Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактJFET транзисторы(828)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Масса | Количество контактов | ECCN-код | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Дата проведения проверки исходного URL | Поставщик пакета оборудования | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Источник стока при максимальном сопротивлении | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – проба (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5460_L99Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~135°С, ТДж | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5462d27z-datasheets-3382.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 350 мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 750 мВ при 1 мкА | 40В | 5 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5461_D74Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5462d27z-datasheets-3382.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5461 | ТО-92-3 | 350 мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 1 В @ 1 мкА | 40В | 2 при мА 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5639_D26Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2003 г. | /files/onsemiconductor-2n5639d26z-datasheets-3385.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2N5639 | 350 мВт | N-канал | 10 пФ при 12 В ВГС | 30 В | 25 при мА 20 В | 60Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ246А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-bf246a-datasheets-3387.pdf | 30 В | 140 мА | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | Без свинца | 201мг | 3 | 350 мВт | БФ246 | Одинокий | 625 МВт | 30 В | 30 В | N-канал | 600 мВ при 100 нА | 30 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5460_D75Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5462d27z-datasheets-3382.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 2Н5460 | 350 мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 750 мВ при 1 мкА | 40В | 1 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5461_L99Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~135°С, ТДж | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-2n5462d27z-datasheets-3382.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 350 мВт | P-канал | 7пФ при 15В | 1 В @ 1 мкА | 40В | 9 при мА 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KSK596PCWD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksk596pcwd-datasheets-3390.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | КСК596 | ТО-92С | 100мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 100 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСК596БУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ksk596pcwd-datasheets-3390.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов | КСК596 | ТО-92С | 100мВт | N-канал | 3,5 пФ при 5 В | 600 мВ при 1 мкА | 20 В | 1 мА | 100 мкА при 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J3A040YXS/T0BY4571 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP216-2N4393-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2162n4393ct20-datasheets-2555.pdf | Править | Править | N-канал | 14пФ при 20В | 500 мВ при 50 В | 40В | 5мА | 100 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J3A080YXS/T0BY4AG0 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J2A020YXS/T0BY425, | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP210-2N4416A-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Править | Править | 35В | N-канал | 4пФ @ 15В | 2,5 В @ 10 кГц | 35В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 176 126 йен | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-j174126-datasheets-2548.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 3 | EAR99 | неизвестный | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НИЖНИЙ | НЕ УКАЗАН | J176 | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | Не квалифицированный | О-PBCY-T3 | 2013-06-14 00:00:00 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,4 Вт | 30 В | СОЕДИНЕНИЕ | 400мВт | 250Ом | P-канал | 8пФ при 10В ВГС | 1 В при 10 нА | 30 В | 2 при мА 15 В | 250Ом | ||||||||||||||||
| 110 126 иен | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/nxpusainc-j109126-datasheets-2562.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J110 | 400мВт | N-канал | 30пФ при 0 В | 4 В @ 1 мкА | 25 В | 10 при мА 5 В | 18Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP216-2N4392-CM | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2162n4392wn-datasheets-2543.pdf | Править | Править | N-канал | 14пФ при 20В | 2В @ 50В | 40В | 25 мА | 60 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J108,126 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/nxpusainc-j109126-datasheets-2562.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J108 | 400мВт | N-канал | 30пФ при 0 В | 10 В @ 1 мкА | 25 В | 80 при мА 5 В | 8Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J2A012YXS/T1AY403, | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| J1A012YXS/T1AY404, | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4393-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2062n4393wn-datasheets-2626.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК715В | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 125°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | СК-72 | 3-СПА | 15 В | 300мВт | N-канал | 10пФ при 5В | 600 мВ при 100 мкА | 50 мА | 10 при мА 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4392-CM | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2062n4392ct-datasheets-2550.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP232V-2N4416A-CT20 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 350 мВт | N-канал | 4,5 пФ при 15 В | 2,5 В @ 10 кГц | 35В | 5мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДЖ2А080ГС0/Т0БГ295, | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4856-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2062n4856cm-datasheets-2545.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4392-WN | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2062n4392ct-datasheets-2550.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4856-CM | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2062n4856cm-datasheets-2545.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 174 126 йен | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-j174126-datasheets-2548.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | J174 | ТО-92 | 30 В | 400мВт | P-канал | 8пФ при 10В ВГС | 5 В при 10 нА | 30 В | 20 при мА 15 В | 85 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4392-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2062n4392ct-datasheets-2550.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP216-2N4856-CM | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~175°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2162n4856cm-datasheets-2553.pdf | Править | Править | 40В | N-канал | 18пФ @ 10В | 4 В @ 50 В | 40В | 50 мА | 25 Ом |
