Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GWM120-0075X1-SL | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ixys-gwm1200075x1smd-datasheets-5782.pdf | 17-СМД, плоские выводы | 17 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | GWM120 | НЕ УКАЗАН | 6 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф17 | 110А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0049Ом | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4,9 мОм при 60 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 115 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM160-0055X1-SMDSAM | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ixys-gwm1600055x1sl-datasheets-5784.pdf | 17-СМД, Крыло Чайки | GWM160 | 150А | 55В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 3,3 мОм при 100 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 105 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСК750Н10НДГАТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsc750n10ndgatma1-datasheets-5865.pdf | 8-PowerVDFN | 1 мм | Содержит свинец | 6 | 16 недель | 8 | нет | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | Нет | е3 | Без галогенов | ПЛОСКИЙ | БСК750Н10 | 8 | 2 | 26 Вт | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 9 нс | 4нс | 13 нс | 13А | 20 В | 100 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 0,075Ом | 17 мДж | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 720пФ при 50В | 75 мОм при 13 А, 10 В | 4 В @ 12 мкА | 3,2А | 11 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD75204W15 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-csd75204w15-datasheets-5838.pdf | 9-УФБГА, ДСБГА | Содержит свинец | 9 | Нет СВХК | 9 | нет | Нет | 700мВт | НИЖНИЙ | МЯЧ | CSD75204 | 9 | Двойной | 700мВт | 2 | Другие транзисторы | 7,8 нс | 6,7 нс | 26 нс | 45 нс | -3А | -6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -700мВ | 3А | 80мОм | 55 пФ | -20В | 2 P-канала (двойной) | 410пФ при 10 В | -700 мВ | 900 мВ при 250 мкА | 3А | 3,9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUD3191PZTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntlud3191pztbg-datasheets-5881.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 19 часов назад) | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 2 | Не квалифицирован | 24 нс | 62 нс | 68 нс | -1А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1А | 0,25 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 160пФ при 10В | 250 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,1А | 3,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD75205W1015 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-csd75205w1015-datasheets-5883.pdf | 6-УФБГА, ДСБГА | Содержит свинец | 6 | Нет СВХК | 6 | нет | EAR99 | 750 мВт | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | CSD75205 | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 750 мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 6,3 нс | 5,3 нс | 17 нс | 32 нс | 1,2А | -6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -650мВ | 0,18 Ом | 33 пФ | -20В | 2 P-канала (двойной) | 265пФ при 10В | 120 мОм при 1 А, 4,5 В | 850 мВ при 250 мкА | 2,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FW231A-TL-E | Корпорация SANYO Semiconductor (США) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | /files/sanyosemiconductorusacorporation-fw231atle-datasheets-5913.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 В | 2,3 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1530пФ при 10В | 23 мОм при 8 А, 4,5 В | 8А | 21 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLTD7900ZR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntltd7900zr2g-datasheets-5815.pdf | 20 В | 9А | 8-ВДФН Открытая площадка | Без свинца | 8 | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ЭСР ЗАЩИТА | е3 | Олово (Вс) | 1,5 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | NTLTD7900Z | 8 | 40 | 1,5 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | 1,17 нс | 1,17 нс | 1,87 нс | 6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 30А | 0,026Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 15пФ при 16В | 26 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 18 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8651R-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ech8651rtlh-datasheets-5811.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 8 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1,4 Вт | ECH8651R | 8 | Двойной | 1,4 Вт | 2 | 300 нс | 1 мкс | 2,5 мкс | 4 мкс | 10А | 12 В | 24В | 1,5 Вт | 24В | 2 N-канала (двойной) | 14 мОм при 5 А, 4,5 В | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2040ЛСД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-dmn2040lsd13-datasheets-5731.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,9 мм | 8 | 850,995985мг | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН2040ЛСД | 8 | 2 | 40 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 30А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 562пФ при 10 В | 26 мОм при 6 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM220-004P3-SL СЭМ | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 2008 год | /files/ixys-gwm220004p3smd-datasheets-5786.pdf | 17-СМД, плоские выводы | GWM220 | 40В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4 В @ 1 мА | 180А | 94 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БТС7904САКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bts7904saksa1-datasheets-5769.pdf | ТО-220-5 | 5 | EAR99 | неизвестный | НЕТ | ОДИНОКИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 2 | Р-ПСФМ-Т5 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 55В 30В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 69 Вт 96 Вт | 40А | 160А | 0,0205Ом | 200 мДж | N и P-канал | 6100пФ при 25В | 12 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 40 мкА | 40А | 123 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСД223П Л6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/infineontechnologies-bsd223p-datasheets-0141.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | совместимый | 8541.21.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БСД223 | 6 | 40 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 0,25 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 250 мВт | 0,39 А | 22 пФ | 2 P-канала (двойной) | 56пФ при 15В | 1,2 Ом при 390 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 1,5 мкА | 390 мА | 0,62 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM120-0075X1-СМД | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ixys-gwm1200075x1smd-datasheets-5782.pdf | 17-СМД, Крыло Чайки | 17 | 17 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | GWM120 | 17 | 4 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 110А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4,9 мОм при 60 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 115 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM160-0055X1-SL | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ixys-gwm1600055x1sl-datasheets-5784.pdf | 17-СМД, плоские выводы | 17 | 17 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | GWM160 | НЕ УКАЗАН | 6 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | 550 нс | 150А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0033Ом | 55В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 3,3 мОм при 100 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 105 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM220-004P3-СМД | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ixys-gwm220004p3smd-datasheets-5786.pdf | 17-СМД, Крыло Чайки | 17 | 17 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | GWM220 | 17 | 6 | Не квалифицирован | 140 нс | 180А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,6 мОм | 40В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4 В @ 1 мА | 94 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM220-004P3-СМД ЗРК | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 2008 год | /files/ixys-gwm220004p3smd-datasheets-5786.pdf | 17-СМД, Крыло Чайки | GWM220 | 40В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4 В @ 1 мА | 180А | 94 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM120-0075X1-SMDSAM | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ixys-gwm1200075x1smd-datasheets-5782.pdf | 17-СМД, Крыло Чайки | GWM120 | 110А | 75В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4,9 мОм при 60 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 115 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM120-0075P3-СМД | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ixys-gwm1200075p3-datasheets-4144.pdf | 17-СМД, Крыло Чайки | 17 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | GWM120 | 6 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G17 | 510 нс | 118А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0055Ом | 75В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 5,5 мОм при 60 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 100 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC8213-H(TE12LQ,М | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2006 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | неизвестный | 60В | 450мВт | 2 N-канала (двойной) | 625пФ при 10 В | 50 мОм при 2,5 А, 10 В | 2,3 В @ 1 мА | 5А | 11 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8619-TL-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ech8619tle-datasheets-5797.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 93мОм | 8 | 1,5 Вт | ECH8619 | 1,5 Вт | 2 | 8-ЭКХ | 560пФ | 2А | 20 В | 60В | 1,5 Вт | 93мОм | N и P-канал | 560пФ при 20В | 93 мОм при 1,5 А, 10 В | 3А 2А | 12,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 93 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDC7002N_SB9G007 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-ndc7002n-datasheets-3811.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | СуперСОТ™-6 | 50В | 700мВт | 2 N-канала (двойной) | 20пФ при 25В | 2 Ом при 510 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 510 мА | 1 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM160-0055X1-СМД | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ixys-gwm1600055x1smd-datasheets-0072.pdf | 17-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 17 | 2,7 МОм | 17 | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | GWM160 | 17 | НЕ УКАЗАН | 6 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | 550 нс | 150А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 55В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 3,3 мОм при 100 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 105 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHKD13N03LT,518 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/nexperiausainc-phkd13n03lt518-datasheets-5804.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 8 | 3,57 Вт | 8 | 6 нс | 7нс | 11 нс | 23 нс | 10,4А | 20 В | 30В | 3,57 Вт | 2 N-канала (двойной) | 752пФ при 15 В | 20 мОм при 8 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 10,7 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7501DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si7501dnt1e3-datasheets-4745.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 5 | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,6 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7501 | 8 | Двойной | 30 | 3,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | S-XDSO-C5 | 10 нс | 20нс | 20 нс | 25 нс | 5,4А | 25 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 0,035 Ом | 30В | N и P-каналы, общий сток | 35 мОм при 7,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,4 А 4,5 А | 14 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9936DY | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-si9936dy-datasheets-5767.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 230,4 мг | 50МОм | 8 | 900мВт | Двойной | 2 Вт | 2 | 10 нс | 10 нс | 25 нс | 5А | 20 В | 30В | 30В | 2 N-канала (двойной) | 525пФ при 15В | 50 мОм при 5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА | 35 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD4401PT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-nthd4401pt1-datasheets-0361.pdf | -20В | -2,1 А | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 8 часов назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | NTHD4401P | 8 | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 13нс | 13 нс | 33 нс | 2,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,155 Ом | 50 пФ | -20В | 2 P-канала (двойной) | 300пФ при 10В | 155 мОм при 2,1 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJD3181PZTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntljd3181pztbg-datasheets-5679.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 710мВт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 2 | Не квалифицирован | 9нс | 9 нс | 14 нс | 2,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,2А | 0,1 Ом | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 450пФ при 10В | 100 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 7,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJD3181PZTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntljd3181pztbg-datasheets-5679.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 710мВт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 2 | Не квалифицирован | 9нс | 9 нс | 14 нс | 2,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,2А | 0,1 Ом | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 450пФ при 10В | 100 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 7,8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDD8424H_F085 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | совместимый | НЕ УКАЗАН | ФДД8424 | НЕ УКАЗАН | 40В | 1,3 Вт | N и P-канал | 1000пФ при 20В | 24 мОм при 9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 9А 6,5А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
