Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI9933BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si9933bdyt1e3-datasheets-4783.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 186,993455мг | 8 | Нет | 1,1 Вт | СИ9933 | 2 | Двойной | 1,1 Вт | 2 | 8-СО | 22 нс | 35 нс | 35 нс | 45 нс | 3,6А | 12 В | 20 В | 1,1 Вт | 60мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 60 мОм при 4,7 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 3,6А | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 60 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7946DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si7946dpt1e3-datasheets-4796.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 6 | Неизвестный | 150МОм | 8 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7946 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C6 | 11 нс | 15нс | 20 нс | 30 нс | 3,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10А | 4 мДж | 150 В | 2 N-канала (двойной) | 4 В | 150 мОм при 3,3 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2,1А | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI7964DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si7964dpt1e3-datasheets-4803.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 6 | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7964 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C6 | 20 нс | 15нс | 15 нс | 50 нс | 9,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,5 В | 6,1А | 40А | 31 мДж | 60В | 2 N-канала (двойной) | 23 мОм при 9,6 А, 10 В | 4,5 В при 250 мкА | 6,1А | 65 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7945DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7945dpt1e3-datasheets-4778.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 6 | Неизвестный | 20мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7945 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C6 | 15 нс | 15нс | 15 нс | 130 нс | -10,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 2 P-канала (двойной) | -3 В | 20 мОм при 10,9 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7А | 74 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI9934BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si9934bdyt1e3-datasheets-4798.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 35мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ9934 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 19 нс | 35 нс | 35 нс | 80 нс | -6,4А | 8В | КРЕМНИЙ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,4 В | -12В | 2 P-канала (двойной) | 35 мОм при 6,4 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4,8А | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| СИБ911ДК-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-sib911dkt1e3-datasheets-4835.pdf | PowerPAK® SC-75-6L двойной | 1,6 мм | 750 мкм | 1,6 мм | 95,991485мг | 6 | Нет | 1,1 Вт | СИБ911 | 2 | Двойной | PowerPAK® SC-75-6L двойной | 115пФ | 12 нс | 45нс | 45 нс | 10 нс | 1,5 А | 8В | 20 В | 3,1 Вт | 295мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 115пФ при 10В | 295 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,6А | 4нК@8В | Стандартный | 295 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9926BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-si9926bdyt1e3-datasheets-4808.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,5494 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 506,605978мг | 20мОм | 8 | Нет | 1,14 Вт | СИ9926 | 2 | Двойной | 1,14 Вт | 2 | 8-СО | 35 нс | 50 нс | 50 нс | 31 нс | 8,2А | 12 В | 20 В | 1,14 Вт | 20мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 600 мВ | 20 мОм при 8,2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6,2А | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 20 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8904EDB-T2-E1 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si8904edbt2e1-datasheets-4818.pdf | 6-МИКРО ФУТ®CSP | Без свинца | 45мОм | 6 | 1 Вт | СИ8904 | 2 | 6-микрофут™ (2,36x1,56) | 1,6 мкс | 2 мкс | 2 мкс | 1,5 мкс | 4,9А | 12 В | 30 В | 1 Вт | 45мОм | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1,6 В @ 250 мкА | 3,8А | Ворота логического уровня | 45 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7540DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si7540dpt1e3-datasheets-4748.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 6 | 506,605978мг | Неизвестный | 17мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,5 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7540 | 8 | 2 | Одинокий | 40 | 3,5 Вт | 1 | Другие транзисторы | Р-XDSO-C6 | 35 нс | 42нс | 42 нс | 54 нс | 11,8А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 1,4 Вт | 7,6А | 12 В | N и P-канал | 1,5 В | 17 мОм при 11,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7,6 А 5,7 А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||
| SI7872DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si7872dpt1e3-datasheets-4752.pdf | 30 В | PowerPAK® SO-8 двойной | 4,9 мм | 1,04 мм | 5,89 мм | Без свинца | 6 | 506,605978мг | 22мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7872 | 8 | Двойной | 40 | 1,4 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C6 | 9 нс | 10 нс | 10 нс | 40 нс | 6,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30А | 30 В | 2 Н-канала (полумост) | 22 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI6925ADQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si6925adqt1e3-datasheets-4680.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | 45мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 800мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6925 | 8 | Двойной | 40 | 1 Вт | 2 | 40 нс | 50 нс | 10 нс | 20 нс | 3,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 45 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 1,8 В @ 250 мкА | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4834BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4834bdyt1e3-datasheets-4489.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4834 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицированный | 9 нс | 10 нс | 10 нс | 19 нс | 5,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 22 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6993DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6993dqt1e3-datasheets-4694.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4958 мм | 1,0414 мм | 3,0988 мм | Без свинца | 8 | Неизвестный | 31мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6993 | 8 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 13 нс | 14 нс | 14 нс | 52 нс | -4,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 3,6А | 30 В | 2 P-канала (двойной) | -1 В | 31 мОм при 4,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,6А | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI6983DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si6983dqt1e3-datasheets-4706.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 157,991892мг | 24мОм | 8 | 830мВт | СИ6983 | 2 | Двойной | 8-ЦСОП | 40 нс | 55нс | 55 нс | 135 нс | 4,6А | 8В | 20 В | 830мВт | 24мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 24 мОм при 5,4 А, 4,5 В | 1 В @ 400 мкА | 4,6А | 30 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 24 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7222DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7222dnt1e3-datasheets-4699.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,15 мм | 1,07 мм | 3,15 мм | Без свинца | 6 | Неизвестный | 42мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7222 | 8 | Двойной | 40 | 17,8 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C6 | 9 нс | 50 нс | 7 нс | 21 нс | 6А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 6А | 40В | 2 N-канала (двойной) | 700пФ при 20В | 42 мОм при 5,7 А, 10 В | 1,6 В @ 250 мкА | 29 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||
| SI6969BDQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6969bdqt1e3-datasheets-4682.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | 157,991892мг | 8 | 830мВт | СИ6969 | 2 | Двойной | 8-ЦСОП | 20 нс | 35 нс | 35 нс | 110 нс | 4А | 8В | 12 В | 830мВт | 30мОм | -12В | 2 P-канала (двойной) | 30 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 4А | 25 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 30 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7214DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-si7214dnt1e3-datasheets-4713.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 6 | Неизвестный | 40мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7214 | 8 | Двойной | 30 | 1,3 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Р-XDSO-C6 | 7 нс | 10 нс | 10 нс | 19 нс | 6,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,1 В | 4,6А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 40 мОм при 6,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,6А | 6,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI6928DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6928dqt1e3-datasheets-4686.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | 35МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6928 | 8 | Двойной | 40 | 1 Вт | 2 | 12 нс | 9нс | 20 нс | 25 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 35 мОм при 4 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 14 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1972DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si1972dht1e3-datasheets-4344.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | Неизвестный | 190мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 740 МВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1972 | 6 | Двойной | 40 | 740 МВт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 5 нс | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 1,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,8 В | 1,25 Вт | 2 N-канала (двойной) | 75пФ при 15В | 2,8 В | 225 мОм при 1,3 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 2,8 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||
| SI6943BDQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 2,95 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si6943bdqt1e3-datasheets-4688.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4958 мм | 1,0414 мм | 3,0988 мм | Без свинца | Неизвестный | 80мОм | 8 | Олово | Нет | 800мВт | СИ6943 | Двойной | 800мВт | 2 | 8-ЦСОП | 15 нс | 35 нс | 35 нс | 35 нс | 2,3А | 8В | 12 В | 800мВт | 80мОм | -12В | 2 P-канала (двойной) | -450 мВ | 80 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 800 мВ при 250 мкА | 2,3А | 10 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 80 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6981DQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si6981dqt1e3-datasheets-4704.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | Неизвестный | 31МОм | 8 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 830мВт | СИ6981 | Двойной | 1,14 Вт | 2 | Другие транзисторы | 35 нс | 55нс | 52 нс | 120 нс | 4,1А | 8В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | 2 P-канала (двойной) | -400 мВ | 31 мОм при 4,8 А, 4,5 В | 900 мВ при 300 мкА | 25 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5509DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si5509dct1e3-datasheets-4581.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 90мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,1 Вт | 260 | СИ5509 | 8 | Двойной | 40 | 2,1 Вт | 2 | 75нс | 60 нс | 25 нс | 5А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 4,5 Вт | 5А | 10А | 20 В | N и P-канал | 455пФ при 10 В | 52 мОм при 5 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 6,1 А 4,8 А | 6,6 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7842DP-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si7842dpt1e3-datasheets-4743.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 6 | Неизвестный | 22мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,4 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7842 | 8 | 40 | 1,4 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Р-XDSO-C6 | 8 нс | 10 нс | 10 нс | 21 нс | 6,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 800 мВ | 22 мОм при 7,5 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7501DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si7501dnt1e3-datasheets-4745.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 5 | 35мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,6 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7501 | 8 | 40 | 3,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | S-XDSO-C5 | 10 нс | 20нс | 20 нс | 25 нс | 5,4А | 25 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,5 А | 30 В | N и P-каналы, общий сток | 35 мОм при 7,7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,4 А 4,5 А | 14 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5515DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si5515dct1e3-datasheets-4608.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 84,99187мг | Неизвестный | 40мОм | 8 | Нет | 1,1 Вт | СИ5515 | 2 | 1,1 Вт | 2 | 1206-8 ЧипFET™ | 18 нс | 32нс | 32 нс | 42 нс | 4,4А | 8В | 20 В | 400мВ | 1,1 Вт | 69мОм | N и P-канал | 400 мВ | 40 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,4 А 3 А | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 40 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5904DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si5904dct1e3-datasheets-4621.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 75мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5904 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 12 нс | 35 нс | 35 нс | 19 нс | 3,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 75 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5920DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si5920dct1e3-datasheets-4635.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 8 | 84,99187мг | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,04 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5920 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Не квалифицированный | 8 нс | 11нс | 7 нс | 18 нс | 4А | 5В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,12 Вт | 4А | 8В | 2 N-канала (двойной) | 680пФ при 4В | 32 мОм при 6,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5938DU-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5938dut1e3-datasheets-4638.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 2,3 Вт | СИ5938 | 2 | Двойной | PowerPAK® ChipFet, двойной | 520пФ | 20 нс | 65нс | 10 нс | 40 нс | 6А | 8В | 20 В | 8,3 Вт | 39мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 520пФ при 10В | 39 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6А | 16 НК при 8 В | Ворота логического уровня | 39 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5513DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si5513dct1e3-datasheets-4604.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,0988 мм | 1,0922 мм | 1,7018 мм | Без свинца | Нет СВХК | 155 мОм | 8 | Нет | 1,1 Вт | СИ5513 | Двойной | 1,1 Вт | 2 | 1206-8 ЧипFET™ | 13 нс | 35 нс | 35 нс | 25 нс | 4,2А | 12 В | 20 В | 20 В | 1,5 В | 1,1 Вт | 130 мОм | 20 В | N и P-канал | 1,5 В | 75 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,1 А 2,1 А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 75 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCT802TXV | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-hct802tx-datasheets-4260.pdf | 6-СМД, без свинца | 6,35 мм | 2,03 мм | 4,45 мм | 25 недель | 6 | 500мВт | Двойной | 6-СМД | 70пФ | 1,1А | 20 В | 90В | 500мВт | 5Ом | N и P-канал | 70пФ при 25В | 5 Ом при 1 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 2А 1,1А | Стандартный | 5 Ом |
