Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTL2X200N085T | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixtl2x200n085t-datasheets-4263.pdf | ISOPLUSi5-Pak™ | 5 | 5 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 2 | Не квалифицированный | 80 нс | 64 нс | 65 нс | 112А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 85В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,006Ом | 1000 мДж | 85В | 2 N-канала (двойной) | 7600пФ при 25 В | 6 м Ом при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 152 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЗД3152ПТ5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntzd3152pt1g-datasheets-8241.pdf | -20В | -430 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 6 | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР, НИЗКИЙ ПОРОГ | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НТЗД3152П | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Не квалифицированный | 12нс | 12 нс | 35 нс | 430 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,43 А | 0,9 Ом | 20 пФ | -20В | 2 P-канала (двойной) | 175пФ при 16В | 900 мОм при 430 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММ300-0055П | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-fmm3000055p-datasheets-9244.pdf | i4-Pac™-5 | 5 | 5 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 260 | ФММ | 5 | 35 | 2 | Не квалифицированный | 300А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0036Ом | 2 N-канала (двойной) | 3,6 мОм при 150 А, 10 В | 4 В при 2 мА | 172 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTL2X220N075T | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixtl2x220n075t-datasheets-4273.pdf | ISOPLUSi5-Pak™ | 5 | 5 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 2 | Не квалифицированный | 65нс | 47 нс | 55 нс | 120А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600А | 1000 мДж | 75В | 2 N-канала (двойной) | 7700пФ при 25 В | 5,5 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 165 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВММ1000-01П | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-vmm100001p-datasheets-4275.pdf | Y3-Ли | 7 | 7 | EAR99 | неизвестный | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | ВММ | 7 | 2 | Не квалифицированный | 1 кА | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1000А | 0,0012Ом | 2 N-канала (двойной) | 1,2 Ом при 800 А, 10 В | 4 В при 10 мА | 1000А | 2355 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4152PT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntjd4152pt1g-datasheets-3403.pdf | -20В | -880мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | 6 | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 272 МВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | NTJD4152P | 6 | Двойной | 30 | 272 МВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 6,5 нс | 6,5 нс | 13,5 нс | 880 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,88А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 155пФ при 20В | 260 мОм при 880 мА, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 2,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTL2X240N055T | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixtl2x240n055t-datasheets-9223.pdf | ISOPLUSi5-Pak™ | 5 | 5 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 2 | Не квалифицированный | 54нс | 75 нс | 63 нс | 140А | 20 В | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0044Ом | 1000 мДж | 55В | 2 N-канала (двойной) | 7600пФ при 25 В | 4,4 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 170 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA76413DK8T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УльтраФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-hufa76413dk8t-datasheets-4248.pdf | 60В | 4,8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 230,4 мг | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 2,5 Вт | 2 | Не квалифицированный | 19нс | 27 нс | 45 нс | 5,1А | 16В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60В | 2 N-канала (двойной) | 620пФ при 25В | 49 мОм при 5,1 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM160-0055P3 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-gwm1600055p3-datasheets-9228.pdf | ИЗОПЛЮС-ДИЛ™ | Без свинца | 17 | 2МОм | да | EAR99 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | GWM160 | НЕ УКАЗАН | 6 | Не квалифицированный | Р-ПДФП-Ф17 | 160А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 3 м Ом при 100 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 90 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD4401PT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-nthd4401pt1-datasheets-0361.pdf | 20 В | -3А | 8-СМД, плоский вывод | Содержит свинец | 8 | 8 | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | NTHD4401P | 8 | 1,1 Вт | 2 | 13нс | 13 нс | 33 нс | 2,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,155 Ом | 50 пФ | -20В | 2 P-канала (двойной) | 300пФ при 10В | 155 мОм при 2,1 А, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSD2025TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-ssd2025tf-datasheets-4220.pdf | 60В | 3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 48 недель | 8 | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 18нс | 23 нс | 40 нс | 3,3А | 20 В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 100 мОм при 3,3 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMJ1028N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fdmj1028n-datasheets-4221.pdf | 20 В | 3,2А | 6-WFDFN Открытая площадка | Без свинца | 8 | 800мВт | Двойной | 1,4 Вт | 2 | 6-микротранзистор (2х2) | 200пФ | 3,2А | 12 В | 20 В | 800мВт | 76мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 200пФ при 10В | 90 мОм при 3,2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,2А | 3нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 90 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMN3A06N8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/diodesinc-zxmn3a06n8ta-datasheets-9202.pdf | 30В | 6,2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 73,992255мг | 8 | 1,25 Вт | 2 | 1,25 Вт | 8-СОП | 6,2А | 20 В | 30В | 35мОм | 30В | 2 N-канала (двойной) | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD4502NT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-nthd4502nt1g-datasheets-6759.pdf | 30В | 3,9А | 8-СМД, плоский вывод | Содержит свинец | 8 | 8 | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 640мВт | С ИЗГИБ | 240 | NTHD4502N | 8 | 30 | 1,13 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 5,4 нс | 5,4 нс | 14,6 нс | 2,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,9 А | 25 пФ | -20В | 2 N-канала (двойной) | 140пФ при 15В | 85 мОм при 2,9 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD2152PT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntjd2152pt1-datasheets-0332.pdf | -8В | -775мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTJD2152P | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | 23нс | 23 нс | 50 нс | 775 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,775А | 0,3 Ом | 40 пФ | -8В | 2 P-канала (двойной) | 225пФ при 8В | 300 мОм при 570 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4401NT2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntjd4401nt1g-datasheets-3295.pdf | 20 В | 775 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | ДА | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTJD4401N | 6 | Двойной | 40 | 270мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 227 нс | 227 нс | 786 нс | 630 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,375 Ом | 5 пФ | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 46пФ при 20 В | 375 мОм при 630 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD2152PT4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntjd2152pt1-datasheets-0332.pdf | -8В | -775мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | NTJD2152P | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | 23нс | 23 нс | 50 нс | 775 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,775А | 0,3 Ом | 40 пФ | -8В | 2 P-канала (двойной) | 225пФ при 8В | 300 мОм при 570 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММДФ2П02ЕР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmdf2p02er2g-datasheets-4229.pdf | -25В | -2,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 29нс | 28 нс | 30 нс | 2,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13А | 0,25 Ом | 245 мДж | -25В | 2 P-канала (двойной) | 475 пФ при 16 В | 250 мОм при 2 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTQD6968N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntqd6968nr2-datasheets-0491.pdf | 20 В | 7А | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Содержит свинец | 8 | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,39 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1,81 Вт | 2 | Не квалифицированный | 25нс | 25 нс | 60 нс | 6,2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,03 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 630пФ при 16 В | 22 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4401NT4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntjd4401nt1g-datasheets-3295.pdf | 20 В | 775 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | 88 | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | NTJD4401N | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 270мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | 227 нс | 227 нс | 786 нс | 630 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,63 А | 0,375 Ом | 5 пФ | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 46пФ при 20 В | 375 мОм при 630 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD2C02R2SG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntmd2c02r2-datasheets-0369.pdf | 20 В | 5,2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | 40 нс | 35 нс | 35 нс | 3,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 48А | 0,043Ом | 20 В | N и P-канал | 1100пФ при 10В | 43 мОм при 4 А, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 5,2 А 3,4 А | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ШЛЯПА2038R-EL-E | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/renesaselectronicsamerica-hat2038rele-datasheets-4205.pdf | 60В | 5А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 16 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 20 | 3 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 11 нс | 40 нс | 80 нс | 110 нс | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5А | 40А | 2 N-канала (двойной) | 520пФ при 10В | 58 мОм при 3 А, 10 В | 2,2 В при 1 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD6P02R2SG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntmd6p02r2g-datasheets-8272.pdf | -20В | -7,8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | е3 | Олово (Вс) | ДА | 750 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTMD6P02 | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 65нс | 80 нс | 50 нс | 4,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,2А | 0,033Ом | 450 пФ | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1700пФ при 16В | 33 мОм при 6,2 А, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 35 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTZD3155CT5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntzd3155ct2g-datasheets-2996.pdf | 20 В | 540 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 550МОм | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НТЗД3155С | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 12нс | 12 нс | 35 нс | 540 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | -20В | N и P-канал | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 540 мА 430 мА | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD3100CT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nthd3100ct1g-datasheets-5869.pdf | 20 В | 3,9А | 8-СМД, плоский вывод | Содержит свинец | 8 | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 4 дня назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | ДА | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 240 | NTHD3100C | 8 | Двойной | 30 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 11,7 нс | 11,7 нс | 16 нс | 3,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,9 А | 12А | -20В | N и P-канал | 165пФ при 10В | 80 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 2,9 А 3,2 А | 2,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4401NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntjd4401nt1g-datasheets-3295.pdf | 20 В | 775 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 6 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTJD4401N | 6 | Двойной | 40 | 270мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 227 нс | 227 нс | 786 нс | 630 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,375 Ом | 5 пФ | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 46пФ при 20 В | 375 мОм при 630 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntjd1155lt1g-datasheets-3487.pdf | -8В | -1,3 А | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | 6 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | ДА | 400мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | NTJD1155 | 6 | Двойной | 30 | 400мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 1,3А | 1В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,175 Ом | -8В | N и P-канал | 175 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDH8304P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-ndh8304p-datasheets-4183.pdf | 8-LSOP (ширина 0,130, 3,30 мм) | СуперСОТ™-8 | 20 В | 800мВт | 2 P-канала (двойной) | 865пФ при 10 В | 70 мОм при 2,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,7А | 23 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntjd4105ct2g-datasheets-6244.pdf | 630 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | 6 | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | NTJD4105C | 6 | Двойной | 30 | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 23нс | 36 нс | 50 нс | 775 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20В 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1А | 0,375 Ом | 5 пФ | -8В | N и P-канал | 46пФ при 20 В | 375 мОм при 630 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 630 мА 775 мА | 3нК @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО200Н03 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/infineontechnologies-bso200n03-datasheets-4187.pdf | 30В | 6,6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | е3 | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 1,56 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 2,9 нс | 2,6 нс | 2,6 нс | 12 нс | 7А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МС-012 | 0,02 Ом | 56 пФ | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1010пФ при 15В | 20 мОм при 7,9 А, 10 В | 2 В @ 13 мкА | 8 НК при 5 В | Ворота логического уровня |
