Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИПГ20Н04С412АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-ipg20n04s412atma1-datasheets-9386.pdf | 8-PowerVDFN | 5,15 мм | 1 мм | 6,15 мм | 12 недель | 8 | Без галогенов | 41 Вт | Двойной | 41 Вт | ПГ-ТДСОН-8-4 | 1,13 нФ | 9 нс | 2нс | 8 нс | 10 нс | 20А | 20 В | 40В | 40В | 41 Вт | 12,2 мОм | 40В | 2 N-канала (двойной) | 1470пФ при 25В | 12,2 мОм при 17 А, 10 В | 4 В @ 15 мкА | 20А | 18 НК @ 10 В | Стандартный | 12,2 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К35-60Э,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-buk9k3560e115-datasheets-9343.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | Нет | е3 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | 38 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Двойной | 38 Вт | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 20,5 нс | 3,7 нс | 10 нс | 3,9 нс | 22А | 10 В | 60В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 90А | 0,035 Ом | 19,5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1081пФ при 25В | 32 мОм при 5 А, 10 В | 2,1 В @ 1 мА | 14,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН3022ЛДГ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn3022ldg7-datasheets-9405.pdf | 8-PowerLDFN | 21 неделя | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30В | 1,96 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 481пФ при 15В 996пФ при 15В | 22 мОм при 10 А, 5 В, 8 м Ом при 10 А, 5 В | 2,1 В при 250 мкА, 1,2 В при 250 мкА | 7,6 А Та 15 А Тс | 3,7 нк при 4,5 В, 8 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C478NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nvmfd5c478nt1g-datasheets-3956.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,1 Вт Та 23 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 325пФ при 25В | 17 мОм при 7,5 А, 10 В | 3,5 В при 20 мкА | 9,8 А Та 27 А Цс | 6,3 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6812 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 18 недель | 4,1 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 27А | Одинокий | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,1 Вт | 28А | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1720пФ при 15В | 4 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 34 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН13М9UCA6-7 | Диодс Инкорпорейтед | 0,88 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmn13m9uca67-datasheets-9420.pdf | 6-СМД, без свинца | 18 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2,67 Вт | 2 N-канала (двойной) | 3315пФ при 6В | 1,3 В при 1 мА | 56,5 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5877NLWFT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5877nlt1g-datasheets-4039.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 | 13 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 3,2 Вт | ПЛОСКИЙ | 8 | Двойной | 3,2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 4,9 нс | 6,4 нс | 2,4 нс | 14,5 нс | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 74А | 0,06 Ом | 40 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 540пФ при 25В | 39 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3022LFG-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn3022lfg13-datasheets-9376.pdf | 8-PowerLDFN | 21 неделя | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30В | 1,96 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 481пФ при 15В 996пФ при 15В | 22 мОм при 10 А, 5 В, 8 м Ом при 10 А, 5 В | 2,1 В при 250 мкА, 1,2 В при 250 мкА | 7,6 А Та 15 А Тс | 3,7 нк при 4,5 В, 8 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5875НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5875nlt1g-datasheets-0265.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 13 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 6 дней назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 3,2 Вт | 7А | 60В | 3,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 540пФ при 25В | 33 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФД4К20НТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ntmfd4c20nt1g-datasheets-4111.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 17 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 1,15 Вт | 8 | 13,7А | 20 В | 30В | 1,09 Вт 1,15 Вт | 2 N-канала (двойной) | 970пФ при 15В | 7,3 мОм при 10 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 9,1А 13,7А | 9,3 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6996 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 3,1 Вт | 8-ДФН-ЭП (5х6) | 820пФ | 60А | 30В | 3,1 Вт | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 820пФ при 15 В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 50А 60А | 13 НК при 10 В | Стандартный | 5,2 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVLJD4007NZTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvljd4007nztag-datasheets-8476.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | Без свинца | 2 недели | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 755 МВт | 6 | Двойной | 755 МВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 41нс | 72 нс | 96 нс | 245 мА | 10 В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 20пФ при 5В | 7 Ом @ 125 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 100 мкА | 0,75 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М12ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 4,5 А | 30В | N и P-канал | 250пФ при 10В | 42 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 5А 4,5А | 4 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ47М2ЛДВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmt47m2ldv13-datasheets-9337.pdf | 8-PowerVDFN | 22 недели | е3 | Матовый олово (Sn) | 40В | 2,34 Вт Ta 14,8 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 891пФ при 20 В | 10,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 11,9 А Та 30,2 А Тс | 14 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6980 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СРФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8 | 4,1 Вт | 8-ДФН (5х6) | 1,095 нФ | 27А | 30В | 3,5 Вт 4,1 Вт | 2 Н-канала (полумост) | 1095пФ при 15В | 6,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18А 27А | 22 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 6,8 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC6890NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmc6890nz-datasheets-9371.pdf | 20 В | 4А | 6-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 750 мкм | 3 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 165,33333мг | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,92 Вт | Двойной | 1,92 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 4 нс | 12нс | 12 нс | 7 нс | 4А | 12 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,92 Вт 1,78 Вт | 4А | 10А | 0,15 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 270пФ при 10В | 68 мОм при 4 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 3,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC4040SSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 15 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 17,2 Вт | 5,7А | 0,04 Ом | Дополняющие N и P-каналы | 1790пФ при 20В | 25 мОм при 3 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 7,5 А Та | 16 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3022LFG-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn3022lfg13-datasheets-9376.pdf | 8-PowerLDFN | 21 неделя | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30В | 1,96 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 481пФ при 15В 996пФ при 15В | 22 мОм при 10 А, 5 В, 8 м Ом при 10 А, 5 В | 2,1 В при 250 мкА, 1,2 В при 250 мкА | 7,6 А Та 15 А Тс | 3,7 нк при 4,5 В, 8 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ16Н10С461ААТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-ipg16n10s461aatma1-datasheets-9322.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 8 | 12 недель | 8 | да | не_совместимо | Без галогенов | 29 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 16А | 100 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 64А | 0,061 Ом | 33 мДж | 2 N-канала (двойной) | 490пФ при 25В | 61 мОм при 16 А, 10 В | 3,5 В @ 9 мкА | 7 нк @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH6065SPDW-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmnh6065spdw13-datasheets-9336.pdf | 8-PowerTDFN | 23 недели | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 60В | 2,4 Вт Та 68 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 466пФ при 25 В | 65 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 27А ТЦ | 9,5 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ47М2ЛДВ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmt47m2ldv13-datasheets-9337.pdf | 8-PowerVDFN | 22 недели | е3 | Матовый олово (Sn) | 40В | 2,34 Вт Ta 14,8 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 891пФ при 20 В | 10,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 11,9 А Та 30,2 А Тс | 14 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТХ6016ЛСД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmth6016lsd13-datasheets-9338.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 N-канала (двойной) | 864пФ при 30 В | 19,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 7,6А Та | 17 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТХ6016ЛПД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 19 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 2,5 Вт Ta 37,5 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 864пФ при 30 В | 19 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9,2 А Та 33,2 А Тс | 17 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC4C012NLTDG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/onsemiconductor-efc4c012nltdg-datasheets-9348.pdf | 6-СМД, без свинца | 7 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 2,5 Вт Та | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 2,2 В при 1 мА | 18 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5877НЛТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-nvmfd5877nlt1g-datasheets-4039.pdf | 8-PowerTDFN | 6,1 мм | 1,05 мм | 5,1 мм | Без свинца | 6 | 13 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 10 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 3,2 Вт | ПЛОСКИЙ | 8 | Двойной | 23 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 8,1 нс | 14,5 нс | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 74А | 0,06 Ом | 10,5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 540пФ при 25В | 39 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6926 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon6926-datasheets-0722.pdf | 8-PowerVDFN | 18 недель | 8 | 2,1 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 12А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 Вт 2,1 Вт | 50А | 2 Н-канала (полумост) | 1380пФ при 15В | 11 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 11А 12А | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTTFS5C478NLTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nttfs5c478nltag-datasheets-9297.pdf | 18 недель | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH4015SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmnh4015ssd13-datasheets-9300.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 N-канала (двойной) | 1938пФ при 15В | 15 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11А Та | 15 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH6022SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmnh6022ssd13-datasheets-9302.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 18 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г8 | 22,6А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7.1А | 45А | 0,03 Ом | 24 мДж | 2 N-канала (двойной) | 2127пФ при 25 В | 27 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7,1 А 22,6 А | 32 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОД607А | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 18 недель | 30В | 19 Вт Тк 30 Вт Тк | Дополняющие N и P-каналы | 395пФ при 15В 730пФ при 15В | 25 мОм при 8 А, 10 В, 27 м Ом при 12 А, 10 В | 2,6 В при 250 мкА, 2,4 В при 250 мкА | 8А Тк 12А Тк | 7 нк при 4,5 В, 12 нк при 4,5 В | Стандартный |
