Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2СК2394-7-ТБ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-2sk23947tbe-datasheets-0136.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3 | Одинокий | 1 | 50 мА | -10В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 15 В | СОЕДИНЕНИЕ | 0,05 А | N-канал | 10пФ при 5В | 300 мВ @ 100 мкА | 16 при мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4392LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-smmbf4391lt1g-datasheets-3908.pdf | 30В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,016 мм | 1397 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 60Ом | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБФ4392 | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | -30В | 60Ом | N-канал | 14пФ при 15В | 2 В при 10 нА | 25 при мА 15 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4392 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4391pbfree-datasheets-4417.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 20 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,8 Вт | N-канал | 14пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 40В | 25 при мА 20 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK34260TL | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°С~80°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-2sk34260tl-datasheets-0281.pdf | 20 В | 2мА | СОТ-723 | Без свинца | 100мВт | 2СК3426 | СССМини3-F1 | 2мА | 20 В | 100мВт | N-канал | 2мА | 107 мкА при 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBFJ308,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nxpusainc-pmbfj308215-datasheets-0309.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 8 недель | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,25 Вт | 25В | СОЕДИНЕНИЕ | 250 мВт | ОЧЕНЬ ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | ТО-236АБ | 2,5 пФ | N-канал | 5пФ @ 10В | 1 В @ 1 мкА | 25В | 12 при мА 10 В | 50Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J112-D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-j111d74z-datasheets-9859.pdf | 35В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 7 недель | 200,998119мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | Нет | 5А | 35В | 625 МВт | НИЖНИЙ | J112 | Одинокий | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | 7пФ | 5мА | -35В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | 50Ом | 5 пФ | N-канал | 1 В @ 1 мкА | 5 при мА 15 В | 50Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ175 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbfj177-datasheets-3644.pdf | -30В | -50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 14 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MBFJ175 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | 33,5 мА | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | СОЕДИНЕНИЕ | 30В | 125Ом | P-канал | 3 В @ 10 нА | 7 при мА 15 В | 125Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK01980RL | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-2sk01980rl-datasheets-0279.pdf | 30В | 20 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 150 мВт | 2СК0198 | Мини3-G1 | 14пФ | 20 мА | 30В | 150 мВт | N-канал | 14пФ при 10В | 100 мВ @ 10 мкА | 20 мА | 500 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBFJ177 215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-pmbfj175215-datasheets-3700.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 8 недель | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | MBFJ177 | 3 | 40 | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,3 Вт | 30В | СОЕДИНЕНИЕ | 300мВт | 300Ом | P-канал | 8пФ при 10В ВГС | 800 мВ при 10 нА | 30В | 1,5 мА при 15 В | 300Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF414T5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-tf414t5g-datasheets-0361.pdf | СК-101, СОТ-883 | Без свинца | 2 недели | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 17 часов назад) | да | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 100мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 4В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 0,7 пФ при 10 В | 4 В @ 1 мкА | 40В | 1 мА | 50 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСР57 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-bsr57-datasheets-0389.pdf | 40В | 20 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,11 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 39 недель | 30мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСР57 | Одинокий | 250 мВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 20 мА | -40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500мВ | СОЕДИНЕНИЕ | 40Ом | 5 пФ | N-канал | 2 В @ 0,5 нА | 20 при мА 15 В | 40Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4858A | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n4858a-datasheets-0407.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 8 недель | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 360мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 360мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 60Ом | N-канал | 10 пФ при 10 В ВГС | 800 мВ при 0,5 нА | 8 при мА 15 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФУ310ЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-mmbfu310lt1g-datasheets-0402.pdf | 25В | 10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 2 недели | 1,437803г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБФУ310 | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 60 мА | 25В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | -25В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 2,5 пФ | 25В | N-канал | 5 пФ при 10 В ВГС | 2,5 В при 1 нА | 24 при мА 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J111-D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-j111d74z-datasheets-9859.pdf | 35В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 3 | 43 недели | 201мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 625 МВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | J111 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 20 мА | -35В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | 5 пФ | N-канал | 3 В при 1 мкА | 20 при мА 15 В | 30Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСР58 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-bsr58-datasheets-9801.pdf | 40В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 970 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 39 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БСР58 | Одинокий | 30 | 250 мВт | 1 | Другие транзисторы | 80 мА | -40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 40В | 60Ом | 5 пФ | N-канал | 800 мВ при 0,5 нА | 8 при мА 15 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4093 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mmbf4091-datasheets-3877.pdf | 40В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | 30мг | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | МБФ4093 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 8мА | -40В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 80Ом | 5 пФ | N-канал | 16пФ при 20В | 1 В при 1 нА | 8 при мА 20 В | 80Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ202 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbfj201-datasheets-9762.pdf | 40В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 12 часов назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MBFJ202 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 5,4 мА | -40В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | 40В | N-канал | 800 мВ при 10 нА | 900 мкА при 20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J112-D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-j111d74z-datasheets-9859.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 48 недель | да | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | J112 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,4 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 625 МВт | 50Ом | 5 пФ | N-канал | 1 В @ 1 мкА | 35В | 5 при мА 15 В | 50Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J109-D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mmbfj108-datasheets-9907.pdf | 25В | 10 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | Без свинца | 30 недель | 201мг | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | Нет | 625 МВт | J109 | Одинокий | 625 МВт | Другие транзисторы | 40 мА | -25В | 25В | СОЕДИНЕНИЕ | 12Ом | N-канал | 2 В при 10 нА | 40 при мА 15 В | 12Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ110 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbfj110-datasheets-9963.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 940 мкм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 21 неделя | 30мг | 18Ом | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 10 часов назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 460мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MBFJ110 | Одинокий | 460мВт | 1 | Другие транзисторы | 10 мА | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 18Ом | N-канал | 4 В при 10 нА | 10 при мА 15 В | 18Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J176-D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mmbfj177-datasheets-3644.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 33 недели | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | НЕТ | J176 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | 0,35 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 350 мВт | P-канал | 1 В при 10 нА | 30В | 2 при мА 15 В | 250Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J175-D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mmbfj177-datasheets-3644.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 6 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | НЕТ | J175 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | 0,35 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 350 мВт | P-канал | 3 В @ 10 нА | 30В | 7 при мА 15 В | 125Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CPH3910-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cph3910tle-datasheets-0065.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 12 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 400мВт | 3 | Одинокий | 50 мА | N-канал | 6пФ @ 5В | 1,8 В при 100 мкА | 25В | 20 при мА 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMBFJ177LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbfj177lt1g-datasheets-9796.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 225 МВт | 3 | Одинокий | -25В | P-канал | 11пФ при 10 В ВГС | 800 мВ при 10 нА | 30В | 1,5 мА при 15 В | 300Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J109 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-mmbfj108-datasheets-9907.pdf | 25В | 40 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,58 мм | 4,58 мм | 3,86 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 201мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | 8541.21.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 625 МВт | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | J109 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 625 МВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 40 мА | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | СОЕДИНЕНИЕ | -25В | 12Ом | 15 пФ | N-канал | 2 В при 10 нА | 40 при мА 15 В | 12Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J113 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 35В | 50 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | Без свинца | 6 недель | 201мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 20 часов назад) | Медь, Серебро, Олово | Нет | 625 МВт | J113 | 1 | Одинокий | 625 МВт | 150°С | ТО-92-3 | 2мА | -35В | 35В | -35В | 625 МВт | 100Ом | N-канал | 500 мВ @ 1 мкА | 35В | 2 при мА 15 В | 100 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4393 ПББЕСПЛАТНО | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-2n4391pbfree-datasheets-4417.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПО НИКЕЛЮ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,8 Вт | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 1 нА | 40В | 5 при мА 20 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФ4393LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-smmbf4391lt1g-datasheets-3908.pdf | 30В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,0226 мм | 1,016 мм | 1397 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 100Ом | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 21 час назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МБФ4393 | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 1 мкА | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | -30В | 100Ом | 30В | N-канал | 14пФ при 15В | 500 мВ при 10 нА | 5 при мА 15 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ113 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mmbfj112-datasheets-9740.pdf | 35В | 2мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 1,2 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 42 недели | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 350 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MBFJ113 | 1 | Одинокий | 350 мВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 2мА | -35В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | -35В | 100Ом | 5 пФ | N-канал | 500 мВ @ 1 мкА | 2 при мА 15 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НСВДЖ3910СБ3Т1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-nsvj3910sb3t1g-datasheets-0228.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 12 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 400мВт | N-канал | 6пФ @ 5В | 600 мВ при 100 мкА | 25В | 50 мА | 20 при мА 5 В |
