Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8902EDB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si8902edbt2e1-datasheets-9750.pdf | 6-МИКРО ФУТ®CSP | 6 | 24 недели | да | EAR99 | ESD ЗАЩИТА, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | неизвестный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | СИ8902 | 6 | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-XBGA-B6 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1,7 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт | 3,9А | 0,072Ом | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1 В при 980 мкА | 3,9А | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4963BDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4963bdyt1e3-datasheets-2990.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4963 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 30 нс | 40 нс | 55 нс | 80 нс | 4,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 P-канала (двойной) | 32 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,4 В @ 250 мкА | 21 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6975DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6975dqt1ge3-datasheets-9753.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 21 неделя | 27мОм | 8 | 830мВт | Двойной | 830мВт | 8-ЦСОП | 4,3А | 8В | 12 В | 830мВт | 27мОм | 12 В | 2 P-канала (двойной) | 27 мОм при 5,1 А, 4,5 В | 450 мВ при 5 мА (мин) | 4,3А | 30 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 27 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3602АС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms3602as-datasheets-9680.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 13 недель | 171 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 2,5 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 12 нс | 4,2 нс | 3,2 нс | 31 нс | 26А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,2 Вт 2,5 Вт | 15А | 0,0056Ом | 90 пФ | 25 В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1770пФ при 13В | 5,6 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15А 26А | 27 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М4ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sh8m4tb1-datasheets-9764.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | 2 Вт | *М4 | 2 Вт | 8-СОП | 1,19 нФ | 7А | 30В | 2 Вт | 17мОм | 30В | N и P-канал | 1190пФ при 10 В | 18 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 9А 7А | 15 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 18 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ16Н10С4Л61ААТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipg16n10s4l61aatma1-datasheets-9772.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 12 недель | 8 | да | Без галогенов | 29 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 16А | 100 В | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 845пФ при 25 В | 61 мОм при 16 А, 10 В | 2,1 В при 90 мкА | 11 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS5C471NLTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nttfs5c471nltag-datasheets-9706.pdf | 18 недель | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC4C002NLTDG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-efc4c002nltdg-datasheets-9793.pdf | 8-XFBGA, WLCSP | Без свинца | 12 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 23 часа назад) | да | 2,6 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 6200пФ при 15В | 2,2 В при 1 мА | 45 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С415АТМА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/infineontechnologies-ipg20n06s415atma2-datasheets-9711.pdf | 8-PowerVDFN | 5,15 мм | 1 мм | 6,15 мм | 8 | 12 недель | 8 | да | не_совместимо | Без галогенов | 50 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 2 | 12 нс | 2нс | 9 нс | 17 нс | 20А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0155Ом | 90 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 2260пФ при 25В | 15,5 мОм при 17 А, 10 В | 4 В @ 20 мкА | 29 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMP3A17DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmp3a17dn8ta-datasheets-9648.pdf | -30В | -4,4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 70мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2,1 Вт | 2 | 1,74 нс | 2,87 нс | 8,72 нс | 29,2 нс | 4,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,4А | 2 P-канала (двойной) | 630пФ при 15 В | 70 мОм при 3,2 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4,4А Та | 8,28 НК при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО604НС2XUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-bso604ns2xuma1-datasheets-9719.pdf | 55В | 5А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 недель | 8 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | Олово | е3 | Без галогенов | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БСО604НС2 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | 8нс | 5А | 20 В | 55В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 5А | 20А | 0,044Ом | 90 мДж | 2 N-канала (двойной) | 870пФ при 25В | 35 мОм при 2,5 А, 10 В | 2 В при 30 мкА | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ10Х017ЛПД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 23 недели | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100 В | 2,2 Вт Та 78 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 1986 ПФ при 50 В | 17,4 мОм при 17 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 54,7А Ц | 28,6 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIZF914DT-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerPAIR®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sizf914dtt1ge3-datasheets-9725.pdf | 8-PowerWDFN | 14 недель | 8-PowerPair® (6x5) | 25 В | 3,4 Вт Ta 26,6 Вт Tc 4 Вт Ta 60 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 1050пФ 4670пФ при 10В | 3,8 мОм при 10 А, 10 В, 0,9 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА, 2,2 В при 250 мкА | 23,5 А Та 40 А Тс 52 А Та 60 А Тс | 21 нк, 98 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГД7Н45ССД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmgd7n45ssd13-datasheets-9726.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 17 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,64 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПДСО-Г8 | 500 мА | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 450В | 450В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,5 А | 2,2А | 4Ом | 56 мДж | 2 N-канала (двойной) | 256пФ при 25В | 4 Ом при 400 мА, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 500 мА Та | 6,9 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQS4900TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fqs4900tf-datasheets-0822.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 13 недель | 230,4 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | FQS4900 | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 25нс | 47 нс | 35 нс | 1,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 60В 300В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5,2А | 0,65 Ом | -300В | N и P-канал | 550 мОм при 650 мА, 10 В | 1,95 В при 20 мА | 1,3 А 300 мА | 2,1 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН3012ЛЕГ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn3012leg7-datasheets-9628.pdf | 8-PowerLDFN | 21 неделя | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 30В | 2,2 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 850пФ 1480пФ при 15В | 12 мОм при 15 А, 5 В, 6 м Ом при 15 А, 5 В | 2,1 В при 250 мкА, 1,15 В при 250 мкА | 10А Та 20А Ц | 6,1 нк, 12,6 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6850 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СДМОС™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon6850-datasheets-0826.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8 | 1,7 Вт | 56 Вт | 2 | 5А | 25 В | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 1840пФ при 50В | 35 мОм при 5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 29 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО203PHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-bso203phxuma1-datasheets-9666.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 18 недель | 8 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | е3 | Без галогенов | 1,6 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | 16 нс | 55нс | 74 нс | 45 нс | 7А | 12 В | -20В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,021 Ом | 97 мДж | 2 P-канала (двойной) | 3750пФ при 15В | 21 мОм при 8,2 А, 4,5 В | 1,2 В @ 100 мкА | 39 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЭ6922 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/alphaomegasemiconductorinc-aoe6922-datasheets-9694.pdf | 18 недель | 8-ДФН (5х6) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH6021SPDWQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmnh6021spdwq13-datasheets-9696.pdf | 8-PowerTDFN | 17 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | 60В | 1,5 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 1143пФ при 25 В | 25 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,2А Та 32А Ц | 20,1 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5853NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5853nlt1g-datasheets-4982.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 | 13 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 3 Вт | ПЛОСКИЙ | 8 | Двойной | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 12А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 34А | 165А | 0,015 Ом | 40 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1100пФ при 25В | 10 мОм при 15 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMS3017SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-dms3017ssd13-datasheets-9624.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,19 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 1,79 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 10А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1276пФ при 15 В | 2,5 В | 12 мОм при 9,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А 6А | 30,6 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIZF918DT-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sizf918dtt1ge3-datasheets-9699.pdf | 8-PowerWDFN | 14 недель | 8-PowerPair® (6x5) | 30В | 3,4 Вт Ta 26,6 Вт Tc 3,7 Вт Ta 50 Вт Tc | 2 N-канальных (двойной), Шоттки | 1060пФ 2650пФ при 15В | 4 МОм при 10 А, 10 В, 1,9 МОм при 10 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА, 2,3 В при 250 мкА | 23А Та 40А Ц 35А Та 60А Ц | 22 нк, 56 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН3012ЛДГ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn3012ldg13-datasheets-9627.pdf | 8-PowerLDFN | 22 недели | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30В | 2,2 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 850пФ при 15В 1480пФ при 15В | 12 мОм при 15 А, 5 В, 6 м Ом при 15 А, 5 В | 2,1 В при 250 мкА, 1,15 В при 250 мкА | 10А Та 20А Ц | 6,1 нк при 4,5 В, 12,6 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC8407,LQ(S | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 8 | Нет | 1,5 Вт | 2 | 8-СОП | 1,19 нФ | 7,4А | 20 В | 30В | 450мВт | N и P-канал | 1190пФ при 10 В | 17 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,3 В @ 100 мкА | 9А 7,4А | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 17 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ720ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-siz720dtt1ge3-datasheets-9632.pdf | 6-PowerPair™ | 6 мм | 750 мкм | 3,73 мм | 14 недель | 6 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 48 Вт | 260 | 2 | Двойной | 40 | 4,6 Вт | 16А | 20 В | 27 Вт 48 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 825пФ при 10 В | 2 В | 8,7 мОм при 16,8 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМД6П02Р2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 25 недель | 8 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 750 мВт | 150°С | Двойной | Другие транзисторы | 4,8А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 P-канала (двойной) | 1700пФ при 16В | 33 мОм при 6,2 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 35 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C462NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nvmfd5c462nt1g-datasheets-4877.pdf | 48 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3606С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms3606s-datasheets-9638.pdf | 8-PowerTDFN | 6 мм | 1 мм | 5 мм | 6 | 13 недель | 171 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 15 нс | 5,5 нс | 3,4 нс | 36 нс | 27А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13А | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1785пФ при 15В | 8 мОм при 13 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 13А 27А | 29 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЭ6932 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-ВДФН Открытая площадка | 8 | 18 недель | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Н8 | КРЕМНИЙ | СЕРИЯ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 24 Вт 52 Вт | 55А | 120А | 0,008 Ом | 18 мДж | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1150пФ при 15В 4180пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В, 1,4 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА, 1,9 В при 250 мкА | 55А Ц 85А Ц | 15 нк при 4,5 В, 50 нк при 4,5 В | Стандартный |
