Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTHD3100CT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nthd3100ct1g-datasheets-5869.pdf | 20 В | 3,9 А | 8-СМД, плоский вывод | Содержит свинец | 8 | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 4 дня назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | ДА | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 240 | NTHD3100C | 8 | Двойной | 30 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 11,7 нс | 11,7 нс | 16 нс | 3,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,9 А | 12А | -20В | N и P-канал | 165пФ при 10В | 80 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 2,9 А 3,2 А | 2,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4401NT4G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-ntjd4401nt1g-datasheets-3295.pdf | 20 В | 775 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 6 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTJD4401N | 6 | Двойной | 40 | 270мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 227 нс | 227 нс | 786 нс | 630 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,375 Ом | 5 пФ | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 46пФ при 20 В | 375 мОм при 630 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3nC @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD1155LT1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-ntjd1155lt1g-datasheets-3487.pdf | -8В | -1,3А | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | 6 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 2 недели назад) | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | ДА | 400мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | NTJD1155 | 6 | Двойной | 30 | 400мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 1,3А | 1В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,175 Ом | -8В | N и P-канал | 175 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDH8304P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-ndh8304p-datasheets-4183.pdf | 8-LSOP (ширина 0,130, 3,30 мм) | СуперСОТ™-8 | 20 В | 800мВт | 2 P-канала (двойной) | 865пФ при 10 В | 70 мОм при 2,7 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,7А | 23 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD4105CT2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntjd4105ct2g-datasheets-6244.pdf | 630 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | 6 | EAR99 | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | NTJD4105C | 6 | Двойной | 30 | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 23нс | 36 нс | 50 нс | 775 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20В 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1А | 0,375 Ом | 5 пФ | -8В | N и P-канал | 46пФ при 20 В | 375 мОм при 630 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 630 мА 775 мА | 3nC @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЗВН4206НТА | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 60В | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 8 | 2 Вт | 2 | Двойной | 2 Вт | СМ-8 | 1А | 60В | 1,5 Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHKD6N02LT,518 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМОС™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/nexperiausainc-phkd6n02lt518-datasheets-4147.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | 8 | EAR99 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 10,9А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 4,17 Вт | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,17 Вт | МС-012АА | 0,035 Ом | 2 N-канала (двойной) | 950пФ при 10 В | 20 мОм при 3 А, 5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 15,3 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2521C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdw2521c-datasheets-4153.pdf | 20 В | 5,5 А | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | Нет СВХК | 8 | 600мВт | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 1,082 нФ | 34 нс | 5,5 А | 12 В | 20 В | 800мВ | 600мВт | 21мОм | 20 В | N и P-канал | 1082пФ при 10 В | 21 мОм при 5,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5,5 А 3,8 А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 21 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA76407DK8T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УльтраФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-hufa76407dk8t-datasheets-4154.pdf | 60В | 3,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 230,4 мг | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 2,5 Вт | 2 | Не квалифицированный | 11нс | 31 нс | 46 нс | 3,8А | 16В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60В | 2 N-канала (двойной) | 330пФ при 25В | 90 мОм при 3,8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 11,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2503NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fdw2503nz-datasheets-4156.pdf | 20 В | 5,5 А | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | 600мВт | 1 Вт | 25 нс | 5,5 А | 12 В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1286пФ при 10 В | 20 мОм при 5,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2508PB | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdw2508pb-datasheets-4157.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8-ЦСОП | 12 В | 1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 3775пФ при 6В | 18 мОм при 6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6А | 45 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMC3A18DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/diodesincorporated-zxmc3a18dn8ta-datasheets-4158.pdf | 30 В | 7,6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 1,8 Вт | 8 | 2 | 4,8 нс | 9,5 нс | 38 нс | 60 нс | 4,8А | 20 В | 30 В | N и P-канал | 1800пФ при 25В | 25 мОм при 5,8 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 5,8 А 4,8 А | 36 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО350Н03 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-bso350n03-datasheets-4162.pdf | 30 В | 6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БСО350Н03 | 8 | 40 | 1,4 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 2,2 нс | 2,2 нс | 8,7 нс | 5А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | МС-012АА | 5А | 0,035 Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 480пФ при 15В | 35 мОм при 6 А, 10 В | 2 В @ 6 мкА | 3,7 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММДФ2С03ХДР2Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmdf2c03hdr2-datasheets-0291.pdf | 30 В | 2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 8 | УСТАРЕЛО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММДФ2C03HD | 8 | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 18нс | 194 нс | 81 нс | 4,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,7 В | 0,07 Ом | 30 В | N и P-канал | 630пФ при 24В | 70 мОм при 3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4,1А 3А | 16 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD2152PT2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntjd2152pt1-datasheets-0332.pdf | -8В | -775мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Содержит свинец | 6 | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 235 | NTJD2152P | 6 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | 23нс | 23 нс | 50 нс | 775 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,775А | 0,3 Ом | 40 пФ | -8В | 2 P-канала (двойной) | 225пФ при 8В | 300 мОм при 570 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDZ2554PZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdz2554p-datasheets-4110.pdf | 18-ВФБГА | 18-БГА (2,5х4) | 20 В | 2,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1430пФ при 10В | 28 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6,5 А | 21 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMHN6A07T8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmhn6a07t8ta-datasheets-4141.pdf | 60В | 1,6А | 8-СМД, Крыло Чайки | 6,7 мм | 1,6 мм | 3,7 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,6 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | ZXMHN6A07T8 | 8 | 4 | 40 | 4 | 1,8 нс | 1,4 нс | 1,4 нс | 4,9 нс | 1,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,3 Ом | 60В | 4 N-канала (H-мост) | 166пФ при 40 В | 300 мОм при 1,8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 1,4 А | 3,2 нк при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS9933A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nds9933-datasheets-9882.pdf | -20В | -2,8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 900мВт | 2 Вт | 20 нс | 21 нс | 31 нс | 2,8А | 8В | 20 В | -20В | 2 P-канала (двойной) | 405пФ при 10В | 140 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 8,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДС8934 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nds8934-datasheets-4177.pdf | -20В | -3,8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 230,4 мг | 8 | 900мВт | Двойной | 2 Вт | 2 | 53нс | 30 нс | 60 нс | 3,8А | 8В | 20 В | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1120пФ при 10В | 70 мОм при 3,8 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 30 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН5Л06ДВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/diodesincorporated-dmn5l06dw7-datasheets-4136.pdf | 50В | 305 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 6,010099мг | 6 | EAR99 | НИЗКАЯ ЕМКОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 200мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН5Л06ДВ | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 280 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3Ом | 5 пФ | 50В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 3 Ом при 200 мА, 2,7 В | 1,2 В при 250 мкА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM120-0075P3 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ixys-gwm1200075p3-datasheets-4144.pdf | ИЗОПЛЮС-ДИЛ™ | 17 | 17 | да | EAR99 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | GWM120 | НЕ УКАЗАН | 6 | Не квалифицированный | 118А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 125А | 0,0045Ом | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 5,5 мОм при 60 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 100 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDY4001CZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdy4001cz-datasheets-4145.pdf | 20 В | 200 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | Нет СВХК | 89 | 446 МВт | Двойной | 625 МВт | 13нс | 13 нс | 8 нс | 150 мА | 8В | 1В | -20В | N и P-канал | 60пФ при 10В | 5 Ом при 200 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 200 мА 150 мА | 1,1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО612CVGHUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИПМОС® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/infineontechnologies-bso612cvghuma1-datasheets-4097.pdf | 3А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 12 недель | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | АЭК-Q101 | Не содержит галогенов | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БСО612 | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 2 | 2А | 20 В | -60В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 47 мДж | N и P-канал | 340пФ при 25В | 120 мОм при 3 А, 10 В | 4 В @ 20 мкА | 3А 2А | 15,5 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2503N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-fdw2503n-datasheets-4103.pdf | 20 В | 5,5 А | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | Нет СВХК | 21МОм | 8 | Нет | 600мВт | 1 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 1,082 нФ | 8 нс | 8нс | 8 нс | 24 нс | 5,5 А | 12 В | 20 В | 20 В | 600мВт | 17мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1082пФ при 10 В | 800 мВ | 21 мОм при 5,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 5,5 А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 21 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО615КТ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СИПМОС® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/infineontechnologies-bso615ct-datasheets-4104.pdf | 3,1А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 2 Вт | БСО615 | ПГ-ДСО-8 | 380пФ | 105 нс | 2А | 60В | 2 Вт | N и P-канал | 380пФ при 25В | 110 мОм при 3,1 А, 10 В | 2 В @ 20 мкА | 3,1А 2А | 22,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 110 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSD2007ASTF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-ssd2007atf-datasheets-4049.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 50В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 300 мОм при 1,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2А | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6961A_F011 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fds6961a-datasheets-4664.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 30 В | 900мВт | 2 N-канала (двойной) | 220пФ при 15В | 90 мОм при 3,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3,5 А | 4 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2507N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fdw2507n-datasheets-4109.pdf | 20 В | 7,5 А | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | Нет СВХК | 8 | 1,1 Вт | 1,6 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 2,152 нФ | 13нс | 13 нс | 35 нс | 7,5 А | 12 В | 20 В | 800мВ | 1,1 Вт | 19мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 2152пФ при 10 В | 19 мОм при 7,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7,5 А | 28 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 19 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDZ2554P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdz2554p-datasheets-4110.pdf | 18-ВФБГА | 18-БГА (2,5х4) | 20 В | 2,1 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1900пФ при 10В | 28 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6,5 А | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSD2009ATF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-ssd2009atf-datasheets-4117.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 50В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 130 мОм при 3 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
