Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1029X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | $3,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1029xt1ge3-datasheets-1515.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 32,006612мг | Нет СВХК | 4Ом | 6 | 250 мВт | СИ1029 | 2 | Одинокий | 250 мВт | 2 | СК-89-6 | 30пФ | 20 нс | 35 нс | 500 мА | 20 В | 60В | 60В | 2,5 В | 250 мВт | 4Ом | 60В | N и P-канал | 30пФ при 25В | 2,5 В | 1,4 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 305 мА 190 мА | 0,75 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 3 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММ150-0075П | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ixys-fmm1500075p-datasheets-4327.pdf | i4-Pac™-5 | 5 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ПРИЗНАННАЯ УЛ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | ФММ | 5 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т5 | 150А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0042Ом | 2 N-канала (двойной) | 4,2 мОм при 120 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 225 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1913EDH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1913edht1e3-datasheets-4332.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 490мОм | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 570мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ1913 | 6 | Двойной | 740мВт | 2 | Другие транзисторы | 150 нс | 480 нс | 850 нс | 840 нс | -1А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -450мВ | 0,88А | 20 В | 2 P-канала (двойной) | -450 мВ | 490 мОм при 880 мА, 4,5 В | 450 мВ при 100 мкА | 880 мА | 1,8 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2504P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fdw2504p-datasheets-4365.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8-ЦСОП | 20 В | 600мВт | 2 P-канала (двойной) | 1030пФ при 10В | 43 мОм при 3,8 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3,8А | 16 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NDS9925A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-nds9925a-datasheets-4291.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8-СОИК | 20 В | 900мВт | 2 N-канала (двойной) | 60 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,5 А | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1539DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si1539dlt1e3-datasheets-4294.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 7,512624 мг | Нет СВХК | 940МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 270мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1539 | 6 | 2 | 30 | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | 4 нс | 8нс | 8 нс | 5 нс | 630 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,6 В | 0,54 А | 30В | N и P-канал | 1 В | 480 мОм при 590 мА, 10 В | 2,6 В при 250 мкА | 540 мА 420 мА | 1,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО303ПНТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-bso303pntma1-datasheets-4296.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 8 | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛЬНЫЙ, СОВМЕСТИМЫЙ С ЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 Вт | 2 | 10,6 нс | 12,9 нс | 39,3 нс | 55,4 нс | 8,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 97 мДж | 2 P-канала (двойной) | 1761пФ при 25В | 21 мОм при 8,2 А, 10 В | 2 В @ 100 мкА | 72,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1551DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-si1551dlt1e3-datasheets-4304.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,1844 мм | 990,6 мкм | 1,3462 мм | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 1,9 Ом | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 270мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1551 | 6 | Одинокий | 40 | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | 23 нс | 20 нс | 20 нс | 8,5 нс | 300 мА | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 0,41 А | 20 В | N и P-канал | 1,5 В | 1,9 Ом при 290 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 290 мА 410 мА | 1,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО4804Т | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/infineontechnologies-bso4804-datasheets-0218.pdf | 30В | 8А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 2 Вт | БСО4804 | 8-СО | 870пФ | 27нс | 8А | 30В | 2 Вт | 2 N-канала (двойной) | 870пФ при 25В | 20 мОм при 8 А, 10 В | 2 В при 30 мкА | 8А | 17 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 20 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1034X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1034xt1ge3-datasheets-8955.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | Неизвестный | 5Ом | 6 | 250 мВт | СИ1034 | Двойной | 250 мВт | 2 | СК-89-6 | 50 нс | 25нс | 25 нс | 50 нс | 200 мА | 5В | 20 В | 1,2 В | 250 мВт | 5Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1,2 В | 5 Ом при 200 мА, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 180 мА | 0,75 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 5 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1553DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si1553dlt1e3-datasheets-4314.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 995МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 270мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1553 | 6 | Одинокий | 40 | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 20 нс | 20 нс | 8,5 нс | 660 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 20 В | N и P-канал | 600 мВ | 385 мОм при 660 мА, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 660 мА 410 мА | 1,2 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1035X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1035xt1ge3-datasheets-6271.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 32,006612мг | 6 | 250 мВт | СИ1035 | 2 | 250 мВт | 2 | СК-89-6 | 200 мА | 5В | 20 В | 250 мВт | 8Ом | 20 В | N и P-канал | 5 Ом при 200 мА, 4,5 В | 400 мВ при 250 мкА (мин) | 180 мА 145 мА | 0,75 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 5 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1033X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1033xt1ge3-datasheets-2445.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | 32,006612мг | 6 | 250 мВт | СИ1033 | 2 | Двойной | 280мВт | СК-89-6 | 55 нс | 30 нс | 30 нс | 60 нс | -500мА | 5В | 20 В | 250 мВт | 8Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 8 Ом @ 150 мА, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 145 мА | 1,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 8 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLJD4116NT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntljd4116nt1g-datasheets-4318.pdf | 30В | 4,6А | 6-WDFN Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 6 недель | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 710мВт | С ИЗГИБ | 260 | 6 | Двойной | 40 | 1,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 4,8 нс | 11,8 нс | 11,8 нс | 14,2 нс | 3,7А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3А | 0,09 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 427пФ при 15 В | 70 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,5 А | 6,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ1903ДЛ-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si1903dlt1e3-datasheets-4312.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 995мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ1903 | 6 | Двойной | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | 7,5 нс | 20 нс | 20 нс | 8,5 нс | 440 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,5 В | 0,41 А | 888 пФ | 20 В | 2 P-канала (двойной) | -1,5 В | 995 мОм при 410 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 410 мА | 1,8 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1563EDH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/vishaysiliconix-si1563edht1e3-datasheets-4323.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 490мОм | 6 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Нет | 1А | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 20 В | 570мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1563 | 6 | Двойной | 40 | 570мВт | 2 | Другие транзисторы | 480 нс | 850 нс | 840 нс | 1,13А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 20 В | N и P-канал | 450 мВ | 280 мОм при 1,13 А, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | 1,13 А 880 мА | 1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1026X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1026xt1ge3-datasheets-4252.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 32,006612мг | 3Ом | 6 | 250 мВт | СИ1026 | 2 | Двойной | 250 мВт | 2 | СК-89-6 | 30пФ | 500 мА | 20 В | 60В | 250 мВт | 3Ом | 60В | 2 N-канала (двойной) | 30пФ при 25В | 1,4 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 305 мА | 0,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 1,4 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1023X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1023xt1ge3-datasheets-3425.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 8,193012мг | Неизвестный | 1,2 Ом | 6 | 250 мВт | СИ1023 | 2 | Двойной | 250 мВт | 2 | СК-89-6 | 14нс | 46 нс | -350 мА | 6В | 20 В | 250 мВт | 2,7 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | -450 мВ | 1,2 Ом @ 350 мА, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 370 мА | 1,5 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 1,2 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GWM70-01P2 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ixys-gwm7001p2-datasheets-4287.pdf | ИЗОПЛЮС-ДИЛ™ | 17 | да | EAR99 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 6 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф17 | 70А | КРЕМНИЙ | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,014 Ом | 6 Н-каналов (3-фазный мост) | 14 мОм при 35 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 110 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCT802 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-hct802tx-datasheets-4260.pdf | 6-СМД, без свинца | 6,35 мм | 2,032 мм | 4,445 мм | 25 недель | 6 | 500мВт | Двойной | 1,5 Вт | 6-СМД | 70пФ | 1,1А | 20 В | 90В | 500мВт | 5Ом | 90В | N и P-канал | 70пФ при 25В | 5 Ом при 1 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 2А 1,1А | Стандартный | 5 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD3100CT3G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-nthd3100ct1g-datasheets-5869.pdf | 20 В | 3,9А | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 8 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | NTHD3100C | 8 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 11,7 нс | 11,7 нс | 16 нс | 3,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,9 А | 12А | -20В | N и P-канал | 165пФ при 10В | 80 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1,2 В при 250 мкА | 2,9 А 3,2 А | 2,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCT802TX | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-hct802tx-datasheets-4260.pdf | 6-СМД, без свинца | 6,35 мм | 2,032 мм | 4,445 мм | 6 | 500мВт | Двойной | 1,5 Вт | 6-СМД | 70пФ | 1,1А | 20 В | 90В | 500мВт | 5Ом | 90В | N и P-канал | 70пФ при 25В | 5 Ом при 1 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 2А 1,1А | Стандартный | 5 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDR8308P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fdr8308p-datasheets-4197.pdf | -20В | -3,2А | 8-LSOP (ширина 0,130, 3,30 мм) | Без свинца | 8 | 800мВт | 800мВт | 2 | 15 нс | 15 нс | 45 нс | 3,2А | 8В | 20 В | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1240пФ при 10В | 50 мОм при 3,2 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 19 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTL2X200N085T | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixtl2x200n085t-datasheets-4263.pdf | ISOPLUSi5-Pak™ | 5 | 5 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 2 | Не квалифицированный | 80 нс | 64 нс | 65 нс | 112А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 85В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,006Ом | 1000 мДж | 85В | 2 N-канала (двойной) | 7600пФ при 25 В | 6 м Ом при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 152 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НТЗД3152ПТ5Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntzd3152pt1g-datasheets-8241.pdf | -20В | -430 мА | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 6 | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР, НИЗКИЙ ПОРОГ | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | НТЗД3152П | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Не квалифицированный | 12нс | 12 нс | 35 нс | 430 мА | 6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,43 А | 0,9 Ом | 20 пФ | -20В | 2 P-канала (двойной) | 175пФ при 16В | 900 мОм при 430 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 2,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММ300-0055П | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-fmm3000055p-datasheets-9244.pdf | i4-Pac™-5 | 5 | 5 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ОДИНОКИЙ | 260 | ФММ | 5 | 35 | 2 | Не квалифицированный | 300А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0036Ом | 2 N-канала (двойной) | 3,6 мОм при 150 А, 10 В | 4 В при 2 мА | 172 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXTL2X220N075T | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчМВ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ixys-ixtl2x220n075t-datasheets-4273.pdf | ISOPLUSi5-Pak™ | 5 | 5 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 150 Вт | 2 | Не квалифицированный | 65нс | 47 нс | 55 нс | 120А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600А | 1000 мДж | 75В | 2 N-канала (двойной) | 7700пФ при 25 В | 5,5 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 165 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВММ1000-01П | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-vmm100001p-datasheets-4275.pdf | Y3-Ли | 7 | 7 | EAR99 | неизвестный | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | ВММ | 7 | 2 | Не квалифицированный | 1 кА | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВОД, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1000А | 0,0012Ом | 2 N-канала (двойной) | 1,2 Ом при 800 А, 10 В | 4 В при 10 мА | 1000А | 2355 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1024X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1024xt1ge3-datasheets-3402.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 8,193012мг | Нет СВХК | 700мОм | 6 | Нет | 250 мВт | СИ1024 | 2 | Двойной | 250 мВт | 2 | СК-89-6 | 600 мА | 6В | 20 В | 20 В | 900 мВ | 250 мВт | 1,25 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 900 мВ | 700 мОм при 600 мА, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 485 мА | 0,75 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 700 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1016X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1016xt1ge3-datasheets-1326.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 32,006612мг | Нет СВХК | 1,2 Ом | 6 | 250 мВт | СИ1016 | 2 | 250 мВт | 2 | СК-89-6 | 600 мА | 6В | 20 В | 20 В | 800мВ | 250 мВт | 1,2 Ом | 20 В | N и P-канал | 800 мВ | 700 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 485 мА 370 мА | 0,75 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 700 мОм |
