Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АО4619 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/alphaomegasemiconductorinc-ao4619-datasheets-4906.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | неизвестный | 2 Вт | 30В | N и P-канал | 448пФ при 15В | 24 мОм при 7,4 А, 10 В | 2,6 В при 250 мкА | 7,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6984S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-fds6984s-datasheets-4903.pdf | 30В | 5,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 19МОм | 8 | 900мВт | 2 Вт | 5нс | 11 нс | 25 нс | 5,5 А | 20 В | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1233пФ при 15 В | 19 мОм при 8,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5,5 А 8,5 А | 12 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FD6M043N08 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Power-SPM™ | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fd6m043n08-datasheets-4916.pdf | ЭПМ15 | ЭПМ15 | 75В | 2 N-канала (двойной) | 6180пФ при 25 В | 4,3 мОм при 40 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 65А | 148 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОП605 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | $13,39 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | неизвестный | 2,5 Вт | 2,5 Вт | 2 | 20 В | 30В | N и P-канал | 820пФ при 15 В | 28 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 16,6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4932 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | EAR99 | неизвестный | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 Вт | 2 | Не квалифицированный | 8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 2 N-канала (двойной) | 1400пФ при 15В | 12,5 мОм при 11 А, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 11А 8А | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЗД3154НТ2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntzd3154nt1g-datasheets-3038.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НТЗД3154Н | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Не квалифицированный | 4нс | 4 нс | 16 нс | 540 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 0,55 Ом | 20 пФ | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5933DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-si5933dct1e3-datasheets-4639.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | 84,99187мг | 8 | 1,1 Вт | СИ5933 | 2 | Двойной | 1,1 Вт | 2 | 1206-8 ЧипFET™ | 30 нс | 30 нс | 30 нс | 27 нс | -2,7 А | 8В | 20 В | 1,1 Вт | 110мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 110 мОм при 2,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,7А | 7,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 110 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4001NT2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntjd4001nt1g-datasheets-3034.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 272 МВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 272 МВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 23нс | 23 нс | 94 нс | 250 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,25 А | 2,5 Ом | 12 пФ | 30В | 2 N-канала (двойной) | 33пФ при 5В | 1,5 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | 1,3 НК при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4622 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/alphaomegasemiconductor-ao4622-datasheets-9781.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | Нет | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 Вт | 2 | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35А | N и P-канал | 1100пФ при 10В | 23 мОм при 7,3 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОП607 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/alphaomegasemiconductorinc-aop607-datasheets-4958.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | 2,5 Вт | 3,4А | 60В | N и P-канал | 540пФ при 30В | 56 мОм при 4,7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 10,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7960DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si7960dpt1e3-datasheets-4788.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 6 | 506,605978мг | Неизвестный | 21мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7960 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C6 | 12 нс | 12нс | 12 нс | 60 нс | 9,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 40А | 2 N-канала (двойной) | 21 мОм при 9,7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6,2А | 75 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7983DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si7983dpt1e3-datasheets-4787.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 506,605978мг | 8 | 1,4 Вт | СИ7983 | 2 | Двойной | PowerPAK® SO-8 двойной | 35 нс | 60нс | 60 нс | 390 нс | 60А | 8В | 20 В | 1,4 Вт | 17мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 17 мОм при 12 А, 4,5 В | 1 В при 600 мкА | 7,7А | 74 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 17 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJD4150PTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntljd4150ptbg-datasheets-4843.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 700мВт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 6 | 40 | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 1,8 А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВт | 2,7А | 14А | 0,135 Ом | 2 P-канала (двойной) | 300пФ при 15В | 135 мОм при 4 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 4,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7958DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si7958dpt1e3-datasheets-4780.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 6 | 506,605978мг | Неизвестный | 16,5 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7958 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C6 | 17 нс | 17нс | 17 нс | 66 нс | 11,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 40А | 61 мДж | 40В | 2 N-канала (двойной) | 3 В | 16,5 мОм при 11,3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 7,2А | 75 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA911DJ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sia911djt1e3-datasheets-4827.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | Без свинца | 94МОм | 6 | Нет | 6,5 Вт | SIA911 | Двойной | 1,9 Вт | 2 | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 355пФ | 10 нс | 10 нс | 20 нс | 3,6А | 8В | 20 В | 6,5 Вт | 94мОм | 2 P-канала (двойной) | 355пФ при 10 В | 94 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,5 А | 12,8 НК при 8 В | Стандартный | 94 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8901EDB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si8901edbt2e1-datasheets-4814.pdf | 6-МИКРО ФУТ®CSP | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 60мОм | 6 | да | EAR99 | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1 Вт | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | СИ8901 | 6 | Двойной | 40 | 1,7 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 2,3 мкс | 2,2 мкс | 2,2 мкс | 1,3 мкс | -4,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -450мВ | 3,5 А | 60мОм | 20 В | 2 P-канала (двойной) с общим стоком | 1 В при 350 мкА | 3,5 А | Ворота логического уровня | 60 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD4102PT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-nthd4102pt1g-datasheets-9202.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | NTHD4102P | 8 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1,1 Вт | 2 | Не квалифицированный | 12нс | 12 нс | 32 нс | 2,9 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -20В | 2 P-канала (двойной) | 750пФ при 16В | 80 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 8,6 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7555TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irf7555trpbf-datasheets-4858.pdf | -20В | -4,3А | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 860 мкм | 3 мм | Без свинца | 55мОм | 8 | 1,25 Вт | ИРФ7555ПБФ | Двойной | 1,25 Вт | 2 | Микро8™ | 1,066 нФ | 10 нс | 46нс | 64 нс | 60 нс | -4,3А | 12 В | 20 В | 1,25 Вт | 55мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1066пФ при 10 В | 55 мОм при 4,3 А, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 4,3А | 15 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 55 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИФ912ЕДЗ-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sif912edzt1e3-datasheets-4855.pdf | PowerPAK® 2x5 | 1,6 Вт | СИФ912Е | PowerPAK® (2x5) | 7,4А | 30В | 1,6 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 19 мОм при 7,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7,4А | 15 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 19 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4158CT2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntjd4158ct1g-datasheets-8583.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 5 недель | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | NTJD4158C | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 270мВт | 2 | Не квалифицированный | 6,5 нс | 6,5 нс | 13,5 нс | 880 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В 20В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,25 А | 2,5 Ом | 12 пФ | -20В | N и P-канал | 33пФ при 5В | 1,5 Ом @ 10 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 100 мкА | 250 мА 880 мА | 1,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИФ902ЕДЗ-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sif902edzt1e3-datasheets-4863.pdf | PowerPAK® 2x5 | 6 | 111 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,6 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | СИФ902Е | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 1,7 мкс | 2,3 мкс | 2,3 мкс | 1 мкс | 7А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 40А | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 22 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 14 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA914DJ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sia914djt1e3-datasheets-4841.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 6 | 28,009329мг | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 6,5 Вт | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | SIA914 | 6 | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | С-ПДСО-С6 | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,053 Ом | 2 N-канала (двойной) | 400пФ при 10В | 53 мОм при 3,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 11,5 НК при 8 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФД6М045Н06 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Power-SPM™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fd6m045n06-datasheets-4871.pdf | ЭПМ15 | 15 | ЭПМ15 | 3,89 нФ | 60А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 3890пФ при 25В | 4,5 мОм при 40 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 60А | 87 НК при 10 В | Стандартный | 4,5 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЛГД3502НТ2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntlgd3502nt2g-datasheets-4872.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 | 4 недели | 60МОм | 6 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,74 Вт | 260 | НТЛГД3502Н | 6 | Двойной | 40 | 1,74 Вт | 2 | 7 нс | 17,5 нс | 17,5 нс | 8,6 нс | 5,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,3А | 17,2А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 480пФ при 10В | 60 мОм при 4,3 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 4,3 А 3,6 А | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЗД5110НТ5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntzd5110nt1g-datasheets-8130.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НТЗД5110Н | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 250 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 7,3 нс | 7,3 нс | 63,7 нс | 294 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,294А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 24,5 пФ при 20 В | 1,6 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 0,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4941EDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4941edyt1e3-datasheets-4556.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 186,993455мг | 8 | 2 Вт | СИ4941 | 2 | 8-СО | 5,5 мкс | 11 мкс | 24 мкс | 30 мкс | 10А | 20 В | 30В | 3,6 Вт | 21мОм | 2 P-канала (двойной) | 21 мОм при 8,3 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 10А | 70 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 21 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7540DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si7540dpt1e3-datasheets-4748.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 6 | 506,605978мг | Неизвестный | 17мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,5 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7540 | 8 | 2 | Одинокий | 40 | 3,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C6 | 35 нс | 42нс | 42 нс | 54 нс | 11,8А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 1,4 Вт | 7,6А | 12 В | N и P-канал | 1,5 В | 17 мОм при 11,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7,6 А 5,7 А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI7872DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si7872dpt1e3-datasheets-4752.pdf | 30В | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 6 | 506,605978мг | 22мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7872 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C6 | 9 нс | 10 нс | 10 нс | 40 нс | 6,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30А | 30В | 2 Н-канала (полумост) | 22 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7844DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7844dpt1e3-datasheets-4755.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 5,99 мм | 1,07 мм | 5 мм | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 22мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7844 | 8 | Двойной | 30 | 1,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C6 | 8 нс | 10 нс | 10 нс | 21 нс | 10А | 20 В | 30В | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,4 В | 6,4А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 2,4 В | 22 мОм при 10 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 6,4А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7530DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si7530dpt1e3-datasheets-4757.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,5 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7530 | 8 | Двойной | 40 | 2 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C6 | 9нс | 9 нс | 65 нс | 3А | 20 В | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт 1,5 Вт | 3А | 15А | 0,075Ом | 11 мДж | 60В | N и P-канал | 75 мОм при 4,6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3А 3,2А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
