Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДМФ6050SPDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmph6050spdq13-datasheets-9532.pdf | 8-PowerTDFN | 17 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 P-канала (двойной) | 1525пФ при 30В | 48 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 26А Тк | 14,5 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMP6A16DN8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmp6a16dn8tc-datasheets-9534.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 17 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 2,9 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,25 Вт | 18,3А | 0,085Ом | 2 P-канала (двойной) | 1021пФ при 30 В | 85 мОм при 2,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 24,2 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPG20N04S412AATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipg20n04s412aatma1-datasheets-9540.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 12 недель | 8 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 41 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20А | 40В | 40В | 2 N-канала (двойной) | 1470пФ при 25В | 12,2 мОм при 17 А, 10 В | 4 В @ 15 мкА | 18 НК @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4276DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4276dyt1e3-datasheets-9545.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 2,8 Вт | СИ4276 | 8-СО | 1нФ | 8А | 30В | 3,6 Вт 2,8 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1000пФ при 15В | 15,3 мОм при 9,5 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8А | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 15,3 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4214DDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4214ddyt1ge3-datasheets-6200.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 14 недель | 19,5 мОм | 3,1 Вт | 8-СО | 660пФ | 8,5 А | 30В | 3,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 15В | 19,5 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 8,5 А | 22 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 19,5 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С2Л50АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/infineontechnologies-ipg20n06s2l50atma1-datasheets-9550.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 10 недель | 8 | EAR99 | АЭК-Q101 | Без галогенов | 51 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | *PG20N06 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф | 2 нс | 3нс | 10 нс | 15 нс | 20А | 20 В | 55В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 51 Вт | 0,05 Ом | 60 мДж | 2 N-канала (двойной) | 560пФ при 25В | 50 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 19 мкА | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC8223-H,LQ(S | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 8 | Нет | 2,1 нс | 2,5 нс | 9А | 20 В | 30В | 450мВт | 2 N-канала (двойной) | 1190пФ при 10 В | 17 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,3 В @ 100 мкА | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LN60A01ES-LF-Z | Монолитные энергосистемы (МПС) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/monolithicpowersystemsinc-ln60a01eslfz-datasheets-9498.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 3 | Р-ПДСО-Г8 | 80 мА | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ВЕНТИЛЬ, 3 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 600В | 600В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,3 Вт | МС-012АА | 0,08А | 3 N-канала, общая вентиляция | 190 Ом при 10 мА, 10 В | 1,2 В @ 250 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТХ4014LPDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 19 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 2,41 Вт Ta 42,8 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 733пФ при 20 В | 15 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10,6 А Та 43,6 А Тс | 10,2 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ910AEP-T2_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj910aept1ge3-datasheets-0857.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | PowerPAK® SO-8 двойной | 30В | 48 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 1869 пФ при 15 В | 7 МОм при 12 А, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 30А Ц | 39 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ47М2ЛДВК-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-dmt47m2ldvq13-datasheets-9451.pdf | 8-PowerVDFN | 22 недели | е3 | Матовый олово (Sn) | 40В | 2,34 Вт Ta 14,8 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 891пФ при 20 В | 10,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 11,9 А Та 30,2 А Тс | 14 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH6035SPDW-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmnh6035spdw13-datasheets-9509.pdf | 8-PowerTDFN | 24 недели | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 60В | 2,4 Вт Та 68 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 879пФ при 25 В | 35 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 33А Тк | 16 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМФ6050СПД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmph6050spd13-datasheets-9452.pdf | 8-PowerTDFN | 17 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 P-канала (двойной) | 1525пФ при 30В | 48 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 26А Тк | 14,5 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЛУД3А50ПЗТБГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ntlud3a50pztag-datasheets-5173.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | Без свинца | 6 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 500мВт | 6 | Двойной | Другие транзисторы | 2,8А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,4А | 2 P-канала (двойной) | 920пФ при 15 В | 50 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 10,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH6065SPDWQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmnh6065spdwq13-datasheets-9466.pdf | 8-PowerTDFN | 23 недели | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 60В | 2,4 Вт Та 68 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 466пФ при 25 В | 65 мОм при 15 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 27А ТЦ | 9,5 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ47М2ЛДВК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmt47m2ldvq13-datasheets-9451.pdf | 8-PowerVDFN | 22 недели | е3 | Матовый олово (Sn) | 40В | 2,34 Вт Ta 14,8 Вт Tc | 2 N-канала (двойной) | 891пФ при 20 В | 10,8 мОм при 20 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 11,9 А Та 30,2 А Тс | 14 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMP6A16DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-zxmp6a16dn8ta-datasheets-9454.pdf | -60В | -3,7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 85мОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2,15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2,15 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3,5 нс | 4,1 нс | 10 нс | 35 нс | 3,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 P-канала (двойной) | 1021пФ при 30 В | 85 мОм при 2,9 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 3,9А Та | 12,1 нк при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТМФД6Х852НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-ntmfd6h852nlt1g-datasheets-9475.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 80В | 250мВт Та | 2 N-канала (двойной) | 26пФ при 20В | 1,6 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 295 мА | 5нК при 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C478NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nvmfd5c478nlt1g-datasheets-6876.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,1 Вт Та 23 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 420пФ при 25В | 14,5 мОм при 7,5 А, 10 В | 2,2 В @ 20 мкА | 10,5 А Та 29 А Тс | 8,1 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8K51TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | EAR99 | не_совместимо | 1,5 Вт | НЕ УКАЗАН | *К51 | 2 | НЕ УКАЗАН | 2 | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 30 нс | 2А | 20 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 100 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 6А | 240мОм | 2 N-канала (двойной) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5875NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5875nlt1g-datasheets-0265.pdf | 8-PowerTDFN | Без свинца | 13 недель | 8 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 6 дней назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 3,2 Вт | 7А | 60В | 3,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 540пФ при 25В | 33 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6884 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/alphaomegasemiconductor-aon6884-datasheets-0763.pdf | 8-PowerSMD, плоские выводы | 18 недель | 8 | 1,6 Вт | 21 Вт | 2 | 9А | 20 В | 40В | 2 N-канала (двойной) | 1950пФ при 20В | 11,3 мОм при 10 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 33 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М41ГЗЭТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/rohmsemiconductor-sh8m41tb1-datasheets-1301.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | да | 2 Вт | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 14 нс | 12нс | 20 нс | 60 нс | 2,6А | -20В | 80В | -80В | N и P-канал | 600пФ при 10В | 130 мОм при 3,4 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3,4 А 2,6 А | 9,2 НК при 5 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4670DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4670dyt1ge3-datasheets-9495.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 14 недель | 186,993455мг | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 1,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4670 | 8 | 2 | 30 | 2 | 15 нс | 50 нс | 50 нс | 20 нс | 8А | 16 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,8 Вт | 7А | 25 В | 2 N-канала (двойной) | 680пФ при 13В | 23 мОм при 7 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 18 НК @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C466NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nvmfd5c466nwft1g-datasheets-9496.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3 Вт Та 38 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 650пФ при 25В | 8,1 мОм при 15 А, 10 В | 3,5 В при 250 мкА | 14А Та 49А Ц | 11 нк @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н04С412АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-ipg20n04s412atma1-datasheets-9386.pdf | 8-PowerVDFN | 5,15 мм | 1 мм | 6,15 мм | 12 недель | 8 | Без галогенов | 41 Вт | Двойной | 41 Вт | ПГ-ТДСОН-8-4 | 1,13 нФ | 9 нс | 2нс | 8 нс | 10 нс | 20А | 20 В | 40В | 40В | 41 Вт | 12,2 мОм | 40В | 2 N-канала (двойной) | 1470пФ при 25В | 12,2 мОм при 17 А, 10 В | 4 В @ 15 мкА | 20А | 18 НК @ 10 В | Стандартный | 12,2 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К35-60Э,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-buk9k3560e115-datasheets-9343.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | Нет | е3 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | 38 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Двойной | 38 Вт | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 20,5 нс | 3,7 нс | 10 нс | 3,9 нс | 22А | 10 В | 60В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 90А | 0,035 Ом | 19,5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1081пФ при 25В | 32 мОм при 5 А, 10 В | 2,1 В @ 1 мА | 14,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН3022ЛДГ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn3022ldg7-datasheets-9405.pdf | 8-PowerLDFN | 21 неделя | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30В | 1,96 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 481пФ при 15В 996пФ при 15В | 22 мОм при 10 А, 5 В, 8 м Ом при 10 А, 5 В | 2,1 В при 250 мкА, 1,2 В при 250 мкА | 7,6 А Та 15 А Тс | 3,7 нк при 4,5 В, 8 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C478NWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nvmfd5c478nt1g-datasheets-3956.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 40В | 3,1 Вт Та 23 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 325пФ при 25В | 17 мОм при 7,5 А, 10 В | 3,5 В при 20 мкА | 9,8 А Та 27 А Цс | 6,3 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6812 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-SMD, открытая площадка с выводом | 18 недель | 4,1 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 27А | Одинокий | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,1 Вт | 28А | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1720пФ при 15В | 4 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 34 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
