Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АПТМ120ТА57ФПГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptm120ta57fpg-datasheets-5233.pdf | СП6 | 21 | 6 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 21 | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 6 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-XUFM-X21 | 17А | 30 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3000 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 5155пФ при 25 В | 684 мОм при 8,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 187 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80A15T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptc80a15t1g-datasheets-5175.pdf | СП1 | 12 | 1 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 277 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 277 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 28А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 670 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 4507пФ при 25 В | 150 мОм при 14 А, 10 В | 3,9 В @ 2 мА | 180 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7343QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf7343qtrpbf-datasheets-5176.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | IRF7343QPBF | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 4,7А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | N и P-канал | 740пФ при 25В | 50 мОм при 4,7 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4,7 А 3,4 А | 36 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7306QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irf7306qtrpbf-datasheets-5182.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Нет СВХК | 8 | Нет | 2 Вт | IRF7306QPBF | 2 Вт | 2 | 11 нс | 17нс | 18 нс | 25 нс | -3,6А | 20 В | 30 В | 2 P-канала (двойной) | 440пФ при 25В | -1 В | 100 мОм при 1,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 3,6А | 25 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50DHM35G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm50dhm35g-datasheets-5186.pdf | СП6 | 8 | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 781 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 8 | 781 Вт | 2 | Р-XUFM-X8 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 99А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,039 Ом | 3000 мДж | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 14000пФ при 25В | 39 мОм при 49,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 280 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50AM70FT1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptm50am70ft1g-datasheets-5188.pdf | СП1 | 12 | 1 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 390 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 50А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,08 Ом | 2 Н-канала (полумост) | 10800пФ при 25В | 84 мОм при 42 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 340 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50DHM75TG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptm50dhm75tg-datasheets-5190.pdf | SP4 | 14 | 4 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 357 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 357 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 46А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,09 Ом | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 5600пФ при 25В | 90 мОм при 23 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 123 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7754GTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | Нет | 1 Вт | IRF7754GPBF | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 1,984 нФ | 9,8 нс | 18нс | 191 нс | 267 нс | 5,5 А | 8В | 12 В | 1 Вт | -12В | 2 P-канала (двойной) | 1984 ПФ при 6 В | 25 мОм при 5,4 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 5,5 А | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 25 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7379QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | 2,5 Вт | IRF7379QPBF | 2,5 Вт | Другие транзисторы | 5,8А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | N и P-канал | 520пФ при 25В | 45 мОм при 5,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 5,8 А 4,3 А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7304QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf7304qtrpbf-datasheets-5199.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | 2 Вт | IRF7304QPBF | 2 Вт | 8-СО | 610пФ | 8,4 нс | 26нс | 33 нс | 51 нс | -4,7А | 12 В | 20 В | 2 Вт | 140мОм | 2 P-канала (двойной) | 610пФ при 15 В | 90 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 4,3А | 22 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 90 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7309QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irf7309qtrpbf-datasheets-5202.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | 1,4 Вт | IRF7309QPBF | 1,4 Вт | 8-СО | 520пФ | 3А | 20 В | 30 В | 1,4 Вт | N и P-канал | 520пФ при 15В | 50 мОм при 2,4 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4А 3А | 25 НК при 4,5 В | Стандартный | 50 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7341QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irf7341qtrpbf-datasheets-5206.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Нет | 2,4 Вт | IRF7341QPBF | 2,4 Вт | 2 | 8-СО | 780пФ | 9,2 нс | 7,7 нс | 12,5 нс | 31 нс | 4,7А | 20 В | 55В | 2,4 Вт | 65мОм | 2 N-канала (двойной) | 780пФ при 25В | 50 мОм при 5,1 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 5,1А | 44 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 50 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ20ТДУМ16ПГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm20tdum16pg-datasheets-5214.pdf | СП6 | 21 | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 21 | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 6 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-XUFM-X21 | 104А | 30 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКИ, ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,019 Ом | 3000 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 7220пФ при 25 В | 19 мОм при 52 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 140 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7313QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf7313qtrpbf-datasheets-5215.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | 2 Вт | IRF7313QPBF | 2 Вт | 8-СО | 650пФ | 8,1 нс | 8,9 нс | 17 нс | 26 нс | 6,5 А | 20 В | 30 В | 2 Вт | 46мОм | 2 N-канала (двойной) | 650пФ при 25В | 29 мОм при 5,8 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 6,5 А | 33 НК при 10 В | Стандартный | 29 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20AM05FTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm20am05ftg-datasheets-5167.pdf | SP4 | 15 | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 15 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-XUFM-X15 | 333А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 700А | 0,005 Ом | 1300 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 40800пФ при 25В | 5 мОм при 166,5 А, 10 В | 4 В @ 8 мА | 1184 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20DHM10G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptm20dhm10g-datasheets-5168.pdf | СП6 | 8 | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 694 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 694 Вт | 2 | Не квалифицирован | Р-XUFM-X8 | 175А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700А | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 13700пФ при 25В | 12 мОм при 87,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 224 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8960C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fds8960c-datasheets-5109.pdf | 7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 230,4 мг | Нет СВХК | 24МОм | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 16 нс | 5 нс | 20 нс | 7А | 25 В | 35В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 900мВт | 7А | 35В | N и P-канал | 570пФ при 15В | 2 В | 24 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7А 5А | 7,7 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ20ДУМ05ТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microsemicorporation-aptm20dum05tg-datasheets-5115.pdf | SP4 | 15 | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 15 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-XUFM-X15 | 333А | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 700А | 0,005 Ом | 1300 мДж | 2 N-канала (двойной) | 40800пФ при 25В | 5 мОм при 166,5 А, 10 В | 4 В @ 8 мА | 1184 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20DHM08G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | СП6 | 8 | 22 недели | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 781 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 8 | 781 Вт | 2 | Р-XUFM-X8 | 32 нс | 64нс | 116 нс | 88 нс | 208А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,01 Ом | 3000 мДж | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 14400пФ при 25В | 10 мОм при 104 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 280 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20DHM20TG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm20dhm20tg-datasheets-5119.pdf | SP4 | 14 | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 357 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | 89А | КРЕМНИЙ | ПАРАЛЛЕЛЬНО, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 357 Вт | 356А | 2500 мДж | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 6850пФ при 25 В | 24 мОм при 44,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 112 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80DDA29T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptc80dda29t3g-datasheets-5120.pdf | SP3 | 25 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 156 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 25 | НЕ УКАЗАН | 156 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 15А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60А | 670 мДж | 2 N-канала (двойной) | 2254пФ при 25В | 290 мОм при 7,5 А, 10 В | 3,9 В при 1 мА | 90 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ50ДСК10Т3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | SP3 | 25 | 22 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 312 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 312 Вт | 2 | 15 нс | 21нс | 52 нс | 73 нс | 37А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 140А | 1600 мДж | 2 N-канала (двойной) | 4367пФ при 25 В | 120 мОм при 18,5 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 96 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ20ДУМ10ТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm20dum10tg-datasheets-5130.pdf | SP4 | 12 | 4 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 694 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 694 Вт | 2 | Не квалифицирован | 175А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700А | 2 N-канала (двойной) | 13700пФ при 25В | 12 мОм при 87,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 224 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120ТДУ57ПГ | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | СП6 | 21 | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 21 | 390 Вт | 6 | Р-XUFM-X21 | 20 нс | 15 нс | 45 нс | 160 нс | 17А | 30 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКИ, ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,57 Ом | 3000 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 5155пФ при 25 В | 684 мОм при 8,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 187 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ50ДУМ35ТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | SP4 | 12 | 22 недели | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 781 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 781 Вт | 2 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 99А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 396А | 0,039 Ом | 3000 мДж | 2 N-канала (двойной) | 14000пФ при 25В | 39 мОм при 49,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 280 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM60A23FT1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptm60a23ft1g-datasheets-5138.pdf | СП1 | 12 | 1 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 208 Вт | 2 | Не квалифицирован | 20А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Н-канала (полумост) | 5316пФ при 25 В | 276 мОм при 17 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 165 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ50ТДУМ65ПГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm50tdum65pg-datasheets-5140.pdf | СП6 | 21 | 6 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 21 | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 6 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-XUFM-X21 | 51А | 30 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКИ, ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 204А | 0,078Ом | 3000 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 7000пФ при 25В | 78 мОм при 25,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 140 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7103QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf7103qtrpbf-datasheets-5141.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | EAR99 | Нет | 2,4 Вт | IRF7103QPBF | 2,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5,1 нс | 1,7 нс | 2,3 нс | 15 нс | 3А | 20 В | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 2 N-канала (двойной) | 255пФ при 25В | 130 мОм при 3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7307QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf7307qtrpbf-datasheets-5154.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7307QPBF | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 5,2А | 12 В | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МС-012АА | 21А | 0,05 Ом | N и P-канал | 660пФ при 15В | 50 мОм при 2,6 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 5,2 А 4,3 А | 20 НК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7314QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf7314qtrpbf-datasheets-5150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | 2,4 Вт | IRF7314QPBF | 2,4 Вт | 2 | 8-СО | 913пФ | 18 нс | 26нс | 38 нс | 41 нс | -5,2А | 12 В | 20 В | 2,4 Вт | 98мОм | 2 P-канала (двойной) | 913пФ при 15 В | 58 мОм при 5,2 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 5,2А | 29 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 58 мОм |
