Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Идентификатор производитель производитель | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АПТМ100Х80ФТ1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptm100h80ft1g-datasheets-5040.pdf | СП1 | 12 | 1 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 208 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 11А | 30В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 68А | 0,96 Ом | 4 N-канала (H-мост) | 3876пФ при 25 В | 960 мОм при 9 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 150 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM70T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptc60am70t1g-datasheets-5042.pdf | СП1 | 12 | 1 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 39А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,07 Ом | 2 Н-канала (полумост) | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100ДУ18ТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptm100du18tg-datasheets-5044.pdf | SP4 | 12 | 4 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 780 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 43А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3000 мДж | 2 N-канала (двойной) | 10400пФ при 25В | 210 мОм при 21,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 372 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8830 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao8830-datasheets-9803.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 1,5 Вт | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 290пФ при 10В | 27 мОм при 6 А, 10 В | 1 В @ 1 мА | 5,2 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФД6М016Н03 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Power-SPM™ | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fd6m016n03-datasheets-4997.pdf | ЭПМ15 | ЭПМ15 | 30В | 2 N-канала (двойной) | 11535пФ при 15В | 1,6 мОм при 40 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 80А | 295 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DSKM35T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | SP3 | 25 | 22 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 416 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 416 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 21 нс | 30 нс | 84 нс | 283 нс | 72А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1800 мДж | 2 N-канала (двойной) | 14000пФ при 25В | 35 мОм при 72 А, 10 В | 3,9 В @ 5,4 мА | 518 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80DSK15T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | SP3 | 25 | 22 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 277 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 277 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 13нс | 35 нс | 83 нс | 28А | 30В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 110А | 0,15 Ом | 670 мДж | 2 N-канала (двойной) | 4507пФ при 25 В | 150 мОм при 14 А, 10 В | 3,9 В @ 2 мА | 180 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД604 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-aod604-datasheets-5008.pdf | ТО-252-6, ДПак (5 отведений + вкладка) | неизвестный | 1,7 Вт | 8А | 40В | 1,6 Вт 1,7 Вт | N и P-канал | 404пФ при 20В | 33 мОм при 8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 9,2 нк при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100A23SCTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptm100a23sctg-datasheets-5016.pdf | SP4 | 10 | 4 | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 694 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 694 Вт | 2 | Не квалифицированный | Р-XUFM-X10 | 36А | 30В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Н-канала (полумост) | 8700пФ при 25 В | 270 мОм при 18 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 308 НК при 10 В | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4946 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4946-datasheets-4936.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | неизвестный | 2 Вт | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1885пФ при 15В | 16 мОм при 8,6 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 31 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3810 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/alphaomegasemiconductorinc-aon3810-datasheets-5003.pdf | 8-СМД, плоский вывод | неизвестный | 2,5 Вт | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 280пФ при 10В | 24 мОм при 7 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 5,2 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОП610 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-aop610-datasheets-4965.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | 2,3 Вт | 6,2А | 30В | N и P-канал | 630пФ при 15 В | 24 мОм при 7,7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMJ1032C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdmj1032c-datasheets-4853.pdf | 6-WFDFN Открытая площадка | СК-75, Микротранзистор | 20 В | 800мВт | N и P-канал | 270пФ при 10В | 90 мОм при 3,2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,2 А 2,5 А | 3нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTGD3133PT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntgd3133pt1g-datasheets-4968.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 560мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 12,7 нс | 12,7 нс | 13,2 нс | 1,6 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 А | 0,145 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 400пФ при 10В | 145 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 5,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100ДУМ90Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | СП6 | 22 недели | 6 | Нет | 1,25 кВт | 1,25 кВт | 2 | СП6 | 20,7 нФ | 18 нс | 12нс | 40 нс | 155 нс | 78А | 30В | 1000В 1кВ | 1250 Вт | 2 N-канала (двойной) | 20700пФ при 25В | 105 мОм при 39 А, 10 В | 5 В при 10 мА | 78А | 744 НК при 10 В | Стандартный | 105 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTUD3129PT5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntud3129pt5g-datasheets-4973.pdf | СОТ-963 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | 125 МВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Двойной | 40 | 125 МВт | 2 | Не квалифицированный | 37нс | 37 нс | 112 нс | 140 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,14 А | 5Ом | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 12пФ @ 15В | 5 Ом @ 100 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД606 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/alphaomegasemiconductor-aod606-datasheets-9807.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 1,7 Вт | 8А | 40В | 1,6 Вт 1,7 Вт | N и P-каналы, общий сток | 404пФ при 20В | 33 мОм при 8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 9,2 нк при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО7600 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 1,1 мм | 6 | Нет | СК-70-6Л | 300мВт | 300мВт | 2 | 150°С | 600 мА | 8В | 500мВ | 20 В | N и P-канал | 120пФ при 10В | 300 мОм при 900 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 900 мА 600 мА | 1,9 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОП609 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/alphaomegasemiconductor-aop609-datasheets-9794.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | 2,5 Вт | 3,5 А | 60В | N и P-канал | 570пФ при 30В | 60 мОм при 4,7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО6804 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/alphaomegasemiconductor-ao6804-datasheets-9795.pdf | СК-74, СОТ-457 | 800мВт | 4А | 20 В | 800мВт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 725пФ при 10 В | 32 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 7,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJD3115PTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntljd3115pt1g-datasheets-1885.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Олово (Вс) | ДА | 710мВт | С ИЗГИБ | 260 | НТЛЖД3115П | 6 | Двойной | 40 | 1,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 15 нс | 15 нс | 19,8 нс | -4,1А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,3А | 20А | 0,135 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 531пФ при 10 В | 100 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,3А | 6,2 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН3806 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-СМД, плоский вывод | 16 недель | 2,5 Вт | 6А | 20 В | 2,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 500пФ при 10В | 26 мОм при 6,8 А, 4,5 В | 1,1 В при 250 мкА | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО8803 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 1,4 Вт | Другие транзисторы | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 2 P-канала (двойной) | 4750пФ при 6В | 18 мОм при 7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 44 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЗД3154НТ2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntzd3154nt1g-datasheets-3038.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НТЗД3154Н | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Не квалифицированный | 4нс | 4 нс | 16 нс | 540 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 0,55 Ом | 20 пФ | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5933DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-si5933dct1e3-datasheets-4639.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 84,99187мг | 8 | 1,1 Вт | СИ5933 | 2 | Двойной | 1,1 Вт | 2 | 1206-8 ЧипFET™ | 30 нс | 30 нс | 30 нс | 27 нс | -2,7 А | 8В | 20 В | 1,1 Вт | 110мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 110 мОм при 2,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,7А | 7,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 110 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4001NT2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntjd4001nt1g-datasheets-3034.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 272 МВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 272 МВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 23нс | 23 нс | 94 нс | 250 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,25 А | 2,5 Ом | 12 пФ | 30В | 2 N-канала (двойной) | 33пФ при 5В | 1,5 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | 1,3 НК при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4622 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4622-datasheets-9781.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | Нет | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 Вт | 2 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35А | N и P-канал | 1100пФ при 10В | 23 мОм при 7,3 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОП607 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-aop607-datasheets-4958.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | 2,5 Вт | 3,4А | 60В | N и P-канал | 540пФ при 30В | 56 мОм при 4,7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 10,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTUD3128NT5G | ОН Полупроводник | 2,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntud3128nt5g-datasheets-4885.pdf | СОТ-963 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Никель/золото/палладий (Ni/Au/Pd) | 125 МВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | Двойной | 40 | 125 МВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 24 нс | 24 нс | 90 нс | 160 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 9пФ при 15В | 3 Ом @ 100 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФД6М033Н06 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Power-SPM™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fd6m033n06-datasheets-4961.pdf | ЭПМ15 | 15 | ЭПМ15 | 6,01нФ | 73А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 6010пФ при 25 В | 3,3 мОм при 40 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 73А | 129 НК при 10 В | Стандартный | 3,3 мОм |
