Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Технология полевых транзисторов | Напряжение проба | Мощность - Макс. | Самый высокий частотный диапазон | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| J113-D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbfj112-datasheets-9740.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | 6 недель | да | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | J113 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,4 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 625 МВт | 100Ом | 5 пФ | N-канал | 500 мВ @ 1 мкА | 35В | 2 при мА 15 В | 100Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ176 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbfj177-datasheets-3644.pdf | -30В | 25 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 930 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 42 недели | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 12 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.21.00.95 | е3 | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MBFJ176 | Одинокий | 225 МВт | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | -25 мА | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | 30 В | 250Ом | P-канал | 1 В при 10 нА | 2 при мА 15 В | 250Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ201 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbfj201-datasheets-9762.pdf | 40В | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 1,2 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 42 недели | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 12 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MBFJ201 | 1 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 1 мА | -40В | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 40В | СОЕДИНЕНИЕ | -40В | N-канал | 300 мВ при 10 нА | 200 мкА при 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ108 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-mmbfj108-datasheets-9907.pdf | 25 В | 80 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 1,22 мм | Без свинца | 3 | 24 недели | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MBFJ108 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 80 мА | -25В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | -25В | 8Ом | N-канал | 3 В при 10 нА | 80 при мА 15 В | 8Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ112 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mmbfj112-datasheets-9740.pdf | 35В | 5мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,92 мм | 1,11 мм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 42 недели | 30мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 350мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MBFJ112 | 1 | Одинокий | 350мВт | 1 | Другие транзисторы | 150°С | 5мА | -35В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 35В | СОЕДИНЕНИЕ | -35В | 50Ом | 5 пФ | N-канал | 1 В @ 1 мкА | 5 при мА 15 В | 50Ом | |||||||||||||||||||||||||||||
| MMBFJ175LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mmbfj175lt1g-datasheets-9817.pdf | -25В | -60 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3,04 мм | 1,01 мм | 1,4 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 125Ом | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | MBFJ175 | 3 | Одинокий | 225 МВт | 1 | -1нА | 25 В | КРЕМНИЙ | ЧОППЕР | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 В | 125Ом | 5,5 пФ | P-канал | 11пФ при 10 В ВГС | 3 В при 10 нА | 7 при мА 15 В | 125Ом | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5116 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Коробка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n5116-datasheets-9823.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 8 недель | 3 | нет | Нет | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 500мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | Одинокий | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 500мВт | 150Ом | 7 пФ | P-канал | 25пФ при 15В | 1 В при 1 нА | 5 при мА 15 В | 150Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5457 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n5457-datasheets-4892.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 310мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 310мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | O-PBCY-W3 | 10 мА | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 3 пФ | 25 В | N-канал | 7пФ при 15В | 500 мВ при 10 нА | 1 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3796-3-ТЛ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-2sk37964tle-datasheets-3912.pdf | СК-75, СОТ-416 | 1,6 мм | 750 мкм | 800 мкм | Без свинца | 3 | да | EAR99 | Олово | е6 | 100мВт | 8 | Одинокий | 100мВт | 10 мА | -30В | 30 В | 200Ом | 30 В | N-канал | 4пФ @ 10В | 180 мВ @ 1 мкА | 1,2 мА при 10 В | 200Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСВ79 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Поставщик не определен | /files/centralsemiconductorcorp-bsv80-datasheets-4764.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | совместимый | 40В | 350мВт | N-канал | 5пФ @ 10В | 2 В при 1 нА | 20 при мА 15 В | 40Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J175 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-j175-datasheets-4836.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | нет | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицированный | O-PBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,35 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 350мВт | 125Ом | P-канал | 5,5 пФ при 10 В ВГС | 3 В при 10 нА | 30 В | 7 при мА 15 В | 125Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPFJ310 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Поставщик не определен | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cmpfj310tr-datasheets-4526.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | да | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 10 | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | СОЕДИНЕНИЕ | 350мВт | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | N-канал | 5пФ @ 10В | 2 В при 1 нА | 25 В | 24 при мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСВ80 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~175°С ТДж | Поставщик не определен | /files/centralsemiconductorcorp-bsv80-datasheets-4764.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | совместимый | 40В | 350мВт | N-канал | 5пФ @ 10В | 1 В при 1 нА | 10 при мА 15 В | 60Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| У310-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/vishaysiliconix-u310e3-datasheets-4768.pdf | 20 мА | ТО-206АС, ТО-52-3 Металлическая банка | Без свинца | Неизвестный | 3 | Нет | 500мВт | Одинокий | 500мВт | ТО-206АС (ТО-52) | 5пФ | 60 мА | -25В | -25В | 500мВт | 35Ом | N-канал | 5пФ @ 10В | 2,5 В при 1 нА | 25 В | 24 при мА 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4392-2 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4393-datasheets-4101.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Нет | 1,8 Вт | Одинокий | -40В | N-канал | 14пФ при 20В | 2 В при 1 нА | 40В | 25 при мА 20 В | 60Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ5461-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sst5462t1e3-datasheets-4384.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 350мВт | Одинокий | 350мВт | СОТ-23 | 7пФ | 40В | 350мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 1 В @ 1 мкА | 40В | 2 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5115JAN02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 8885_2N5115 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5114-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | -50мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Неизвестный | 3 | 500мВт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | -90 мА | 30 В | 45В | 75Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBFJ201_G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | Непригодный | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | MBFJ201 | 350мВт | N-канал | 300 мВ при 10 нА | 40В | 200 мкА при 20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5114JTXV02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Одинокий | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4860JAN02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | Да | Одинокий | -30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н4391 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~200°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-2n4393-datasheets-4101.pdf | 50 мА | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | 1,8 Вт | Одинокий | ТО-206АА (ТО-18) | 14пФ | 50 мА | -40В | -40В | 1,8 Вт | 30Ом | N-канал | 14пФ при 20В | 4 В при 1 нА | 40В | 50 при мА 20 В | 30 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST4416-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-2n4416a2-datasheets-4117.pdf | 10 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 200,998119мг | Неизвестный | 3 | 350мВт | Одинокий | 350мВт | СОТ-23 | 2,2 пФ | 15 мА | -30В | -30В | 350мВт | 150Ом | N-канал | 2,2 пФ при 15 В | 3 В при 1 нА | 30 В | 5 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК1070ПЬЕТР-Э | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | /files/renesaselectronicsamerica-2sk1070pidtle-datasheets-4524.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | да | EAR99 | совместимый | 8541.21.00.95 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | 20 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,15 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 150 мВт | N-канал | 9пФ @ 5В | 0 В @ 10 мкА | 22В | 50 мА | 12 при мА 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4858JTVP02 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ246С | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК1070ПИЭТЛ-Э | Ренесас Электроникс Америка | 1,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | /files/renesaselectronicsamerica-2sk1070pidtle-datasheets-4524.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | да | EAR99 | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,15 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 150 мВт | N-канал | 9пФ @ 5В | 0 В при 10 мкА | 22В | 50 мА | 12 при мА 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TF202THC-3-TL-HX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-tf202thc3tlhx-datasheets-4669.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SK1070PICTL-E | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/renesaselectronicsamerica-2sk1070pidtle-datasheets-4524.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Одинокий | 1 | Другие транзисторы | 50 мА | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,15 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 150 мВт | 0,05А | N-канал | 9пФ @ 5В | 0 В @ 10 мкА | 22В | 12 при мА 5 В |
