 200,998119мг | 3 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 350мВт | Одинокий | 350мВт | Другие транзисторы | 4мА | -25В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 5пФ при 15В | 500 мВ при 10 нА | 25В | 4 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| У440-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-u440e3-datasheets-4263.pdf | ТО-71-6 | 9 недель | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 500мВт | Двойной | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | -25В | СОЕДИНЕНИЕ | 2 N-канала (двойной) | 3пФ при 10 В | 1 В при 1 нА | 25В | 6 при мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ5486-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sst5485t1e3-datasheets-4258.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 13 недель | 200,998119мг | 3 | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 350мВт | Одинокий | 350мВт | Другие транзисторы | 8мА | -25В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 5пФ при 15В | 2 В @ 10 нА | 25В | 8 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| U440 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-u440e3-datasheets-4263.pdf | 50 мА | ТО-71-6 | 6 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 3пФ | 30 мА | -25В | 500мВт | 2 N-канала (двойной) | 3пФ при 10 В | 1 В при 1 нА | 25В | 6 при мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4861JTX02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4092 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mmbf4091-datasheets-3877.pdf | 40В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 30мг | 3 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | МБФ4092 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 15 мА | -40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 50Ом | 5 пФ | N-канал | 16пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 15 при мА 20 В | 50Ом | ||||||||||||||||||||||
| У290-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-u290e3-datasheets-4280.pdf | ТО-206АС, ТО-52-3 Металлическая банка | 3 | 12 недель | да | НИЗКИЕ ВНЕСЯЩИЕ ПОТЕРИ | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | О-MBCY-W3 | -30В | КРЕМНИЙ | ВОРОТА | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 3Ом | 30 пФ | N-канал | 160пФ при 0 В | 4 В при 3 нА | 30 В | 500 мА при 10 В | 3Ом |
