Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI5947DU-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si5947dut1e3-datasheets-4650.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 8 | 2,3 Вт | СИ5947 | 2 | Двойной | 2,3 Вт | 2 | PowerPAK® ChipFet, двойной | 480пФ | 5 нс | 15нс | 10 нс | 25 нс | 5А | 12 В | 20 В | 10,4 Вт | 58мОм | 2 P-канала (двойной) | 480пФ при 10В | 58 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6А | 17 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 58 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6544BDQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si6544bdqt1e3-datasheets-4657.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4958 мм | 1,0414 мм | 3,0988 мм | Без свинца | 8 | Неизвестный | 32мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6544 | 8 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | 14 нс | 14 нс | 14 нс | 40 нс | 4,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,7А | 30В | N и P-канал | 1 В | 43 мОм при 3,8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3,7 А 3,8 А | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5943DU-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5943dut1e3-datasheets-4651.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 2,3 Вт | СИ5943 | 2 | Двойной | PowerPAK® ChipFet, двойной | 460пФ | 5 нс | 15нс | 7 нс | 23 нс | 6А | 8В | 12 В | 8,3 Вт | 64мОм | -12В | 2 P-канала (двойной) | 460пФ при 6В | 64 мОм при 3,6 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 6А | 15 НК при 8 В | Ворота логического уровня | 64 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6924AEDQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si6924aedqt1e3-datasheets-4672.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 8 | 33МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6924 | 8 | Двойной | 40 | 1 Вт | 2 | 950 нс | 1,4 мкс | 1,4 мкс | 7 мкс | 4,1А | 14 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 28В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 28В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 33 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 10 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6963BDQ-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si6963bdqt1e3-datasheets-4674.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 45мОм | 8 | Нет | 830мВт | СИ6963 | Двойной | 830мВт | 2 | 8-ЦСОП | 33 нс | 57нс | 57 нс | 65 нс | -3,9А | 12 В | 20 В | 830мВт | 45мОм | 2 P-канала (двойной) | 45 мОм при 3,9 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 3,4А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 45 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1563DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si1563dht1e3-datasheets-4306.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 490мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 570мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1563 | 6 | 30 | 740мВт | 2 | Другие транзисторы | 25нс | 25 нс | 15 нс | 1,13А | 8В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 450 мВ | 20 В | N и P-канал | 1 В | 280 мОм при 1,13 А, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | 1,13 А 880 мА | 2 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5515DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si5515dct1e3-datasheets-4608.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 84,99187мг | Неизвестный | 40мОм | 8 | Нет | 1,1 Вт | СИ5515 | 2 | 1,1 Вт | 2 | 1206-8 ЧипFET™ | 18 нс | 32нс | 32 нс | 42 нс | 4,4А | 8В | 20 В | 400мВ | 1,1 Вт | 69мОм | N и P-канал | 400 мВ | 40 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 4,4 А 3 А | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 40 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5904DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si5904dct1e3-datasheets-4621.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 75мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5904 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 12 нс | 35 нс | 35 нс | 19 нс | 3,1А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 75 мОм при 3,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5920DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysiliconix-si5920dct1e3-datasheets-4635.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 8 | 84,99187мг | 8 | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,04 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5920 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Не квалифицирован | 8 нс | 11нс | 7 нс | 18 нс | 4А | 5В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,12 Вт | 4А | 8В | 2 N-канала (двойной) | 680пФ при 4В | 32 мОм при 6,8 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 12 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4973DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4973dyt1e3-datasheets-4561.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,5494 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | Неизвестный | 23мОм | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4973 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 10 нс | 15нс | 90 нс | 115 нс | 7,6А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30В | 2 P-канала (двойной) | -3 В | 23 мОм при 7,6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5,8А | 56 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4944DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,12 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4944dyt1e3-datasheets-4563.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,75 мм | Без свинца | 8 | Неизвестный | 9,5 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | 75А | е3 | Матовый олово (Sn) | 30В | 1,3 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4944 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 1,3 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | 150°С | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 40 нс | 12,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3В | 30В | 2 N-канала (двойной) | 3 В | 9,5 мОм при 12,2 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 9,3А | 21 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||
| SI4933DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4933dyt1e3-datasheets-4569.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4933 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 35 нс | 47нс | 47 нс | 320 нс | 7,4А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВ | 0,014 Ом | 12 В | 2 P-канала (двойной) | 14 мОм при 9,8 А, 4,5 В | 1 В при 500 мкА | 70 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5504DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si5504dct1e3-datasheets-4592.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 165МОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5504 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 11нс | 11 нс | 14 нс | 2,1А | 20 В | 30В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 30В | N и P-канал | 1 В | 85 мОм при 2,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 2,9 А 2,1 А | 7,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4908DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4908dyt1e3-datasheets-4544.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 186,993455мг | 8 | 1,85 Вт | СИ4908 | 2 | Двойной | 1,85 Вт | 2 | 8-СО | 355пФ | 74 нс | 95нс | 95 нс | 31 нс | 5А | 16В | 40В | 2,75 Вт | 60мОм | 40В | 2 N-канала (двойной) | 355пФ при 20 В | 60 мОм при 4,1 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5А | 12 НК при 10 В | Стандартный | 60 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTJD2152PT2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-ntjd2152pt1-datasheets-0332.pdf | -8В | -775мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | 6 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Олово (Вс) | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTJD2152P | 6 | Двойной | 40 | 270мВт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | 23нс | 23 нс | 50 нс | 775 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,775А | 0,3 Ом | 40 пФ | -8В | 2 P-канала (двойной) | 225пФ при 8В | 300 мОм при 570 мА, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4992EY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4992eyt1e3-datasheets-4593.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 540,001716мг | Неизвестный | 8 | Нет | 1,4 Вт | СИ4992 | 2 | Двойной | 1,4 Вт | 2 | 8-СО | 7 нс | 10 нс | 10 нс | 22 нс | 4,8А | 20 В | 75В | 1,4 Вт | 48мОм | 2 N-канала (двойной) | 48 мОм при 4,8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3,6А | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 48 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5511DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/vishaysiliconix-si5511dct1e3-datasheets-4605.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 84,99187мг | 8 | 1,3 Вт | СИ5511 | 2 | 2 | 1206-8 ЧипFET™ | 435пФ | 15 нс | 78нс | 65 нс | 33 нс | 4А | 12 В | 30В | 3,1 Вт 2,6 Вт | 150 мОм | 30В | N и P-канал | 435пФ при 15В | 55 мОм при 4,8 А, 4,5 В | 2 В @ 250 мкА | 4А 3,6А | 7,1 нк при 5 В | Ворота логического уровня | 55 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4972DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si4972dyt1e3-datasheets-4612.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 506,605978мг | 14мОм | 8 | 2 Вт | СИ4972 | 2 | Двойной | 2 Вт | 2 | 8-СО | 1,08 нФ | 108 нс | 130 нс | 26 нс | 22 нс | 8,7А | 20 В | 30В | 3,1 Вт 2,5 Вт | 26,5 мОм | 2 N-канала (двойной) | 1080пФ при 15В | 14,5 мОм при 6 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 10,8 А 7,2 А | 28 НК при 10 В | Стандартный | 14,5 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4974DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4974dyt1e3-datasheets-4594.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 8 | да | EAR99 | неизвестный | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4974 | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Мощность полевого транзистора общего назначения | Не квалифицирован | 11нс | 6 нс | 15 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,4А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 19 мОм при 8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6А 4,4А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5903DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/vishaysiliconix-si5903dct1e3-datasheets-4618.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,0988 мм | 1,0922 мм | 1,7018 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 155 мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5903 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 13 нс | 35 нс | 25 нс | 25 нс | -2,9А | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -600мВ | -20В | 2 P-канала (двойной) | 155 мОм при 2,1 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 2,1А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5902DC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si5902dct1e3-datasheets-4599.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 3,1 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 85мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ5902 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | 7 нс | 12нс | 12 нс | 12 нс | 2,9 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 30В | 2 N-канала (двойной) | 85 мОм при 2,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 7,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5517DU-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si5517dut1e3-datasheets-4606.pdf | PowerPAK® ChipFET™ двойной | 3 мм | 750 мкм | 1,9 мм | 2,3 Вт | СИ5517 | 2 | PowerPAK® ChipFet, двойной | 520пФ | 8 нс | 35 нс | 55 нс | 40 нс | 4,6А | 8В | 20 В | 8,3 Вт | 72мОм | 20 В | N и P-канал | 520пФ при 10В | 39 мОм при 4,4 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 6А | 16 НК при 8 В | Ворота логического уровня | 39 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4953ADY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si4953adyt1e3-datasheets-4570.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Неизвестный | 53мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | 37А | е3 | Матовый олово (Sn) | 30В | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4953 | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 7 нс | 10 нс | 20 нс | 40 нс | -4,9А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 30В | 2 P-канала (двойной) | -1 В | 53 мОм при 4,9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 3,7А | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI3981DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si3981dvt1e3-datasheets-4467.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | Нет | 800мВт | СИ3981 | Двойной | 800мВт | 2 | 6-ЦОП | 30 нс | 50 нс | 50 нс | 45 нс | -1,9 А | 8В | 20 В | 800мВт | 185мОм | -20В | 2 P-канала (двойной) | 185 мОм при 1,9 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 1,6А | 5нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 185 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4511DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4511dyt1e3-datasheets-4473.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4511 | 8 | 2 | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 25 нс | 30 нс | 30 нс | 70 нс | 9,6А | 12 В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 В | 4,6А | 0,0145Ом | N и P-канал | 1,8 В | 14,5 мОм при 9,6 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 7,2 А 4,6 А | 18 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||
| SI4500BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si4500bdyt1e3-datasheets-4459.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 60мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4500 | 8 | 2 | 30 | 2,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | 20 нс | 35 нс | 35 нс | 55 нс | 9,1А | 12 В | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 6,6А | 20 В | N и P-каналы, общий сток | 1,5 В | 20 мОм при 9,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6,6 А 3,8 А | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||
| SI4330DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4330dyt1e3-datasheets-4441.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 16,5 мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4330 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | 10 нс | 10 нс | 12 нс | 40 нс | 8,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,6А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 16,5 мОм при 8,7 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 6,6А | 20 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4913DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4913dyt1e3-datasheets-4507.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | Неизвестный | 15мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4913 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 32 нс | 42нс | 42 нс | 350 нс | 9,4А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 7.1А | 20 В | 2 P-канала (двойной) | -1 В | 15 мОм при 9,4 А, 4,5 В | 1 В при 500 мкА | 7.1А | 65 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4804BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4804bdyt1e3-datasheets-4501.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 22мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4804 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 1,1 Вт | 2 | 9 нс | 10 нс | 10 нс | 19 нс | 7,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5,7А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 3 В | 22 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5,7А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI4906DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4906dyt1e3-datasheets-4512.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 39МОм | 8 | Нет | 2 Вт | СИ4906 | Двойной | 2 Вт | 2 | 8-СО | 625пФ | 9 нс | 85нс | 7 нс | 17 нс | 6,6А | 16В | 40В | 3,1 Вт | 39мОм | 40В | 2 N-канала (двойной) | 625пФ при 20 В | 39 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 6,6А | 22 НК при 10 В | Стандартный | 39 мОм |
