Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7307QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf7307qtrpbf-datasheets-5154.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7307QPBF | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 5,2А | 12 В | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МС-012АА | 21А | 0,05 Ом | N и P-канал | 660пФ при 15В | 50 мОм при 2,6 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 5,2 А 4,3 А | 20 НК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7314QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf7314qtrpbf-datasheets-5150.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | 2,4 Вт | IRF7314QPBF | 2,4 Вт | 2 | 8-СО | 913пФ | 18 нс | 26нс | 38 нс | 41 нс | -5,2А | 12 В | 20 В | 2,4 Вт | 98мОм | 2 P-канала (двойной) | 913пФ при 15 В | 58 мОм при 5,2 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА | 5,2А | 29 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 58 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ50ДУМ19Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptm50dum19g-datasheets-5105.pdf | СП6 | 7 | 6 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1136 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 7 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-XUFM-X7 | 163А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1136 Вт | 2 N-канала (двойной) | 22400пФ при 25В | 22,5 мОм при 81,5 А, 10 В | 5 В при 10 мА | 492 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120Х57ФТ3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptm120h57ft3g-datasheets-5070.pdf | SP3 | 25 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 25 | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-XUFM-X25 | 17А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 68А | 4 N-канала (H-мост) | 5155пФ при 25 В | 684 мОм при 8,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 187 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10TDUM09PG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | СП6 | 21 | 22 недели | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 21 | 390 Вт | 6 | Р-XUFM-X21 | 35 нс | 70нс | 125 нс | 95 нс | 139А | 30 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 430А | 0,01 Ом | 3000 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 9875пФ при 25 В | 10 мОм при 69,5 А, 10 В | 4 В при 2,5 мА | 350 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||
| APTM10DDAM19T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | SP3 | 25 | 22 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 208 Вт | 2 | 35 нс | 70нс | 125 нс | 95 нс | 70А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1500 мДж | 2 N-канала (двойной) | 5100пФ при 25 В | 21 мОм при 35 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 200 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS9933BZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-fds9933bz-datasheets-4923.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 230,4 мг | 8 | да | 900мВт | Двойной | 1,6 Вт | 2 | 9,3 нс | 9,3 нс | 59 нс | 4,9А | 12 В | 20 В | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 985пФ при 10 В | 46 мОм при 4,9 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 15 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM120DDA57T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm120dda57t3g-datasheets-5080.pdf | SP3 | 3 | Нет | 390 Вт | 390 Вт | 2 | SP3 | 5,155 нФ | 20 нс | 15 нс | 45 нс | 160 нс | 17А | 30 В | 1200В 1,2кВ | 390 Вт | 2 N-канала (двойной) | 5155пФ при 25 В | 684 мОм при 8,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 17А | 187 НК при 10 В | Стандартный | 684 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM120DSK57T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm120dsk57t3g-datasheets-5082.pdf | SP3 | 25 | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 390 Вт | 2 | 20 нс | 15 нс | 45 нс | 160 нс | 17А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 68А | 0,648Ом | 2 N-канала (двойной) | 5155пФ при 25 В | 684 мОм при 8,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 187 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120А65ФТ1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptm120a65ft1g-datasheets-5083.pdf | СП1 | 12 | 22 недели | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 390 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 50 нс | 31 нс | 48 нс | 170 нс | 16А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,78 Ом | 2 Н-канала (полумост) | 7736пФ при 25 В | 780 мОм при 14 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 300 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM08TDUM04PG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptm08tdum04pg-datasheets-5086.pdf | СП6 | 21 | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 138 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 21 | НЕ УКАЗАН | 138 Вт | 6 | Не квалифицирован | Р-XUFM-X21 | 120А | 30 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКИ, ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 250А | 0,0045Ом | 1500 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4530пФ при 25В | 4,5 мОм при 60 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 153 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ10ДУМ05ТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/microsemicorporation-aptm10dum05tg-datasheets-5088.pdf | SP4 | 4 | 4 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 780 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 278А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1100А | 0,005 Ом | 3000 мДж | 2 N-канала (двойной) | 20000пФ при 25В | 5 мОм при 125 А, 10 В | 4 В при 5 мА | 700 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10HM09FTG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptm10hm09ftg-datasheets-5090.pdf | SP4 | 14 | 4 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 4 | Не квалифицирован | 139А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,01 Ом | 3000 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 9875пФ при 25 В | 10 мОм при 69,5 А, 10 В | 4 В при 2,5 мА | 350 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120ДУ29ТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptm120du29tg-datasheets-5092.pdf | SP4 | 12 | 4 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 780 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 34А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 136А | 3000 мДж | 2 N-канала (двойной) | 10300пФ при 25В | 348 мОм при 17 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 374 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7105QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irf7105qtrpbf-datasheets-5094.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | IRF7105QPBF | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 45 нс | 3,5 А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | N и P-канал | 330пФ при 15В | 100 мОм при 1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,5 А 2,3 А | 27 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ50АМ19СТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-aptm50am19stg-datasheets-5100.pdf | SP4 | 4 | 1,25 кВт | SP4 | 22,4 нФ | 170А | 500В | 1250 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 22400пФ при 25В | 19 мОм при 85 А, 10 В | 5 В при 10 мА | 170А | 492 НК при 10 В | Карбид кремния (SiC) | 19 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ50ДУМ17Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | СП6 | 7 | 22 недели | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 1,25 кВт | 2 | Р-XUFM-X7 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 180А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 3000 мДж | 2 N-канала (двойной) | 28000пФ при 25В | 20 м Ом при 90 А, 10 В | 5 В при 10 мА | 560 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10TDUM19PG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm10tdum19pg-datasheets-5104.pdf | СП6 | 21 | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 21 | НЕ УКАЗАН | 208 Вт | 6 | Не квалифицирован | Р-XUFM-X21 | 70А | 30 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300А | 0,021 Ом | 1500 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 5100пФ при 25 В | 21 мОм при 35 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 200 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10DDAM09T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | SP3 | 25 | 22 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 390 Вт | 2 | 35 нс | 70нс | 125 нс | 95 нс | 139А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,01 Ом | 2 N-канала (двойной) | 9875пФ при 25 В | 10 мОм при 69,5 А, 10 В | 4 В при 2,5 мА | 350 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100А12СТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-aptm100a12stg-datasheets-5032.pdf | SP3 | 9 | 3 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 9 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | Р-XUFM-X9 | 68А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 270А | 0,12 Ом | 2500 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 17400пФ при 25В | 120 мОм при 34 А, 10 В | 5 В при 10 мА | 616 НК @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80H29T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptc80h29t1g-datasheets-5033.pdf | СП1 | 12 | 1 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 156 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 156 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 15А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60А | 0,29 Ом | 670 мДж | 4 N-канала (H-мост) | 2254пФ при 25В | 290 мОм при 7,5 А, 10 В | 3,9 В при 1 мА | 90 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100DDA35T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | SP3 | 25 | 22 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 390 Вт | 2 | 18 нс | 12нс | 40 нс | 155 нс | 22А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 88А | 2 N-канала (двойной) | 5200пФ при 25В | 420 мОм при 11 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 186 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100Х80ФТ1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptm100h80ft1g-datasheets-5040.pdf | СП1 | 12 | 1 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 208 Вт | 4 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 11А | 30 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 68А | 0,96 Ом | 4 N-канала (H-мост) | 3876пФ при 25 В | 960 мОм при 9 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 150 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60AM70T1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptc60am70t1g-datasheets-5042.pdf | СП1 | 12 | 1 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 39А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,07 Ом | 2 Н-канала (полумост) | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100ДУ18ТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptm100du18tg-datasheets-5044.pdf | SP4 | 12 | 4 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 780 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 780 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 43А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | 1000В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3000 мДж | 2 N-канала (двойной) | 10400пФ при 25В | 210 мОм при 21,5 А, 10 В | 5 В @ 5 мА | 372 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DSKM70T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptc60dskm70t3g-datasheets-5046.pdf | SP3 | 25 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 25 | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 39А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 160А | 0,07 Ом | 1800 мДж | 2 N-канала (двойной) | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60DDAM70T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptc60ddam70t3g-datasheets-5048.pdf | SP3 | 25 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 250 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 25 | НЕ УКАЗАН | 250 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 39А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 160А | 0,07 Ом | 1800 мДж | 2 N-канала (двойной) | 7000пФ при 25В | 70 мОм при 39 А, 10 В | 3,9 В @ 2,7 мА | 259 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ100А40ФТ1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | СП1 | 12 | 1 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 390 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 44 нс | 40 нс | 38 нс | 150 нс | 21А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,48 Ом | 2 Н-канала (полумост) | 7868пФ при 25 В | 480 мОм при 18 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 305 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80DSK29T3G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptc80dsk29t3g-datasheets-5053.pdf | SP3 | 25 | 3 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 156 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 25 | НЕ УКАЗАН | 156 Вт | 2 | Не квалифицирован | 15А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 800В | 800В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60А | 670 мДж | 2 N-канала (двойной) | 2254пФ при 25В | 290 мОм при 7,5 А, 10 В | 3,9 В при 1 мА | 90 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM10DHM09TG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm10dhm09tg-datasheets-5057.pdf | SP4 | 14 | 4 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 2 | Не квалифицирован | 139А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,01 Ом | 3000 мДж | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 9875пФ при 25 В | 10 мОм при 69,5 А, 10 В | 4 В при 2,5 мА | 350 НК при 10 В | Стандартный |
