Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФДМД8580 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerWDFN | 12 недель | 94,85095мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 2,3 Вт | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 82А | 80В | 2 N-канала (двойной) | 5875пФ при 40 В | 4,6 мОм при 16 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 16А Та 82А Ц | 80 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMFD5C462NLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 | /files/onsemiconductor-ntmfd5c462nlt1g-datasheets-0102.pdf | 48 недель | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7962DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7962dpt1e3-datasheets-0110.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | 13 недель | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7962 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-С6 | 15 нс | 15 нс | 55 нс | 11,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7.1А | 0,017Ом | 40В | 2 N-канала (двойной) | 17 мОм при 11,1 А, 10 В | 4,5 В @ 250 мкА | 7.1А | 70 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМД8260ЛЕТ60 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmd8260let60-datasheets-0082.pdf | 12-PowerWDFN | 12 недель | 82,3188 мг | 12 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 1,1 Вт | 260 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 15А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 5245пФ при 30 В | 5,8 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 68 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMD8440L | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdmd8440l-datasheets-0123.pdf | 8-PowerWDFN | 12 недель | 153,4014 мг | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 40В | 2,1 Вт Та 33 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 4150пФ при 20 В | 2,6 мОм при 21 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 21А Та 87А Ц | 62 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМД82100 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdmd82100-datasheets-9993.pdf | 12-PowerWDFN | 12 | 12 недель | 82,3188 мг | 12 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 9,4 нс | 3,2 нс | 3,3 нс | 15 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 0,019 Ом | 15 пФ | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 1070пФ при 50В | 19 мОм при 7 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 17 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HTMN5130SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-htmn5130ssd13-datasheets-9999.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 21 неделя | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,7 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | 3 нс | 2,5 нс | 6,1 нс | 13,5 нс | 2,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8А | 0,13 Ом | 2 N-канала (двойной) | 218,7 пФ при 25 В | 130 мОм при 3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8,9 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5483NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5483nlwft3g-datasheets-9880.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 13 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3,1 Вт | 8 | 2 | Двойной | 6,8 нс | 10,3 нс | 23,5 нс | 37,5 нс | 24А | 20 В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 668пФ при 25 В | 36 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 6,4А | 23,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8J66TB1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | *J66 | 9А | 30В | 2 P-канала (двойной) | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMD8260L | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdmd8260l-datasheets-0031.pdf | 12-PowerWDFN | 800 мкм | 12 недель | 82,3188 мг | 12 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | 260 | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1 Вт | Мощность полевого транзистора общего назначения | 150°С | 12 нс | 47 нс | 15А | 20 В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 64А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 5245пФ при 30 В | 5,8 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 68 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М51ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/rohm-sp8m51tb1-datasheets-0956.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 26 недель | 8 | EAR99 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | *M51 | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 2 | 2,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 12А | 0,19 Ом | 100 В | N и P-канал | 3А 2,5А | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8900EDB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si8900edbt2e1-datasheets-0037.pdf | 10-УФБГА, КСПБГА | 10 | 13 недель | 40мОм | 10 | да | EAR99 | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1 Вт | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | СИ8900 | 10 | Двойной | 40 | 1 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 4,5 мкс | 4,5 мкс | 55 мкс | 7А | 12 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5,4А | 24мОм | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1 В @ 1,1 мА | 5,4А | Ворота логического уровня | 24 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRF7316QTR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-auirf7316qtr-datasheets-9942.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 8 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 13 нс | 13нс | 32 нс | 34 нс | -4,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 30А | 140 мДж | -30В | 2 P-канала (двойной) | 710пФ при 25 В | 58 мОм при 4,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 34 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDPC8014AS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdpc8014as-datasheets-0021.pdf | 8-PowerWDFN | 23 недели | 207,7333мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 2,3 Вт | 260 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 40А | 25 В | 2,1 Вт 2,3 Вт | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 2375пФ при 13В | 3,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20А 40А | 35 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5873NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5873nlt1g-datasheets-5808.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 | 13 недель | 37,393021мг | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101 | Без галогенов | ДА | 3,1 Вт | ПЛОСКИЙ | 8 | Двойной | 3,1 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 10А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 190А | 0,013Ом | 40 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 1560пФ при 25В | 13 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 30,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC6321T-V/9U | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~175°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-tc6321tv9u-datasheets-9933.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 8 | 7 недель | ТС 16949 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 2 | Р-ПДСО-Н8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 200В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7Ом | N и P-канал | 110пФ при 25В 200пФ при 25В | 7 Ом при 1 А, 10 В, 8 Ом при 1 А, 10 В | 2 В при 1 мА, 2,4 В при 1 мА | 2А Та | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD6H840NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-nvmfd6h840nlt1g-datasheets-0561.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | да | 80В | 2 N-канала (двойной) | 2002пФ при 40В | 6,9 мОм при 20 А, 10 В | 2 В при 96 мкА | 14А Та 74А Ц | 32 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C446NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nvmfd5c446nt1g-datasheets-5140.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,2 Вт Та 89 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 2450пФ при 25В | 2,9 мОм при 30 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 24А Та 127А Ц | 38 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3606АС | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms3606as-datasheets-9924.pdf | 8-PowerTDFN | 5 мм | 1,05 мм | 6 мм | 7 | 18 недель | 90мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | КВАД | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-PQFP-N7 | 5,5 нс | 3,4 нс | 36 нс | 27А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 1,3А | 75 пФ | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1695пФ при 15В | 8 мОм при 13 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 13А 27А | 29 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОЭ6936 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | 0,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-ВДФН Открытая площадка | 18 недель | 8-ДФН (5х6) | 30В | 24 Вт 39 Вт | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1150пФ при 15В 2270пФ при 15В | 5 мОм при 20 А, 10 В, 2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА, 2,1 В при 250 мкА | 55А Ц 85А Ц | 15 нк при 4,5 В, 25 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8К15ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | 9А | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 10 В | 21 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 8,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8J65TB1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 Вт | *J65 | 7А | 30В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1200пФ при 10В | 29 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 18 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSG0813NDIATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~155°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-bsg0813ndiatma1-datasheets-9911.pdf | 8-PowerTDFN | Содержит свинец | 7 | 26 недель | 8 | да | EAR99 | Олово | не_совместимо | е3 | Без галогенов | 2,5 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Н7 | 33А | 16 В | 25 В | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 Вт | 19А | 160А | 0,004 Ом | 30 мДж | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1100пФ при 12В | 3 м Ом при 20 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 19А 33А | 8,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7946ADP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/vishaysiliconix-si7946adpt1ge3-datasheets-9918.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 14 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 150 В | 19,8 Вт | 2 N-канала (двойной) | 230пФ при 75В | 186 мОм при 3 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 7,7 А Тс | 6,5 нк @ 7,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5483НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5483nlwft3g-datasheets-9880.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 6 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 3,1 Вт | 8 | Двойной | 3,1 Вт | 2 | 6,8 нс | 10,3 нс | 23,5 нс | 37,5 нс | 6,4А | 20 В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 668пФ при 25 В | 36 мОм при 15 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 23,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLLD4951NFTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-ntlld4951nftwg-datasheets-9921.pdf | 8-PowerWDFN | 10 недель | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 810мВт | Полномочия общего назначения FET | 6,3А | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800 МВт 810 МВт | 13А | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 605пФ при 15В | 17,4 мОм при 9 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5,5 А 6,3 А | 12 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СП8М10ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rohmsemiconductor-sp8m10fu6tb-datasheets-6103.pdf | 7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *М10 | 8 | 10 | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 25нс | 4,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 0,037Ом | N и P-канал | 600пФ при 10В | 25 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В @ 1 мА | 7А 4,5А | 8,4 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4808DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si4808dyt1e3-datasheets-9830.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 6 недель | 22мОм | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Чистая матовая банка | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 5,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30В | 2 N-канала (двойной) | 22 мОм при 7,5 А, 10 В | 800 мВ при 250 мкА (мин) | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AUIRFN8458TR | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-auirfn8458tr-datasheets-9860.pdf | 8-PowerTDFN | 11 недель | 8мОм | 8 | Олово | 34 Вт | 2 | Двойной | ПКФН (5х6) | 9,7 нс | 71нс | 19 нс | 11 нс | 43А | 20 В | 40В | 34 Вт Тс | 10мОм | 2 N-канала (двойной) | 1060пФ при 25В | 10 мОм при 26 А, 10 В | 3,9 В @ 25 мкА | 43А Тц | 33 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS7700S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms7700s-datasheets-9936.pdf | 8-PowerWDFN | 5 мм | 800 мкм | 6 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 211мг | Нет СВХК | 7,5 МОм | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 1 Вт | 2 | Двойной | 1 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 150°С | Р-ПДСО-Н6 | 9,2 нс | 6,8 нс | 58 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 40А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1750пФ при 15В | 1,8 В | 7,5 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А 22А | 28 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
