Массивы МОП-транзисторов - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Масса Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Идентификатор производитель производитель Достичь соответствия кода Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Количество вариантов Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Статус квалификации Максимальный переход температуры (Tj) Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Входная емкость Включить время задержки Время подъема Осень (тип.) Время задержки отключения Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Пороговое напряжение Мощность - Макс. Максимальный ток стока (Abs) (ID) Максимальный импульсный ток стока (IDM) Источник стока при максимальном сопротивлении Снижение сопротивления до источника Обратная связь Cap-Max (Crss) Рейтинг лавинной энергии (Eas) Напряжение проба стока к источнику Тип полярного транзистора Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds Rds включено (макс.) @ Id, Vgs Vgs(th) (Макс) @ Id Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs Особенность левого транзистора РДС на Максе
APTM100H80FT1G АПТМ100Х80ФТ1Г Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°С~150°С ТДж Масса 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2007 год /files/microsemicorporation-aptm100h80ft1g-datasheets-5040.pdf СП1 12 1 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 208 Вт ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН 12 НЕ УКАЗАН 208 Вт 4 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицированный 11А 30В КРЕМНИЙ СЛОЖНЫЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 1кВ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 68А 0,96 Ом 4 N-канала (H-мост) 3876пФ при 25 В 960 мОм при 9 А, 10 В 5 В @ 1 мА 150 НК при 10 В Стандартный
APTC60AM70T1G APTC60AM70T1G Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°С~150°С ТДж Масса 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2007 год /files/microsemicorporation-aptc60am70t1g-datasheets-5042.pdf СП1 12 1 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 250 Вт ВЕРХНИЙ ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ НЕ УКАЗАН 12 НЕ УКАЗАН 250 Вт 2 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицированный 39А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 600В 600В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 0,07 Ом 2 Н-канала (полумост) 7000пФ при 25В 70 мОм при 39 А, 10 В 3,9 В @ 2,7 мА 259 НК при 10 В Стандартный
APTM100DU18TG АПТМ100ДУ18ТГ Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°С~150°С ТДж Масса 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2016 год /files/microsemicorporation-aptm100du18tg-datasheets-5044.pdf SP4 12 4 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ неизвестный е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 780 Вт ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН 12 НЕ УКАЗАН 780 Вт 2 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицированный 43А 30В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 1кВ 1000В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 3000 мДж 2 N-канала (двойной) 10400пФ при 25В 210 мОм при 21,5 А, 10 В 5 В @ 5 мА 372 НК при 10 В Стандартный
AO8830 АО8830 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2007 год /files/alphaomegasemiconductor-ao8830-datasheets-9803.pdf 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 8 1,5 Вт 20 В 2 N-канальных (двойных) с общим стоком 290пФ при 10В 27 мОм при 6 А, 10 В 1 В @ 1 мА 5,2 нк при 4,5 В Ворота логического уровня
FD6M016N03 ФД6М016Н03 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Power-SPM™ Сквозное отверстие -40°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) /files/onsemiconductor-fd6m016n03-datasheets-4997.pdf ЭПМ15 ЭПМ15 30В 2 N-канала (двойной) 11535пФ при 15В 1,6 мОм при 40 А, 10 В 3 В при 250 мкА 80А 295 НК при 10 В Стандартный
APTC60DSKM35T3G APTC60DSKM35T3G Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°С~150°С ТДж Масса 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. SP3 25 22 недели 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 416 Вт ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 25 416 Вт 2 Полевой транзистор общего назначения 21 нс 30 нс 84 нс 283 нс 72А 20 В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 600В 600В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1800 мДж 2 N-канала (двойной) 14000пФ при 25В 35 мОм при 72 А, 10 В 3,9 В @ 5,4 мА 518 НК при 10 В Стандартный
APTC80DSK15T3G APTC80DSK15T3G Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°С~150°С ТДж Масса 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2012 год SP3 25 22 недели 3 да EAR99 ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ Нет е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 277 Вт ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО 25 277 Вт 2 Полевой транзистор общего назначения 10 нс 13нс 35 нс 83 нс 28А 30В КРЕМНИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 800В 800В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 110А 0,15 Ом 670 мДж 2 N-канала (двойной) 4507пФ при 25 В 150 мОм при 14 А, 10 В 3,9 В @ 2 мА 180 НК при 10 В Стандартный
AOD604 АОД604 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2008 год /files/alphaomegasemiconductorinc-aod604-datasheets-5008.pdf ТО-252-6, ДПак (5 отведений + вкладка) неизвестный 1,7 Вт 40В 1,6 Вт 1,7 Вт N и P-канал 404пФ при 20В 33 мОм при 8 А, 10 В 3 В при 250 мкА 9,2 нк при 10 В Ворота логического уровня
APTM100A23SCTG APTM100A23SCTG Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°С~150°С ТДж Масса 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1997 год /files/microsemicorporation-aptm100a23sctg-datasheets-5016.pdf SP4 10 4 неизвестный е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ 694 Вт ВЕРХНИЙ НЕУКАЗАНО НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 694 Вт 2 Не квалифицированный Р-XUFM-X10 36А 30В ИЗОЛИРОВАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 1000В 1кВ 1000В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2 Н-канала (полумост) 8700пФ при 25 В 270 мОм при 18 А, 10 В 5 В @ 5 мА 308 НК при 10 В Карбид кремния (SiC)
AO4946 АО4946 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать СРФЕТ™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2010 год /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4946-datasheets-4936.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 неизвестный 2 Вт 30В 2 N-канала (двойной) 1885пФ при 15В 16 мОм при 8,6 А, 10 В 2,4 В при 250 мкА 31 НК при 10 В Ворота логического уровня
AON3810 АОН3810 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/alphaomegasemiconductorinc-aon3810-datasheets-5003.pdf 8-СМД, плоский вывод неизвестный 2,5 Вт 20 В 2 N-канальных (двойных) с общим стоком 280пФ при 10В 24 мОм при 7 А, 10 В 1 В при 250 мкА 5,2 нк при 4,5 В Ворота логического уровня
AOP610 АОП610 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2006 г. /files/alphaomegasemiconductorinc-aop610-datasheets-4965.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 8 2,3 Вт 6,2А 30В N и P-канал 630пФ при 15 В 24 мОм при 7,7 А, 10 В 3 В при 250 мкА 15 НК при 10 В Ворота логического уровня
FDMJ1032C FDMJ1032C ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать PowerTrench® Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) /files/onsemiconductor-fdmj1032c-datasheets-4853.pdf 6-WFDFN Открытая площадка СК-75, Микротранзистор 20 В 800мВт N и P-канал 270пФ при 10В 90 мОм при 3,2 А, 4,5 В 1,5 В @ 250 мкА 3,2 А 2,5 А 3нК @ 4,5 В Ворота логического уровня
NTGD3133PT1G NTGD3133PT1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntgd3133pt1g-datasheets-4968.pdf СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 Без свинца 6 6 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) да EAR99 е3 Олово (Вс) 560мВт КРЫЛО ЧАЙКИ 260 6 Двойной 40 1,1 Вт 2 Другие транзисторы Не квалифицированный 12,7 нс 12,7 нс 13,2 нс 1,6 А 12 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛЬНЫЙ 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2,5 А 0,145 Ом -20В 2 P-канала (двойной) 400пФ при 10В 145 мОм при 2,2 А, 4,5 В 1,4 В при 250 мкА 5,5 нк @ 4,5 В Ворота логического уровня
APTM100DUM90G АПТМ100ДУМ90Г Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на раму, винт Крепление на шасси -40°С~150°С ТДж Масса 1 (без блокировки) 150°С -40°С Соответствует RoHS 2012 год /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf СП6 22 недели 6 Нет 1,25 кВт 1,25 кВт 2 СП6 20,7 нФ 18 нс 12нс 40 нс 155 нс 78А 30В 1000В 1кВ 1250 Вт 2 N-канала (двойной) 20700пФ при 25В 105 мОм при 39 А, 10 В 5 В при 10 мА 78А 744 НК при 10 В Стандартный 105 мОм
NTUD3129PT5G NTUD3129PT5G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2007 год /files/onsemiconductor-ntud3129pt5g-datasheets-4973.pdf СОТ-963 Без свинца 6 6 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) 125 МВт ПЛОСКИЙ 260 6 Двойной 40 125 МВт 2 Не квалифицированный 37нс 37 нс 112 нс 140 мА КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 0,14 А 5Ом 20 В 2 P-канала (двойной) 12пФ @ 15В 5 Ом @ 100 мА, 4,5 В 1 В при 250 мкА Ворота логического уровня
AOD606 АОД606 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°С~175°С ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2008 год /files/alphaomegasemiconductor-aod606-datasheets-9807.pdf ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД 1,7 Вт 40В 1,6 Вт 1,7 Вт N и P-каналы, общий сток 404пФ при 20В 33 мОм при 8 А, 10 В 3 В при 250 мкА 9,2 нк при 10 В Ворота логического уровня
AO7600 АО7600 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2015 год 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 1,1 мм 6 Нет СК-70-6Л 300мВт 300мВт 2 150°С 600 мА 500мВ 20 В N и P-канал 120пФ при 10В 300 мОм при 900 мА, 4,5 В 900 мВ при 250 мкА 900 мА 600 мА 1,9 нк при 4,5 В Ворота логического уровня
AOP609 АОП609 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/alphaomegasemiconductor-aop609-datasheets-9794.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 8 2,5 Вт 3,5 А 60В N и P-канал 570пФ при 30В 60 мОм при 4,7 А, 10 В 3 В при 250 мкА 7 НК при 10 В Ворота логического уровня
AO6804 АО6804 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/alphaomegasemiconductor-ao6804-datasheets-9795.pdf СК-74, СОТ-457 800мВт 20 В 800мВт 2 N-канальных (двойных) с общим стоком 725пФ при 10 В 32 мОм при 5 А, 4,5 В 1,2 В при 250 мкА 7,7 нк при 4,5 В Ворота логического уровня
NTLJD3115PTAG NTLJD3115PTAG ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. /files/onsemiconductor-ntljd3115pt1g-datasheets-1885.pdf 6-WDFN Открытая площадка Без свинца 6 6 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) да EAR99 СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ е3 Олово (Вс) ДА 710мВт С ИЗГИБ 260 НТЛЖД3115П 6 Двойной 40 1,5 Вт 2 Другие транзисторы Не квалифицированный 15 нс 15 нс 19,8 нс -4,1А КРЕМНИЙ ОСУШАТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2,3А 20А 0,135 Ом -20В 2 P-канала (двойной) 531пФ при 10 В 100 мОм при 2 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 2,3А 6,2 нк при 4,5 В Ворота логического уровня
AON3806 АОН3806 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2011 год 8-СМД, плоский вывод 16 недель 2,5 Вт 20 В 2,5 Вт 2 N-канальных (двойных) с общим стоком 500пФ при 10В 26 мОм при 6,8 А, 4,5 В 1,1 В при 250 мкА 9 НК при 4,5 В Ворота логического уровня
AO8803 АО8803 Альфа и Омега Semiconductor Inc. 0,10 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2007 год 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 8 1,4 Вт Другие транзисторы 12 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2 P-канала (двойной) 4750пФ при 6В 18 мОм при 7 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 44 НК при 4,5 В Ворота логического уровня
NTZD3154NT2G НТЗД3154НТ2Г ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2006 г. /files/onsemiconductor-ntzd3154nt1g-datasheets-3038.pdf СОТ-563, СОТ-666 Без свинца 6 6 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 е3 Олово (Вс) ДА 250 мВт ПЛОСКИЙ 260 НТЗД3154Н 6 Двойной 40 250 мВт 2 Не квалифицированный 4нс 4 нс 16 нс 540 мА КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 0,54 А 0,55 Ом 20 пФ 20 В 2 N-канала (двойной) 150пФ при 16В 550 мОм при 540 мА, 4,5 В 1 В при 250 мкА 2,5 нк @ 4,5 В Стандартный
SI5933DC-T1-E3 SI5933DC-T1-E3 Вишай Силиконикс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ТренчFET® Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С Соответствует ROHS3 2007 год /files/vishaysiliconix-si5933dct1e3-datasheets-4639.pdf 8-СМД, плоский вывод 3,05 мм 1,1 мм 1,65 мм 84,99187мг 8 1,1 Вт СИ5933 2 Двойной 1,1 Вт 2 1206-8 ЧипFET™ 30 нс 30 нс 30 нс 27 нс -2,7 А 20 В 1,1 Вт 110мОм -20В 2 P-канала (двойной) 110 мОм при 2,7 А, 4,5 В 1 В при 250 мкА 2,7А 7,7 нк при 4,5 В Ворота логического уровня 110 мОм
NTJD4001NT2G NTJD4001NT2G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2007 год /files/onsemiconductor-ntjd4001nt1g-datasheets-3034.pdf 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 Без свинца 6 6 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) да EAR99 е3 Олово (Вс) ДА 272 МВт КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 6 Двойной НЕ УКАЗАН 272 МВт 2 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицированный 23нс 23 нс 94 нс 250 мА 20 В КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 30В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 0,25 А 2,5 Ом 12 пФ 30В 2 N-канала (двойной) 33пФ при 5В 1,5 Ом при 10 мА, 4 В 1,5 В @ 100 мкА 1,3 НК при 5 В Стандартный
AO4622 АО4622 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2010 год /files/alphaomegasemiconductor-ao4622-datasheets-9781.pdf 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) 8 8 Нет 2 Вт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 8 2 Вт 2 КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 35А N и P-канал 1100пФ при 10В 23 мОм при 7,3 А, 10 В 2 В @ 250 мкА 18 НК @ 10 В Ворота логического уровня
AOP607 АОП607 Альфа и Омега Semiconductor Inc.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°C~150°C, ТиДжей Трубка 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2005 г. /files/alphaomegasemiconductorinc-aop607-datasheets-4958.pdf 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 8 2,5 Вт 3,4А 60В N и P-канал 540пФ при 30В 56 мОм при 4,7 А, 10 В 3 В при 250 мкА 10,5 НК при 10 В Ворота логического уровня
NTUD3128NT5G NTUD3128NT5G ОН Полупроводник 2,34 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°C~150°C, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 2007 год /files/onsemiconductor-ntud3128nt5g-datasheets-4885.pdf СОТ-963 Без свинца 6 6 ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) да EAR99 Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) 125 МВт ПЛОСКИЙ 260 6 Двойной 40 125 МВт 2 Полевой транзистор общего назначения Не квалифицированный 24 нс 24 нс 90 нс 160 мА КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ 20 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 3Ом 20 В 2 N-канала (двойной) 9пФ при 15В 3 Ом @ 100 мА, 4,5 В 1 В при 250 мкА Ворота логического уровня
FD6M033N06 ФД6М033Н06 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Power-SPM™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°С~150°С ТДж Трубка 1 (без блокировки) 150°С -40°С Соответствует RoHS /files/onsemiconductor-fd6m033n06-datasheets-4961.pdf ЭПМ15 15 ЭПМ15 6,01нФ 73А 60В 2 N-канала (двойной) 6010пФ при 25 В 3,3 мОм при 40 А, 10 В 4 В @ 250 мкА 73А 129 НК при 10 В Стандартный 3,3 мОм

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.