Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXMN3A06DN8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/diodesincorporated-zxmn3a06dn8ta-datasheets-0792.pdf | 30 В | 4,8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 73,992255мг | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 1,25 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицированный | 3 нс | 6,4 нс | 6,4 нс | 21,6 нс | 4,9А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 Вт | 0,035 Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 796пФ при 25 В | 35 мОм при 9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 17,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG6303N_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdg6303nd87z-datasheets-4037.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | СК-88 (СК-70-6) | 25 В | 300мВт | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 450 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 500 мА | 2,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMN6A11DN8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/diodesincorporated-zxmn6a11dn8ta-datasheets-5424.pdf | 60В | 2,7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 73,992255мг | 8 | EAR99 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 1,25 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 1,95 нс | 3,5 нс | 3,5 нс | 8,2 нс | 2,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 Вт | 0,14 Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 330пФ при 40В | 120 мОм при 2,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 5,7 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| XN0187200L | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-xn0187200l-datasheets-3942.pdf | 50В | 100 мА | СК-74А, СОТ-753 | Без свинца | 300мВт | Мини5-Г1 | 15пФ | 100 мА | 50В | 300мВт | 2 N-канала (двойной) | 15пФ @ 5В | 50 Ом при 20 мА, 5 В | 3,5 В при 100 мкА | 100 мА | Стандартный | 50 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMD63P02XTC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-zxmd63p02xtc-datasheets-4041.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 8 | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 2 | Не квалифицированный | С-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,04 Вт | МО-187АА | 1,7 А | 0,27 Ом | 2 P-канала (двойной) | 290пФ при 15В | 270 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА (мин) | 5,25 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMN2A04DN8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/diodesincorporated-zxmn2a04dn8ta-datasheets-5158.pdf | 20 В | 6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 73,992255мг | 8 | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | 2 | НЕ УКАЗАН | 1,25 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицированный | 7,9 нс | 14,8 нс | 14,8 нс | 50,5 нс | 5,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 Вт | 7,7А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1880пФ при 10В | 25 мОм при 5,9 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА (мин) | 22,1 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8934A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/onsemiconductor-fds8934a-datasheets-4043.pdf | -20В | -4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 230,4 мг | 8 | 900мВт | Двойной | 2 Вт | 2 | 8 нс | 23нс | 90 нс | 260 нс | -4А | -8В | 20 В | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1130пФ при 10В | 55 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4А | 28 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG6320C_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdg6320c-datasheets-8663.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | СК-88 (СК-70-6) | 25 В | 300мВт | N и P-канал | 9,5 пФ при 10 В | 4 Ом при 220 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 220 мА 140 мА | 0,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HUFA76404DK8T | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-hufa76404dk8t-datasheets-4045.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 62В | 2,5 Вт | 2 N-канала (двойной) | 250пФ при 25В | 110 мОм при 3,6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3,6А | 4,9 нк при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2510NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdw2510nz-datasheets-4046.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8-ЦСОП | 20 В | 1,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 870пФ при 10 В | 24 мОм при 6,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6,4А | 12 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЗДМ4206НТЦ | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/diodesincorporated-zdm4206nta-datasheets-9792.pdf | 60В | 1А | 8-СМД, Крыло Чайки | 6,7 мм | 1,6 мм | 3,7 мм | Без свинца | 8 | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,75 Вт | 260 | ZDM4206N | 8 | 2 | 40 | 2,75 Вт | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | 8 нс | 12нс | 15 нс | 12 нс | 1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1А | 1Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 100пФ при 25В | 1 Ом при 1,5 А, 10 В | 3 В при 1 мА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG6304P_D87Z | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdg6304p-datasheets-4041.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | СК-88 (СК-70-6) | 25 В | 300мВт | 2 P-канала (двойной) | 62пФ при 10 В | 1,1 Ом при 410 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 410 мА | 1,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDQ7698S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdq7698s-datasheets-3991.pdf | 14-SOIC (0,154, ширина 3,90 мм), 11 выводов, выводы с плавными предохранителями | 14-СО | 30 В | 1,1 Вт 1,3 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1324пФ при 15В | 7,5 мОм при 15 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 12А 15А | 17 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6894AZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fds6894az-datasheets-3992.pdf | 20 В | 8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 230,4 мг | 8 | да | Нет | 900мВт | Двойной | 2 Вт | 9 нс | 14 нс | 13 нс | 33 нс | 8А | 8В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1455пФ при 10 В | 17 мОм при 8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6322C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdc6322c-datasheets-3994.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | СуперСОТ™-6 | 25 В | 700мВт | N и P-канал | 9,5 пФ при 10 В | 4 Ом при 400 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 220 мА 460 мА | 0,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDJ1028N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdj1028n-datasheets-3999.pdf | 20 В | 3,2А | СК75-6 ФЛМП | Без свинца | 96мг | 6 | 1,5 Вт | Двойной | 1,5 Вт | 2 | 8нс | 8 нс | 11 нс | 3,2А | 12 В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 200пФ при 10В | 90 мОм при 3,2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3nC @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMD63C02XTC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-zxmd63c02xta-datasheets-9916.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 8 | 30 | 20 В | 1,04 Вт | N и P-канал | 350пФ при 15В | 130 мОм при 1,7 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА (мин) | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMC4A16DN8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/diodesincorporated-zxmc4a16dn8tc-datasheets-4007.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | 3,6А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,1 Вт | 4А | 24А | 0,05 Ом | Дополняющие N и P-каналы | 770 пФ при 40 В 1000 пФ при 20 В | 50 мОм при 4,5 А, 10 В, 60 м Ом при 3,8 А, 10 В | 1 В при 250 мА (мин) | 5,2 А Та 4,7 А Та | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6432SH | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdc6432sh-datasheets-4009.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | СуперСОТ™-6 | 30 В 12 В | 700мВт | N и P-канал | 270пФ при 15В | 90 мОм при 2,4 А, 10 В | 3 В @ 1 мА | 2,4 А 2,5 А | 3,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMD63N02XTC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmd63n02xta-datasheets-9900.pdf | 20 В | 2,4А | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3,1 мм | 950 мкм | 3,1 мм | Без свинца | 8 | 139,989945мг | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 870мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 30 | 870мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | С-ПДСО-G8 | 3,4 нс | 8,1 нс | 8,1 нс | 13,5 нс | 2,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,04 Вт | МО-187АА | 0,13 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 700пФ при 15В | 130 мОм при 1,7 А, 4,5 В | 3 В при 250 мкА | 2,5 А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMC3A17DN8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmc3a17dn8ta-datasheets-8761.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 73,992255мг | 8 | EAR99 | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | 1,25 Вт | 2 | Не квалифицированный | 1,7 нс | 2,9 нс | 2,9 нс | 29,2 нс | 3,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5,4А | 0,05 Ом | 30 В | N и P-канал | 600пФ при 25В | 50 мОм при 7,8 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 4,1 А 3,4 А | 12,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н7002ВА-7-Ф | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/diodesincorporated-2n7002va7-datasheets-0648.pdf | 60В | 280 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 3,005049мг | 6 | Нет | 150 мВт | 2 | Двойной | 150 мВт | СОТ-563 | 50пФ | 20 нс | 20 нс | 280 мА | 20 В | 60В | 150 мВт | 13,5 Ом | 70В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 7,5 Ом при 50 мА, 5 В | 2,5 В @ 250 мкА | 280 мА | Стандартный | 7,5 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6302П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fdg6302p-datasheets-4017.pdf | -25В | -140 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 300мВт | Двойной | 300мВт | 2 | СК-88 (СК-70-6) | 12пФ | 8нс | 8 нс | 9 нс | -140 мА | -8В | 25 В | 300мВт | 10Ом | -25В | 2 P-канала (двойной) | 12пФ @ 10В | 10 Ом при 140 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 140 мА | 0,31 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 10 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMD63C03XTC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-zxmd63c03xta-datasheets-9919.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 8 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2 | Не квалифицированный | С-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30 В | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,04 Вт | 2,3А | 0,135 Ом | N и P-канал | 290пФ при 25В | 135 мОм при 1,7 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 8 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMD65P02N8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/diodesincorporated-zxmd65p02n8ta-datasheets-0048.pdf | -20В | -4,4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 73,992255мг | 8 | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXMD65P02 | 8 | 2 | 40 | 1,25 Вт | 2 | Не квалифицированный | 6,6 нс | 29,9 нс | 29,9 нс | 57,9 нс | 4А | 12 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,75 Вт | 4А | 0,05 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 960пФ при 15 В | 50 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 700 мВ при 250 мкА (мин) | 20 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| FDM2509НЗ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdm2509nz-datasheets-3958.pdf | 20 В | 8,7А | 6-WFDFN Открытая площадка | Без свинца | 6 | Нет | 2,2 Вт | 2,2 Вт | 6-микротранзистор (2х5) | 1,2 нФ | 11 нс | 15 нс | 12 нс | 27 нс | 8,7А | 12 В | 20 В | 800мВт | 18мОм | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1200пФ при 10В | 18 мОм при 8,7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 8,7А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 18 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDM3300НЗ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-fdm3300nz-datasheets-3983.pdf | 8-PowerVDFN | 8-МЛП (3х3) | 20 В | 900мВт | 2 N-канала (двойной) | 1610пФ при 10 В | 23 мОм при 10 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 10А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDJ1027P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdj1027p-datasheets-3959.pdf | -20В | -2,8А | СК75-6 ФЛМП | Без свинца | 96мг | Нет СВХК | 6 | 900мВт | Двойной | 1,5 Вт | 2 | 13нс | 13 нс | 13 нс | -2,8А | 8В | -20В | 20 В | -20В | 2 P-канала (двойной) | 290пФ при 10В | -800 мВ | 160 мОм при 2,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,8А | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS4935 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-fds4935-datasheets-3962.pdf | -30В | -7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 8 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | 7А | е3 | Олово (Вс) | 30 В | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 10 нс | 25 нс | 48 нс | 7А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -30В | 2 P-канала (двойной) | 1233пФ при 15 В | 23 мОм при 7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 21 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8947A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 1998 год | /files/onsemiconductor-fds8947a-datasheets-3963.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 30 В | 900мВт | 2 P-канала (двойной) | 730пФ при 15 В | 52 мОм при 4 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 4А | 27 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
