Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АЛД114813SCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald114913sal-datasheets-9220.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 16 | 500мВт | 500мВт | 16-СОИК | 2,5 пФ | 10 нс | 3мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 4 N-канала, согласованная пара | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 2,7 В | 1,26 В @ 1 мкА | 12 мА 3 мА | Режим истощения | 500 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД212900САЛ | Advanced Linear Devices Inc. | $5,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancedlineardevicesinc-ald212900pal-datasheets-3035.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 500мВт | 8-СОИК | 30пФ | 80 мА | 10,6 В | 500мВт | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 30пФ при 5В | 14Ом | 20 мВ при 20 мкА | 80 мА | Ворота логического уровня | 14 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLA5037 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-sla5037-datasheets-0215.pdf | 12-СИП | 12 | 12 недель | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | 5 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т12 | 10А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5 Вт | 40А | 0,08 Ом | 200 мДж | 4 N-канала | 1630пФ при 10 В | 80 мОм при 5 А, 10 В | 2 В при 250 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS5C658NLTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 | /files/onsemiconductor-nttfs5c658nltag-datasheets-0184.pdf | 18 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД114935ПАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald114835scl-datasheets-3184.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-ПДИП | 2,5 пФ | 10 нс | 3мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 540Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 540 Ом при 0 В | 3,45 В @ 1 мкА | 12 мА 3 мА | Режим истощения | 540 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМД8630 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | 8-PowerWDFN | 8 недель | 97,95918 мг | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 30В | 2,3 Вт Та 43 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 9930пФ при 15 В | 1 мОм при 38 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 38А Та 167А Ц | 142 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД212908САЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald212908sal-datasheets-0220.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 84,99187мг | 8 | 500мВт | 2 | 8-СОИК | 10 нс | 10 нс | 80 мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 14Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 20 мВ @ 10 мкА | 80 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД212902САЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald212902sal-datasheets-0189.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 84,99187мг | 8 | 500мВт | 2 | 8-СОИК | 10 нс | 10 нс | 80 мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 14Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 20 мВ @ 10 мкА | 80 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД110908ПАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald110908asal-datasheets-9244.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-ПДИП | 2,5 пФ | 10 нс | 3мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 4,8 В | 820 мВ при 1 мкА | 12 мА 3 мА | Стандартный | 500 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALD114935SAL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/advancedlineardevicesinc-ald114835scl-datasheets-3184.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 8 | 500мВт | Двойной | 500мВт | 8-СОИК | 2,5 пФ | 10 нс | 3мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 540Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 540 Ом при 0 В | 3,45 В @ 1 мкА | 12 мА 3 мА | Режим истощения | 540 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД110914ПАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald110814scl-datasheets-3304.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 8 | да | неизвестный | 500мВт | Двойной | 500мВт | 10 нс | 3мА | 10,6 В | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 5,4 В | 1,42 В @ 1 мкА | 12 мА 3 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД210802SCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald210802scl-datasheets-0196.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,75 мм | 8 недель | 665,986997мг | 16 | 500мВт | 4 | 500мВт | 16-СОИК | 10 нс | 10 нс | 80 мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 25Ом | 10 В | 4 N-канала, согласованная пара | 20 мВ @ 10 мкА | 80 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA76407DK8T-F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, UltraFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-hufa76407dk8tf085-datasheets-0197.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | да | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 Вт | МС-012АА | 2 N-канала (двойной) | 330пФ при 25В | 90 мОм при 3,8 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД110808SCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald110908asal-datasheets-9244.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 16 | 500мВт | 500мВт | 16-СОИК | 2,5 пФ | 10 нс | 3мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 500Ом | 10 В | 4 N-канала, согласованная пара | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 4,8 В | 820 мВ при 1 мкА | 12 мА 3 мА | Стандартный | 500 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД111933ПАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald111933sal-datasheets-6940.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | 8 недель | 8 | да | EAR99 | неизвестный | 500мВт | Двойной | 500мВт | 2 | 10 нс | 6,9 мА | 10,6 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 5,9 В | 3,35 В @ 1 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД212904САЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/advancedlineardevicesinc-ald212904sal-datasheets-0208.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 10,6 В | 500мВт | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 20 мВ @ 10 мкА | 80 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД210804PCL | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/advancedlineardeviceinc-ald210804pcl-datasheets-0209.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 1,025005г | 16 | 500мВт | 4 | 16-ПДИП | 10 нс | 10 нс | 80 мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 25Ом | 10 В | 4 N-канала, согласованная пара | 20 мВ @ 10 мкА | 80 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД212904ПАЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EPAD®, Нулевой порог™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/advancedlineardevicesinc-ald212904sal-datasheets-0208.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | 930,006106мг | 8 | 500мВт | 2 | Двойной | 8-ПДИП | 10 нс | 10 нс | 80 мА | 10,6 В | 10,6 В | 500мВт | 14Ом | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 20 мВ @ 10 мкА | 80 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LN60A01EP-LF | Монолитные энергетические системы, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°С~125°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/monolithicpowersystemsinc-ln60a01eslfz-datasheets-9498.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 8 | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 3 | Р-ПДИП-Т8 | 80 мА | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ВЕНТИЛЬ, 3 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,3 Вт | 0,08А | 3 N-канала, общая вентиляция | 190 Ом при 10 мА, 10 В | 1,2 В @ 250 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7920K6-G | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-tc7920k6g-datasheets-0062.pdf | 12-ВФДФН Открытая площадка | Без свинца | 12 | 14 недель | 12 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, НИЗКИЙ ПОРОГ | Олово | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 40 | 4 | Не квалифицирован | 10 нс | 15 нс | 15 нс | 20 нс | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 4-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 200В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7Ом | 2 N и 2 P-канала | 52пФ при 25В | 10 Ом при 1 А, 10 В | 2,4 В при 1 мА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЛД110914САЛ | Advanced Linear Devices Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭПАД® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°C~70°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/advancedlineardeviceinc-ald110814scl-datasheets-3304.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 8 | да | неизвестный | 500мВт | Двойной | 500мВт | 10 нс | 3мА | 10,6 В | 10 В | 2 N-канальных (двойных) согласованных пар | 2,5 пФ при 5 В | 500 Ом при 5,4 В | 1,42 В @ 1 мкА | 12 мА 3 мА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6975DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6975dqt1ge3-datasheets-9753.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 21 неделя | 157,991892мг | 8 | 830мВт | 2 | Двойной | 830мВт | 8-ЦСОП | 25 нс | 32нс | 32 нс | 96 нс | 4,3А | 8В | 12 В | 830мВт | 27мОм | -12В | 2 P-канала (двойной) | 27 мОм при 5,1 А, 4,5 В | 450 мВ при 5 мА (мин) | 4,3А | 30 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 27 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMD8560L | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmd8560l-datasheets-0073.pdf | 8-PowerWDFN | 800 мкм | 12 недель | 94,85095мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 2,2 Вт | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 2,2 Вт | 150°С | 20 нс | 57 нс | 22А | 20 В | 1,6 В | 60В | 2 Н-канала (полумост) | 11130пФ при 30 В | 3,2 мОм при 22 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 22А 93А | 128 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМД8580 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerWDFN | 12 недель | 94,85095мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 2,3 Вт | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 82А | 80В | 2 N-канала (двойной) | 5875пФ при 40 В | 4,6 мОм при 16 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 16А Та 82А Ц | 80 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFD5C462NLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 | /files/onsemiconductor-ntmfd5c462nlt1g-datasheets-0102.pdf | 48 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7962DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7962dpt1e3-datasheets-0110.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | 13 недель | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7962 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-С6 | 15 нс | 15 нс | 55 нс | 11,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7.1А | 0,017Ом | 40В | 2 N-канала (двойной) | 17 мОм при 11,1 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 7.1А | 70 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМД8260ЛЕТ60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmd8260let60-datasheets-0082.pdf | 12-PowerWDFN | 12 недель | 82,3188 мг | 12 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 1,1 Вт | 260 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 15А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 5245пФ при 30 В | 5,8 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 68 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMD8440L | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdmd8440l-datasheets-0123.pdf | 8-PowerWDFN | 12 недель | 153,4014 мг | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 40В | 2,1 Вт Та 33 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 4150пФ при 20 В | 2,6 мОм при 21 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 21А Та 87А Ц | 62 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3600АС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms3600as-datasheets-9702.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 18 недель | 90мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 2,5 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 13 нс | 5,3 нс | 3,9 нс | 38 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,2 Вт 2,5 Вт | 15А | 0,0056Ом | 90 пФ | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1770пФ при 13В | 5,6 мОм при 15 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 15А 30А | 27 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМД86100 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmd86100-datasheets-0017.pdf | 8-PowerWDFN | 12 недель | 97,95918 мг | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 2,2 Вт | 260 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 10А | 100 В | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 2060пФ при 50В | 10,5 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 30 НК при 10 В | Стандартный |
