Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Время восстановления | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTLJD2104PTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntljd2104ptag-datasheets-5403.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | Без свинца | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 5 дней назад) | 700мВт | Двойной | 2,3 Вт | 6-ВДФН (2х2) | 467пФ | 12,3 нс | 16,2 нс | 14 нс | 2,4А | 8В | 12 В | 700мВт | 90мОм | -12В | 2 P-канала (двойной) | 467пФ при 6В | 90 мОм при 3 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 2,4А | 8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 90 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6898A_NF40 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fds6898a-datasheets-4152.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 20 В | 900мВт | 2 N-канала (двойной) | 1821пФ при 10В | 14 мОм при 9,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 9,4А | 23 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММДФ3Н04ХДР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmdf3n04hdr2-datasheets-0287.pdf | 30 В | 3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, НОМИНАЛЬНАЯ ЛАВИННАЯ ЭНЕРГИЯ | е3 | Олово (Вс) | 1,39 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММДФ3Н04HD | 8 | 40 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | 15 нс | 19 нс | 15 нс | 3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,4А | 96 пФ | 40В | 2 N-канала (двойной) | 900пФ при 32В | 80 мОм при 3,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,4А | 28 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS4953 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fds4953-datasheets-4880.pdf | -30В | -5А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 187 мг | Нет СВХК | 8 | 900мВт | Двойной | 2 Вт | 2 | 7 нс | 13нс | 9 нс | 14 нс | -5А | 20 В | -30В | 30 В | -1,7 В | -30В | 2 P-канала (двойной) | 528пФ при 15В | -1,7 В | 55 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5А | 9 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6000NZ_F077 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdc6000nz-datasheets-0558.pdf | 6-SSOT Плоский вывод, SuperSOT™-6 FLMP | СуперСОТ™-6 ФЛМП | 20 В | 1,2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 840пФ при 10 В | 20 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7,3А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDY3001NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdy3001nz-datasheets-5359.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | СОТ-563Ф | 20 В | 446 МВт | 2 N-канала (двойной) | 60пФ при 10В | 5 Ом при 200 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 200 мА | 1,1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН5Л06В-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/diodesincorporated-dmn5l06v7-datasheets-5361.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 6 | 3,005049мг | 6 | EAR99 | НИЗКАЯ ЕМКОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 280 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 50В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3Ом | 5 пФ | 50В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 3 Ом при 200 мА, 2,7 В | 1,2 В @ 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7342QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-irf7342qtrpbf-datasheets-5315.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 30 недель | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | IRF7342QPBF | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 14 нс | 10 нс | 22 нс | 43 нс | -3,4А | 20 В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 P-канала (двойной) | 690пФ при 25 В | 105 мОм при 3,4 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 3,4А | 38 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC3036LSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmc3036lsd13-datasheets-5370.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,3 мм | 1,5 мм | 4,1 мм | 8 | 73,992255мг | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 2 | Другие транзисторы | 4,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,9А | 0,036Ом | 30 В | N и P-канал | 431пФ при 15 В | 36 мОм при 6,9 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 5А 4,5А | 7,9 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6020C_F077 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdc6020c-datasheets-0623.pdf | 6-SSOT Плоский вывод, SuperSOT™-6 FLMP | 6 | 1,2 Вт | 1,8 Вт | 2 | 8нс | 8 нс | 26 нс | 4,2А | 12 В | 20 В | N и P-канал | 677пФ при 10 В | 27 мОм при 5,9 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5,9 А 4,2 А | 8 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC3300NZA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdmc3300nza-datasheets-5382.pdf | 8-PowerVDFN | 8-Сила33 (3х3) | 20 В | 2,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 815пФ при 10 В | 26 мОм при 8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 8А | 12 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6982S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-fds6982s-datasheets-5386.pdf | 30 В | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 230,4 мг | Нет СВХК | 8 | 900мВт | 2 Вт | 2 | 10 нс | 14 нс | 34 нс | 8,6А | 20 В | 3В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 2040пФ при 10В | 28 мОм при 6,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,3 А 8,6 А | 12 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS4895C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fds4895c-datasheets-5387.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 900мВт | 2 Вт | 15 нс | 18 нс | 45 нс | 4,4А | 20 В | 40В | N и P-канал | 410пФ при 20В | 39 мОм при 5,5 А, 10 В | 5 В @ 250 мкА | 5,5 А 4,4 А | 10 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA1027PT | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdma1027pt-datasheets-5379.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | Нет СВХК | 6 | Нет | 700мВт | Двойной | 1,4 Вт | 2 | 6-микротранзистор (2х2) | 435пФ | 9 нс | 11нс | 11 нс | 15 нс | 3А | 8В | 20 В | -700мВ | 700мВт | 120 мОм | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 435пФ при 10 В | 120 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,3 В @ 250 мкА | 3А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 120 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7752GTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineon-irf7752gtrpbf-datasheets-9925.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Неизвестный | 8 | 1 Вт | IRF7752GPBF | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 861пФ | 4,6А | 12 В | 30 В | 1 Вт | 36мОм | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 861пФ при 25 В | 2 В | 30 мОм при 4,6 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 4,6А | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDY2001PZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdy2001pz-datasheets-5336.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 6 | 446 МВт | Двойной | 630мВт | СОТ-563Ф | 100пФ | 13нс | 13 нс | 8 нс | 150 мА | 8В | 20 В | 446 МВт | 8Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 100пФ при 10В | 8 Ом @ 150 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 150 мА | 1,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 8 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRFI4024H-117P | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-irfi4024h117p-datasheets-5338.pdf | ТО-220-5 Полный пакет | 10,6172 мм | 9,8 мм | 4826 мм | Без свинца | Нет СВХК | 60МОм | 5 | Нет | 14 Вт | Двойной | 14 Вт | ТО-220-5 Фул-Пак | 320пФ | 5,9 нс | 2нс | 3,4 нс | 13 нс | 11А | 20 В | 55В | 4В | 14 Вт | 26 нс | 60мОм | 55В | 2 N-канала (двойной) | 320пФ при 50В | 4 В | 60 мОм при 7,7 А, 10 В | 4 В @ 25 мкА | 11А | 13 НК при 10 В | Стандартный | 60 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC3018LSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmc3018lsd13-datasheets-5345.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,3 мм | 1,5 мм | 4,1 мм | 8 | 21 неделя | 850,995985мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 9,1А | N и P-канал | 631пФ при 15 В | 20 мОм при 6,9 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 9,1А 6А | 12,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ50ДСКМ65Т3Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | SP3 | 25 | 22 недели | 3 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 25 | 390 Вт | 2 | 21 нс | 38нс | 93 нс | 75 нс | 51А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,078Ом | 2 N-канала (двойной) | 7000пФ при 25В | 78 мОм при 25,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 140 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20DHM16TG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-aptm20dhm16tg-datasheets-5232.pdf | SP4 | 14 | 4 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицирован | 104А | КРЕМНИЙ | ПАРАЛЛЕЛЬНО, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 390 Вт | 0,019 Ом | 3000 мДж | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 7220пФ при 25 В | 19 мОм при 52 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 140 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ120ТА57ФПГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/microsemicorporation-aptm120ta57fpg-datasheets-5233.pdf | СП6 | 21 | 6 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | неизвестный | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 390 Вт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 21 | НЕ УКАЗАН | 390 Вт | 6 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-XUFM-X21 | 17А | 30 В | КРЕМНИЙ | 3 БАНКОВ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ СОЕДИНЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 1200В 1,2кВ | 1200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3000 мДж | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 5155пФ при 25 В | 684 мОм при 8,5 А, 10 В | 5 В при 2,5 мА | 187 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7303QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/infineontechnologies-irf7303qtrpbf-datasheets-5235.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | 2 Вт | IRF7303QPBF | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6,8 нс | 21нс | 7,7 нс | 22 нс | 4,9А | 20 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 520пФ при 25В | 50 мОм при 2,4 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 25 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТМ50ДУМ25ТГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/microsemicorporation-aptm50dum25tg-datasheets-5283.pdf | SP4 | 15 | 4 | да | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | НЕ УКАЗАН | 15 | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицирован | Р-XUFM-X15 | 149А | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И ТЕРМИСТОРОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 500В | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 300А | 0,025 Ом | 1300 мДж | 2 N-канала (двойной) | 29600пФ при 25В | 25 мОм при 74,5 А, 10 В | 4 В @ 8 мА | 1200 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7380QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irf7380qtrpbf-datasheets-5265.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | 2 Вт | IRF7380QPBF | 2 Вт | 2 | 8-СО | 660пФ | 9 нс | 10 нс | 17 нс | 41 нс | 3,6А | 20 В | 80В | 2 Вт | 73мОм | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 25В | 73 мОм при 2,2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 3,6А | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 73 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7750GTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/infineon-irf7750gtrpbf-datasheets-9877.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Неизвестный | 8 | 1 Вт | IRF7750GPBF | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 1,7 нФ | 4,7А | 12 В | 20 В | 1 Вт | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1700пФ при 15В | -1,2 В | 30 мОм при 4,7 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 4,7А | 39 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7757TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/infineontechnologies-irf7757trpbf-datasheets-5298.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Нет СВХК | 8 | Нет | 1,2 Вт | Двойной | 1,2 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 1,34 нФ | 9,5 нс | 9,2 нс | 14 нс | 36 нс | 4,8А | 12 В | 20 В | 20 В | 1,2 В | 1,2 Вт | 35мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1340пФ при 15В | 1,2 В | 35 мОм при 4,8 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 4,8А | 23 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 35 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7756GTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8 | EAR99 | 1 Вт | IRF7756GPBF | Двойной | 1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 4,3А | 8В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -12В | 2 P-канала (двойной) | 1400пФ при 10В | 40 мОм при 4,3 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 18 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9952QTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/infineontechnologies-irf9952qtrpbf-datasheets-5306.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | 8 | Нет | 2 Вт | IRF9952QPBF | 2 Вт | 8-СО | 190пФ | 2,3А | 20 В | 30 В | 2 Вт | N и P-канал | 190пФ при 15В | 100 мОм при 2,2 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 3,5 А 2,3 А | 14 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 100 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTGD4161PT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-ntgd4161pt1g-datasheets-5313.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | ДА | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 9,2 нс | 9,2 нс | 12,5 нс | -2,1 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 А | 10А | -30В | 2 P-канала (двойной) | 281пФ при 15В | 160 мОм при 2,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 1,5 А | 7,1 нк при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7755GTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Нет СВХК | 8 | 1 Вт | IRF7755GPBF | Двойной | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 1,09 нФ | 3,9А | 20 В | 20 В | 1 Вт | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1090пФ при 15В | -1,2 В | 51 мОм при 3,7 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 3,9А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 51 мОм |
