Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СП8М7ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8m7tb-datasheets-0459.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 2 Вт | *M7 | 8-СОП | 230пФ | 7А | 30 В | 2 Вт | N и P-канал | 230пФ при 10В | 51 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 5А 7А | 5,5 нк при 5 В | Ворота логического уровня | 51 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М9ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8m9tb-datasheets-0493.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 2 Вт | *M9 | 8-СОП | 1,19 нФ | 5А | 30 В | 2 Вт | N и P-канал | 1190пФ при 10 В | 18 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 9А 5А | 21 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 18 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К4ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8k4tb-datasheets-0377.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | *К4 | Двойной | 2 Вт | 10 нс | 15 нс | 22 нс | 55 нс | 9А | 20 В | 30 В | 2,5 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 1190пФ при 10 В | 2,5 В | 17 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 21 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD6601NR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntmd6601nr2g-datasheets-6091.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 1,1А | 15 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 пФ | 80В | 2 N-канала (двойной) | 400пФ при 25В | 215 мОм при 2,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М8ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohmsemiconductor-sp8m8tb-datasheets-0488.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 47МОм | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | *M8 | 2 Вт | Другие транзисторы | 25нс | 25 нс | 60 нс | 4,5 А | 20 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 30 В | N и P-канал | 520пФ при 10В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 6А 4,5А | 10,1 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N42FE(TE85L,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshiba-ssm6n42fete85lf-datasheets-0134.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | Нет | 150 мВт | ССМ6Н42 | 800мА | 10 В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 90пФ при 10В | 240 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 2 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL315PL6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/infineontechnologies-bsl315pl6327htsa1-datasheets-6000.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БСЛ315 | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500мВт | 1,5 А | 0,15 Ом | 84 пФ | 2 P-канала (двойной) | 282пФ при 15В | 150 мОм при 1,5 А, 10 В | 2 В при 11 мкА | 1,5 А | 2,3 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9МЖТ-55ПРФ,518 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 20-СО | 55В | 2 N-канала (двойной) | 13,8 мОм при 10 А, 10 В | Ворота логического уровня | 13,8 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL306NL6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-bsl306nl6327htsa1-datasheets-6032.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСЛ306 | 6 | 2 | 4,4 нс | 2,3 нс | 1,4 нс | 8,3 нс | 2,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,057Ом | 17 пФ | 2 N-канала (двойной) | 275пФ при 15В | 57 мОм при 2,3 А, 10 В | 2 В при 11 мкА | 1,6 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСД235К Л6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsd235ch6327xtsa1-datasheets-3204.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | совместимый | 8541.21.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БСД235 | 6 | 40 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 0,5 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500мВт | 0,95 А | 0,35 Ом | N и P-канал | 47пФ при 10 В | 350 мОм при 950 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 1,6 мкА | 950 мА 530 мА | 0,34 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N7002BFE(T5L,F | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 150 мВт | SSM6N7002 | ЭС6 (1,6х1,6) | 17пФ | 200 мА | 60В | 150 мВт | 2 N-канала (двойной) | 17пФ при 25В | 2,1 Ом при 500 мА, 10 В | 3,1 В при 250 мкА | 200 мА | Ворота логического уровня | 2,1 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM120-0075X1-SLSAM | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ixys-gwm1200075x1smd-datasheets-5782.pdf | 17-СМД, плоские выводы | GWM120 | 110А | 75В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 4,9 мОм при 60 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 115 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6N37CTD(TPL3) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 6-SMD, плоские выводы | 140мВт | ССМ6Н37 | 2 | Двойной | 18 нс | 36 нс | 250 мА | 1В | 20 В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 12пФ при 10В | 2,2 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7316QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf7316qtrpbf-datasheets-5252.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | 2 Вт | IRF7316QPBF | 2 Вт | Другие транзисторы | 13 нс | 13нс | 32 нс | 34 нс | -4,9А | 20 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 P-канала (двойной) | 710пФ при 25 В | 58 мОм при 4,9 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 4,9А | 34 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL214NL6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsl214nl6327htsa1-datasheets-5963.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, ПОДДЕРЖИВАЕМЫЙ | Нет | 8541.21.00.95 | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСЛ214 | 6 | 2 | 4,1 нс | 7,6 нс | 1,4 нс | 6,8 нс | 1,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,14 Ом | 9 пФ | 2 N-канала (двойной) | 143пФ при 10 В | 140 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,2 В @ 3,7 мкА | 0,8 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСД235Н Л6327 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsd235nl6327-datasheets-5970.pdf | 6-ВССОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | совместимый | 8541.21.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БСД235 | 6 | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 0,5 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500мВт | 0,95 А | 0,35 Ом | 2 N-канала (двойной) | 63пФ при 10 В | 350 мОм при 950 мА, 4,5 В | 1,2 В @ 1,6 мкА | 950 мА | 0,32 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLUD3191PZTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntlud3191pztbg-datasheets-5881.pdf | 6-УФДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 500мВт | 2 | Не квалифицирован | 24 нс | 62 нс | 68 нс | -1А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1А | 0,25 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 160пФ при 10В | 250 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,1А | 3,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL316CL6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsl316cl6327htsa1-datasheets-5992.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | неизвестный | 8541.21.00.95 | 500мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БСЛ316 | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | 1,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 А | 7 пФ | N и P-канал | 94пФ при 15В | 160 мОм при 1,4 А, 10 В | 2 В при 3,7 мкА | 1,4 А 1,5 А | 0,6 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL215PL6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/infineontechnologies-bsl215pl6327htsa1-datasheets-6007.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БСЛ215 | 6 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500мВт | 1,5 А | 0,15 Ом | 128 пФ | 2 P-канала (двойной) | 346пФ при 15 В | 150 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,2 В @ 11 мкА | 1,5 А | 3,55 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К1ФУ6ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8k1tb-datasheets-0423.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 40 недель | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | *К1 | 2 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 8нс | 5 нс | 22 нс | 5А | 20 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 230пФ при 10В | 51 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 5,5 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО330Н02КГФУМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-bso330n02kgfuma1-datasheets-6024.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БСО330Н02 | 8 | НЕ УКАЗАН | 2,5 Вт | 2 | Не квалифицирован | 7,4 нс | 16,8 нс | 2,8 нс | 13,4 нс | 5,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,03 Ом | 19 мДж | 2 N-канала (двойной) | 730пФ при 10 В | 30 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,2 В @ 20 мкА | 4,9 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL205NL6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/infineontechnologies-bsl205nl6327htsa1-datasheets-5976.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | 500мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | БСЛ205 | 6 | 500мВт | 2 | 5,8 нс | 2,9 нс | 2,4 нс | 11 нс | 2,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,05 Ом | 2 N-канала (двойной) | 419пФ при 10 В | 50 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,2 В @ 11 мкА | 3,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLTD7900ZR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntltd7900zr2g-datasheets-5815.pdf | 20 В | 9А | 8-ВДФН Открытая площадка | Без свинца | 8 | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ЭСР ЗАЩИТА | е3 | Олово (Вс) | 1,5 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | NTLTD7900Z | 8 | 40 | 1,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 1,17 нс | 1,17 нс | 1,87 нс | 6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 30А | 0,026Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 15пФ при 16В | 26 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 18 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8651R-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ech8651rtlh-datasheets-5811.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 8 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | 1,4 Вт | ECH8651R | 8 | Двойной | 1,4 Вт | 2 | 300 нс | 1 мкс | 2,5 мкс | 4 мкс | 10А | 12 В | 24В | 1,5 Вт | 24В | 2 N-канала (двойной) | 14 мОм при 5 А, 4,5 В | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM160-0055X1-SLSAM | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ixys-gwm1600055x1sl-datasheets-5784.pdf | 17-СМД, плоские выводы | GWM160 | 150А | 55В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 3,3 мОм при 100 А, 10 В | 4,5 В при 1 мА | 105 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD2102PT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-nthd2102pt1-datasheets-0318.pdf | -8В | -3,4А | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 8 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | NTHD2102P | 8 | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 20 нс | 20 нс | 20 нс | 4,6А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -8В | 2 P-канала (двойной) | 715пФ при 6,4 В | 58 мОм при 3,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,4А | 16 НК при 2,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЛГД3502НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntlgd3502nt2g-datasheets-4872.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,74 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | НТЛГД3502Н | 6 | Двойной | 40 | 1,74 Вт | 2 | Не квалифицирован | 17,5 нс | 17,5 нс | 8,6 нс | 3,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,3А | 17,2А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 480пФ при 10В | 60 мОм при 4,3 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 4,3 А 3,6 А | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7540DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7540dpt1e3-datasheets-4748.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 506,605978мг | Нет СВХК | 32мОм | 8 | Нет | 1,4 Вт | СИ7540 | 2 | Одинокий | 1,4 Вт | 1 | PowerPAK® SO-8 двойной | 35 нс | 42нс | 42 нс | 54 нс | 7,6А | 8В | 12 В | 600мВ | 1,4 Вт | 26мОм | N и P-канал | 17 мОм при 11,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7,6 А 5,7 А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 17 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM100-01X1-СМД | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ixys-gwm10001x1sl-datasheets-5730.pdf | 17-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 17 | 8,5 МОм | EAR99 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | ГВМ100 | 17 | НЕ УКАЗАН | 6 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G17 | 290 нс | 90А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100 В | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 8,5 мОм при 80 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 90 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7351PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-irf7351trpbf-datasheets-6966.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 15 недель | Нет СВХК | 8 | Нет | 2 Вт | IRF7351PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | 8-СО | 1,33 нФ | 5,1 нс | 5,9 нс | 6,7 нс | 17 нс | 8А | 20 В | 60В | 4В | 2 Вт | 30 нс | 17,8 мОм | 60В | 2 N-канала (двойной) | 1330пФ при 30В | 4 В | 17,8 мОм при 8 А, 10 В | 4 В @ 50 мкА | 8А | 36 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 17,8 мОм |
