Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIA912DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-sia912djt1ge3-datasheets-5454.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | Без свинца | 6 | Неизвестный | 40МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | 1,9 Вт | 260 | SIA912 | 6 | Двойной | 40 | 1,9 Вт | 2 | 5 нс | 15 нс | 15 нс | 35 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 6,5 Вт | 12 В | 2 N-канала (двойной) | 400пФ при 6В | 1 В | 40 мОм при 4,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 11,5 НК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6928DQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si6928dqt1e3-datasheets-4686.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 35МОм | 8 | Нет | 1 Вт | СИ6928 | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 12 нс | 9нс | 9 нс | 25 нс | 4А | 20 В | 30 В | 1 Вт | 35мОм | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 35 мОм при 4 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4А | 14 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 35 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7756TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | Нет СВХК | 8 | 1 Вт | IRF7756PBF | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 1,4 нФ | -4,3А | 8В | -12В | 12 В | 1 Вт | 40мОм | -12В | 2 P-канала (двойной) | 1400пФ при 10В | -900 мВ | 40 мОм при 4,3 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 4,3А | 18 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 40 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC8208(ТЕ12Л,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/toshiba-tpc8208te12lqm-datasheets-9989.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | 750 мВт | ТПК*208 | 1,5 Вт | 8-СОП (5,5х6,0) | 780пФ | 5нс | 2,7 нс | 5А | 12 В | 20 В | 450мВт | 50мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 780пФ при 10 В | 50 мОм при 2,5 А, 4 В | 1,2 В при 200 мкА | 5А | 9,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 50 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC8211(ТЕ12Л,К,М) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2007 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8-СОП (5,5х6,0) | 30 В | 450мВт | 2 N-канала (двойной) | 1250пФ при 10В | 36 мОм при 3 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 5,5 А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7750TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineontechnologies-irf7750trpbf-datasheets-5545.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3,0988 мм | 1,0414 мм | 4,4958 мм | Нет СВХК | 8 | Нет | 1 Вт | IRF7750PBF | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 1,7 нФ | 15 нс | 54нс | 210 нс | 180 нс | 4,7А | 12 В | -20В | 20 В | -1,2 В | 1 Вт | 55мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1700пФ при 15В | -1,2 В | 30 мОм при 4,7 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 4,7А | 39 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ914ДК-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-sib914dkt1ge3-datasheets-5475.pdf | PowerPAK® SC-75-6L двойной | 1,6 мм | 750 мкм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 95,991485мг | Неизвестный | 113 мОм | 6 | да | EAR99 | Олово | Нет | 3,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИБ914 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 4 нс | 7нс | 7 нс | 22 нс | 1,5 А | 5В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВ | 8В | 2 N-канала (двойной) | 125пФ при 4В | 800 мВ | 113 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 2,6 НК при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50A15FT1G | Корпорация Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microsemicorporation-aptm50a15ft1g-datasheets-5557.pdf | СП1 | 12 | 1 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | 208 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 208 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 25А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Н-канала (полумост) | 5448пФ при 25 В | 180 мОм при 21 А, 10 В | 5 В @ 1 мА | 170 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7958DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7958dpt1e3-datasheets-4780.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 6 | 506,605978мг | Неизвестный | 16,5 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7958 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-XDSO-C6 | 17 нс | 17нс | 17 нс | 66 нс | 11,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 40А | 61 мДж | 40В | 2 N-канала (двойной) | 16,5 мОм при 11,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7,2А | 75 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI7945DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si7945dpt1e3-datasheets-4778.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 6 | Неизвестный | 20МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7945 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C6 | 15 нс | 15 нс | 15 нс | 130 нс | 10,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -3В | 7А | 30А | 30 В | 2 P-канала (двойной) | 20 В | 20 мОм при 10,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7А | 74 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6963BDQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si6963bdqt1e3-datasheets-4674.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | 45мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6963 | 8 | Двойной | 30 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 33 нс | 57нс | 57 нс | 65 нс | -3,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,4А | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 45 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 1,4 В @ 250 мкА | 3,4А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTGD3149CT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntgd3149ct1g-datasheets-5489.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 900мВт | 2 | Не квалифицирован | 5,3 нс | 29,5 нс | 33,3 нс | 3,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | N и P-канал | 387пФ при 10 В | 60 мОм при 3,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 3,2 А 2,4 А | 5,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA911EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sia911edjt1ge3-datasheets-5502.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 2,05 мм | 750 мкм | 2,05 мм | 28,009329мг | 101мОм | 7,8 Вт | SIA911 | 2 | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 32 нс | 70нс | 70 нс | 990 нс | -4,5 А | 8В | 20 В | 7,8 Вт | 192мОм | 2 P-канала (двойной) | 101 мОм при 2,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,5 А | 11 НК при 8 В | Ворота логического уровня | 101 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA917DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sia917djt1ge3-datasheets-5480.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | Без свинца | 6 | Неизвестный | 110мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | 6,5 Вт | 260 | SIA917 | 6 | Двойной | 40 | 2 | Другие транзисторы | 20 нс | 45нс | 10 нс | 15 нс | -4,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 3,3А | 10А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 250пФ при 10В | -1 В | 110 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4,5 А | 9 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTZD3156CT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntzd3156ct1g-datasheets-5412.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 280мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 6,5 нс | 19,5 нс | 29 нс | 540 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 0,55 Ом | 20 В | N и P-канал | 72пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 540 мА 430 мА | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTZD3156CT2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntzd3156ct1g-datasheets-5412.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 280мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 6,5 нс | 6,5 нс | 29 нс | 540 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 0,55 Ом | 20 В | N и P-канал | 72пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 540 мА 430 мА | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100A46FT1G | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptm100a46ft1g-datasheets-5431.pdf | СП1 | 12 | 1 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 357 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 357 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 19А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1000В 1кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Н-канала (полумост) | 6800пФ при 25 В | 552 мОм при 16 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 260 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTZD3156CT5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntzd3156ct1g-datasheets-5412.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 280мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 6,5 нс | 6,5 нс | 29 нс | 540 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 0,55 Ом | 20 В | N и P-канал | 72пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 540 мА 430 мА | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7905DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | 5,01 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si7905dnt1ge3-datasheets-5421.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | Неизвестный | 60мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7905 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C6 | 6 нс | 13нс | 10 нс | 26 нс | -6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 20,8 Вт | 5А | -40В | 2 P-канала (двойной) | 880пФ при 20 В | 60 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А | 30 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||
| SI7948DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si7948dpt1ge3-datasheets-5429.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | 506,605978мг | 8 | 1,4 Вт | СИ7948 | 2 | Двойной | 1,4 Вт | 2 | PowerPAK® SO-8 двойной | 7 нс | 8нс | 8 нс | 15 нс | 4,6А | 20 В | 60В | 1,4 Вт | 75мОм | 60В | 2 N-канала (двойной) | 75 мОм при 4,6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 75 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7940DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si7940dpt1ge3-datasheets-5439.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7940 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C6 | 30 нс | 50 нс | 50 нс | 60 нс | 11,8А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7,6А | 0,017Ом | 12 В | 2 N-канала (двойной) | 17 мОм при 11,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7,6А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7224DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7224dnt1ge3-datasheets-5443.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,3 мм | 1,04 мм | 3,3 мм | 6 | 15 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 23 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7224 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | S-XDSO-C6 | 20 нс | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 17,8 Вт 23 Вт | 6А | 0,035 Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 570пФ при 15В | 35 мОм при 6,5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 14,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2066ЛСД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-dmp2066lsd13-datasheets-5424.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,3 мм | 1,5 мм | 4,1 мм | Без свинца | 8 | 850,995985мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМП2066ЛСД | 8 | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 4,4 нс | 9,9 нс | 23,4 нс | 28 нс | 5,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,04 Ом | 2 P-канала (двойной) | 820пФ при 15 В | 40 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 10,1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA913DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sia913djt1ge3-datasheets-5462.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | Неизвестный | 70мОм | 6 | Нет | 1,9 Вт | SIA913 | Двойной | 1,9 Вт | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 400пФ | 15 нс | 25нс | 10 нс | 20 нс | -4,5 А | 8В | 12 В | -1В | 6,5 Вт | 70мОм | 12 В | 2 P-канала (двойной) | 400пФ при 6В | -1 В | 70 мОм при 3,3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,5 А | 12 НК при 8 В | Стандартный | 70 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA511DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-sia511djt1ge3-datasheets-5472.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 6 | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | 6,5 Вт | SIA511 | 6 | Двойной | 6,5 Вт | 2 | 12нс | 10 нс | 20 нс | 4,5 А | 8В | 12 В | 1В | 12 В | N и P-канал | 400пФ при 6В | 1 В | 40 мОм при 4,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12 НК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5519DU-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si5519dut1ge3-datasheets-5417.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 8 | 2,27 Вт | СИ5519 | 2 | 2,27 Вт | 2 | PowerPAK® ChipFet, двойной | 660пФ | 4,5 нс | 11нс | 8,5 нс | 25 нс | 6А | 12 В | 20 В | 10,4 Вт | 64мОм | N и P-канал | 660пФ при 10 В | 36 мОм при 6,1 А, 4,5 В | 1,8 В @ 250 мкА | 6А | 17,5 НК при 10 В | Стандартный | 36 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120А80ФТ1Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/microsemicorporation-aptm120a80ft1g-datasheets-5487.pdf | СП1 | 12 | 1 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 357 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 357 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 14А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 90А | 0,96 Ом | 2 Н-канала (полумост) | 6696пФ при 25 В | 960 мОм при 12 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 260 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН5Л06ВА-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmn5l06v7-datasheets-5361.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 6 | 3,005049мг | 6 | EAR99 | НИЗКАЯ ЕМКОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 280 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3Ом | 5 пФ | 50В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 3 Ом при 200 мА, 2,7 В | 1,2 В @ 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6000NZ_F077 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdc6000nz-datasheets-0558.pdf | 6-SSOT Плоский вывод, SuperSOT™-6 FLMP | СуперСОТ™-6 ФЛМП | 20 В | 1,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 840пФ при 10 В | 20 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7,3А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDY3001NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdy3001nz-datasheets-5359.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | СОТ-563Ф | 20 В | 446 МВт | 2 N-канала (двойной) | 60пФ при 10В | 5 Ом при 200 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 200 мА | 1,1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня |
