Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АОЭ6932 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-ВДФН Открытая площадка | 8 | 18 недель | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Н8 | КРЕМНИЙ | СЕРИЯ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 24 Вт 52 Вт | 55А | 120А | 0,008 Ом | 18 мДж | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1150пФ при 15В 4180пФ при 15В | 5 м Ом при 20 А, 10 В, 1,4 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА, 1,9 В при 250 мкА | 55А Ц 85А Ц | 15 нк при 4,5 В, 50 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФД4902НФТ3Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfd4902nft1g-datasheets-4144.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 8 | 7 недель | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 1,16 Вт | ПЛОСКИЙ | 10 | 2 | 13,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЕРИЯ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 Вт 1,16 Вт | 13,5А | 60А | 0,01 Ом | 2 N-канальных (двойной), Шоттки | 1150пФ при 15В | 6,5 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 10,3 А 13,3 А | 9,7 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н10С436ААТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipg20n10s436aatma1-datasheets-9603.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 6 | 12 недель | 8 | да | не_совместимо | Без галогенов | 43 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 3 нс | 1нс | 4 нс | 20А | 20 В | 100 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 43 Вт | 0,036Ом | 60 мДж | 2 N-канала (двойной) | 990пФ при 25 В | 36 мОм при 17 А, 10 В | 3,5 В @ 16 мкА | 15 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМД4Н03Р2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntmd4n03r2g-datasheets-3741.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 26 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2 Вт | НЕ УКАЗАН | 8 | Двойной | НЕ УКАЗАН | Полномочия общего назначения FET | 7 нс | 14нс | 10 нс | 16 нс | 4А | 20 В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 2 N-канала (двойной) | 400пФ при 20В | 60 мОм при 4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3948DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si3948dvt1e3-datasheets-4388.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 21 неделя | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3948 | 6 | Двойной | 30 | 1,15 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 7 нс | 5 нс | 13 нс | 2,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,105 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 105 мОм при 2,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 3,2 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4505DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4505dyt1e3-datasheets-9597.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 21 неделя | 1,2 Вт | 8-СО | 3,8А | 8В | 30В 8В | 1,2 Вт | 42мОм | N и P-канал | 18 мОм при 7,8 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 6А 3,8А | 20 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 18 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJB60EP-T2_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqjb60ept1ge3-datasheets-4698.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 14 недель | PowerPAK® SO-8 двойной | 60В | 48 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 1600пФ при 25В | 12 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 30А Ц | 30 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СУД50НП04-77П-Т4Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sud50np0477pt4e3-datasheets-9626.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | Без свинца | 2 | 6 недель | 37мОм | 4 | да | EAR99 | Нет | е3 | Matte Tin (Sn) – с никелевым (Ni) барьером | 24 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3 | Двойной | 40 | 10,8 Вт | 2 | Другие транзисторы | 14нс | 10 нс | 36 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10,8 Вт 24 Вт | 8А | 35А | 40В | N и P-каналы, общий сток | 640пФ при 20В | 37 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 20 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН3012ЛДГ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn3012ldg13-datasheets-9627.pdf | 8-PowerLDFN | 22 недели | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30В | 2,2 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 850пФ при 15В 1480пФ при 15В | 12 мОм при 15 А, 5 В, 6 м Ом при 15 А, 5 В | 2,1 В при 250 мкА, 1,15 В при 250 мкА | 10А Та 20А Ц | 6,1 нк при 4,5 В, 12,6 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН3012ЛЕГ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn3012leg7-datasheets-9628.pdf | 8-PowerLDFN | 21 неделя | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 30В | 2,2 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 850пФ 1480пФ при 15В | 12 мОм при 15 А, 5 В, 6 м Ом при 15 А, 5 В | 2,1 В при 250 мкА, 1,15 В при 250 мкА | 10А Та 20А Ц | 6,1 нк, 12,6 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М14ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 17 недель | 2 Вт | 7А | 30В | N и P-канал | 630пФ при 10 В | 21 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 9А 7А | 8,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPG20N04S4L08AATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/infineontechnologies-ipg20n04s4l08aatma1-datasheets-9577.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 8 | 12 недель | 8 | да | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | не_совместимо | Без галогенов | 54 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 20А | 40В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 145 мДж | 2 N-канала (двойной) | 3050пФ при 25В | 8,2 мОм при 17 А, 10 В | 2,2 В @ 22 мкА | 39 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMHC4035LSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/diodesincorporated-dmhc4035lsdq13-datasheets-9582.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 23 недели | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 1,5 Вт Та | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 574пФ при 20В 587пФ при 20В | 45 мОм при 3,9 А, 10 В, 65 м Ом при 4,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,5 А Та 3,7 А Та | 5,9 нк при 4,5 В, 5,4 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С4Л14ААТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipg20n06s4l14aatma1-datasheets-9584.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 8 | 12 недель | 8 | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 50 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 20А | 60В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0137Ом | 90 мДж | 2 N-канала (двойной) | 2890пФ при 25 В | 13,7 мОм при 17 А, 10 В | 2,2 В @ 20 мкА | 39 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH6042SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmnh6042ssd13-datasheets-9590.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 18 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 2,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 584пФ при 25В | 50 мОм при 5,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16,7 А Тс | 4,2 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRL6297SDTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-irl6297sdtrpbf-datasheets-9407.pdf | DirectFET™ Изометрический SA | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | 1,7 Вт | 1,7 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 15А | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВ | 2 N-канала (двойной) | 2245пФ при 10 В | 4,9 мОм при 15 А, 4,5 В | 1,1 В @ 35 мкА | 54 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4505DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4505dyt1e3-datasheets-9597.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 21 неделя | 8 | да | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 3,8А | 8В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 8В | N и P-канал | 18 мОм при 7,8 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 6А 3,8А | 20 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4276DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4276dyt1e3-datasheets-9545.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 2,8 Вт | СИ4276 | 8-СО | 1нФ | 8А | 30В | 3,6 Вт 2,8 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1000пФ при 15В | 15,3 мОм при 9,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 15,3 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4214DDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4214ddyt1ge3-datasheets-6200.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 14 недель | 19,5 мОм | 3,1 Вт | 8-СО | 660пФ | 8,5 А | 30В | 3,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 15В | 19,5 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8,5 А | 22 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 19,5 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С2Л50АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/infineontechnologies-ipg20n06s2l50atma1-datasheets-9550.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 10 недель | 8 | EAR99 | АЭК-Q101 | Без галогенов | 51 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | *PG20N06 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф | 2 нс | 3нс | 10 нс | 15 нс | 20А | 20 В | 55В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 51 Вт | 0,05 Ом | 60 мДж | 2 N-канала (двойной) | 560пФ при 25В | 50 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 19 мкА | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С4Л14АТМА2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-ipg20n06s4l14atma2-datasheets-9557.pdf | 8-PowerVDFN | 5,15 мм | 1 мм | 6,15 мм | 8 | 12 недель | 8 | да | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | не_совместимо | Без галогенов | 50 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 2 | 175°С | 8 нс | 2нс | 15 нс | 40 нс | 20А | 16 В | 60В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0137Ом | 90 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 2890пФ при 25 В | 13,7 мОм при 17 А, 10 В | 2,2 В @ 20 мкА | 39 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8К2ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-sh8k2tb1-datasheets-9490.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 | 2 Вт | *К2 | 2 Вт | 6А | 30В | 30В | 2 N-канала (двойной) | 520пФ при 10В | 30 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 10,1 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH6021SPDW-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmnh6021spdw13-datasheets-9565.pdf | 8-PowerTDFN | 18 недель | 60В | 1,5 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 1143пФ при 25 В | 25 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,2А Та 32А Ц | 20,1 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8К31ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/rohmsemiconductor-sp8k31tb1-datasheets-9510.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 20 недель | 2 Вт | *К31 | 8-СОП | 250пФ | 3,5 А | 60В | 2 Вт | 150МОм | 2 N-канала (двойной) | 250пФ при 10В | 120 мОм при 3,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3,5 А | 5,2 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 120 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФД5К466НТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 48 недель | да | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н10С4Л35ААТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-ipg20n10s4l35aatma1-datasheets-9516.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 6 | 12 недель | 8 | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 43 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 20А | 100 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,035 Ом | 60 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1105пФ при 25В | 35 мОм при 17 А, 10 В | 2,1 В @ 16 мкА | 17,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC8408,LQ(S | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 8 | Нет | 1,5 Вт | 2 | 5,3А | 20 В | 40В | 450мВт | N и P-канал | 850пФ при 10 В | 32 мОм при 3,1 А, 10 В | 2,3 В @ 100 мкА | 6,1 А 5,3 А | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMTH6016LPDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 19 недель | 60В | 2,5 Вт Ta 37,5 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 864пФ при 30 В | 19 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 9,2 А Та 33,2 А Тс | 17 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С2Л50ААТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-ipg20n06s2l50aatma1-datasheets-9570.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 10 недель | 8 | Без галогенов | 51 Вт | Двойной | ПГ-ТДСОН-8-10 | 560пФ | 3нс | 10 нс | 15 нс | 20А | 20 В | 55В | 55В | 51 Вт | 50мОм | 55В | 2 N-канала (двойной) | 560пФ при 25В | 50 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 19 мкА | 20А | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 50 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMHT3006LFJ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 12-PowerVDFN | 23 недели | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 260 | 30 | 30В | 1,3 Вт Та | 4 N-канала (H-мост) | 1171пФ при 15 В | 10 мОм при 10 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13А Та | 17 НК при 10 В | Стандартный |
