Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTTFS5C478NLTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nttfs5c478nltag-datasheets-9297.pdf | 18 недель | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH4015SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmnh4015ssd13-datasheets-9300.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 N-канала (двойной) | 1938пФ при 15В | 15 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Та | 15 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH6022SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmnh6022ssd13-datasheets-9302.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 18 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | 22,6А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7.1А | 45А | 0,03 Ом | 24 мДж | 2 N-канала (двойной) | 2127пФ при 25 В | 27 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7,1 А 22,6 А | 32 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УП04878Г0Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-up0487800l-datasheets-0412.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 125 МВт | ССМини6-F2 | 12пФ | 100 мА | 50В | 125 МВт | 2 N-канала (двойной) | 12пФ @ 3В | 12 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 1 мкА | 100 мА | Ворота логического уровня | 12 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMG4932LSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-dmg4932lsd13-datasheets-6046.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 7 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,19 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMG4932LSD | 8 | 1 | 40 | 1,19 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9,5А | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1932пФ при 15В | 15 мОм при 9 А, 10 В | 2,4 В @ 250 мкА | 42 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD5903T1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-nthd5903t1g-datasheets-5836.pdf | -20В | -2,2А | 8-СМД, плоский вывод | 6,35 мм | 6,35 мм | 6,35 мм | Без свинца | 8 | 4.535924г | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | NTHD5903 | 8 | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 35 нс | 35 нс | 25 нс | 3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,155 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 155 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА | 2,2А | 7,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA513DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sia513djt1ge3-datasheets-5467.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | 28,009329мг | 6 | 6,5 Вт | SIA513 | 2 | 1,9 Вт | 2 | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 360пФ | 20 нс | 45нс | 10 нс | 15 нс | 4,5 А | 12 В | 20 В | 6,5 Вт | 110мОм | N и P-канал | 360пФ при 10В | 60 мОм при 3,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4,5 А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 60 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8J3FU6TB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | *J3 | 2 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 15 нс | 10 нс | 35 нс | 3,5 А | 20 В | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -2,5 В | 30 В | 2 P-канала (двойной) | 490пФ при 10В | 90 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 5,5 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8513TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-irf8513pbf-datasheets-5732.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 8 | EAR99 | Нет | 2,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF8513PBF | Двойной | 1,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9,3 нс | 11А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 Вт 2,4 Вт | 8А | 64А | 0,0155Ом | 49 мДж | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 766пФ при 15 В | 15,5 мОм при 8 А, 10 В | 2,35 В @ 25 мкА | 8А 11А | 8,6 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ15Н06С3Л-45 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-ipg15n06s3l45-datasheets-6162.pdf | 8-PowerVDFN | 6 | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 21 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | 8 | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф6 | 15А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 55В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 21 Вт | 17А | 60А | 0,045 Ом | 47 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1420пФ при 25В | 45 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 10 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К3ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8k3tb-datasheets-1889.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 17 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | 2 Вт | *К3 | Двойной | 2 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 7А | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 7А | 2 N-канала (двойной) | 600пФ при 10В | 2,5 В | 24 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 11,8 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСД840Н Л6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsd840nl6327-datasheets-6168.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | совместимый | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БСД840 | 6 | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 0,5 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500мВт | 0,88А | 0,4 Ом | 2 N-канала (двойной) | 78пФ при 10 В | 400 мОм при 880 мА, 2,5 В | 750 мВ при 1,6 мкА | 880 мА | 0,26 нк при 2,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К24ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8k24fu6tb-datasheets-6182.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Нет СВХК | 8 | EAR99 | 2 Вт | Двойной | 2 Вт | 6А | 45В | 45В | 2,5 В | 2 N-канала (двойной) | 1400пФ при 10В | 2,5 В | 25 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 21,6 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8J5FU6TB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Нет СВХК | 8 | 2 Вт | *J5 | 7А | -30В | 30 В | -2,5 В | -30В | 2 P-канала (двойной) | 2600пФ при 10 В | -2,5 В | 28 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 25 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL314PEL6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bsl314pel6327htsa1-datasheets-6218.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 6 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 5,1 нс | 3,9 нс | 2,8 нс | 12,4 нс | 1,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,14 Ом | 11 пФ | 2 P-канала (двойной) | 294пФ при 15В | 140 мОм при 1,5 А, 10 В | 2 В при 6,3 мкА | 2,9 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8J1FU6TB | РОМ Полупроводник | 1,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 17 недель | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | 2 Вт | НЕ УКАЗАН | *J1 | НЕ УКАЗАН | Другие транзисторы | 5А | -30В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -2,5 В | 5А | 2 P-канала (двойной) | 1400пФ при 10В | -2,5 В | 42 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 16 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО211PHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bso211phxuma1-datasheets-6134.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 12 недель | 540,001716мг | 8 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 1,6 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БСО211 | 8 | НЕ УКАЗАН | 1,6 Вт | 2 | Не квалифицирован | 13нс | 4А | 12 В | -20В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,067Ом | 2 P-канала (двойной) | 1095пФ при 15В | 67 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 1,2 В @ 25 мкА | 10 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8J2FU6TB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | Нет СВХК | 8 | 2 Вт | *J2 | 4,5 А | 30 В | -2,5 В | 2 P-канала (двойной) | 850пФ при 10 В | 56 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 8,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHKD3NQ10T,518 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/nexperiausainc-phkd3nq10t518-datasheets-6081.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 540,001716мг | 8 | 2 Вт | 8 | 2 | Двойной | 6 нс | 12нс | 10 нс | 20 нс | 3А | 20 В | 100 В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 633пФ при 20 В | 90 мОм при 1,5 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М7ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8m7tb-datasheets-0459.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 2 Вт | *M7 | 8-СОП | 230пФ | 7А | 30 В | 2 Вт | N и P-канал | 230пФ при 10В | 51 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 5А 7А | 5,5 нк при 5 В | Ворота логического уровня | 51 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М9ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8m9tb-datasheets-0493.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 2 Вт | *M9 | 8-СОП | 1,19 нФ | 5А | 30 В | 2 Вт | N и P-канал | 1190пФ при 10 В | 18 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 9А 5А | 21 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 18 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К4ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8k4tb-datasheets-0377.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | *К4 | Двойной | 2 Вт | 10 нс | 15 нс | 22 нс | 55 нс | 9А | 20 В | 30 В | 2,5 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1190пФ при 10 В | 2,5 В | 17 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 21 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD6601NR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntmd6601nr2g-datasheets-6091.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 1,1А | 15 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 пФ | 80В | 2 N-канала (двойной) | 400пФ при 25В | 215 мОм при 2,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М8ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohmsemiconductor-sp8m8tb-datasheets-0488.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 47МОм | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | *M8 | 2 Вт | Другие транзисторы | 25нс | 25 нс | 60 нс | 4,5 А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 30 В | N и P-канал | 520пФ при 10В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 6А 4,5А | 10,1 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL215CL6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsl215cl6327htsa1-datasheets-5983.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | Нет | 8541.21.00.95 | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСЛ215 | 6 | 2 | 1,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,14 Ом | 9 пФ | N и P-канал | 143пФ при 10 В | 140 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,2 В @ 3,7 мкА | 0,73 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М10ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8m10fu6tb-datasheets-6103.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | неизвестный | 2 Вт | *М10 | 2 Вт | Другие транзисторы | 25нс | 25 нс | 60 нс | 4,5 А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 30 В | N и P-канал | 600пФ при 10В | 24 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 7А 4,5А | 11,8 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N7002BFU(T5L,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 300мВт | SSM6N7002 | 200 мА | 60В | 300мВт | 2 N-канала (двойной) | 17пФ при 25В | 2,1 Ом при 500 мА, 10 В | 3,1 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К5ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8k5tb-datasheets-0440.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | *К5 | 2 Вт | 6 нс | 6нс | 4 нс | 17 нс | 3,5 А | 20 В | 30 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 140пФ при 10В | 2,5 В | 83 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К2ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohmsemiconductor-sp8k2tb-datasheets-2901.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 17 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | 2 Вт | *К2 | Полевой транзистор общего назначения | 6А | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 2 Вт | 6А | 2 N-канала (двойной) | 520пФ при 10В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 10,1 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М6ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8m6tb-datasheets-0407.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | неизвестный | 2 Вт | *М6 | 2 Вт | Другие транзисторы | 15 нс | 10 нс | 35 нс | 3,5 А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 30 В | N и P-канал | 230пФ при 10В | 51 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 5А 3,5А | 3,9 нк при 5 В | Ворота логического уровня |
