Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4913DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4913dyt1e3-datasheets-4507.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | Неизвестный | 15мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4913 | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 32 нс | 42нс | 42 нс | 350 нс | 9,4А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 7.1А | 20 В | 2 P-канала (двойной) | -1 В | 15 мОм при 9,4 А, 4,5 В | 1 В при 500 мкА | 7.1А | 65 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4804BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4804bdyt1e3-datasheets-4501.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 22мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4804 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 1,1 Вт | 2 | 9 нс | 10 нс | 10 нс | 19 нс | 7,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5,7А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 3 В | 22 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5,7А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4906DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -50°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4906dyt1e3-datasheets-4512.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 39МОм | 8 | Нет | 2 Вт | СИ4906 | Двойной | 2 Вт | 2 | 8-СО | 625пФ | 9 нс | 85нс | 7 нс | 17 нс | 6,6А | 16В | 40В | 3,1 Вт | 39мОм | 40В | 2 N-канала (двойной) | 625пФ при 20 В | 39 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 6,6А | 22 НК при 10 В | Стандартный | 39 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4910DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si4910dyt1e3-datasheets-4516.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 27мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4910 | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | 6 нс | 60нс | 5 нс | 22 нс | 6А | 16В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт | 6А | 5 мДж | 40В | 2 N-канала (двойной) | 855пФ при 20 В | 27 мОм при 6 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 7,6А | 32 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4830ADY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | МАЛЕНЬКАЯ НОГА® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si4830adyt1e3-datasheets-4497.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 186,993455мг | 22мОм | 8 | Нет | 1,1 Вт | СИ4830 | 2 | 8-СО | 9 нс | 10 нс | 10 нс | 19 нс | 5,7А | 20 В | 30В | 1,1 Вт | 22мОм | 2 Н-канала (полумост) | 22 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 5,7А | 11 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 22 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4569DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4569dyt1e3-datasheets-4504.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 27мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4569 | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | 105 нс | 60 нс | 60 нс | 6А | 16В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт 3,2 Вт | 6А | 5 мДж | 40В | N и P-канал | 855пФ при 20 В | 27 мОм при 6 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 7,6 А 7,9 А | 32 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4388DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4388dyt1e3-datasheets-4448.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | 8 | 506,605978мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,5 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ4388 | 8 | 2 | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 14 нс | 15 нс | 15 нс | 40 нс | 8,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,3 Вт 3,5 Вт | 11,3А | 40А | 30В | 2 Н-канала (полумост) | 946пФ при 15 В | 16 мОм при 8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 10,7 А 11,3 А | 27 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3993DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si3993dvt1e3-datasheets-4452.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 6 | 12 недель | 19,986414мг | Неизвестный | 133 мОм | 6 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3993 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 10 нс | 16нс | 16 нс | 17 нс | -2,2 А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 А | 2 P-канала (двойной) | -3 В | 133 мОм при 2,2 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 1,8 А | 5нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI4565ADY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si4565adyt1e3-datasheets-4456.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 39мОм | 8 | 2 Вт | СИ4565 | Двойной | 2 Вт | 2 | 8-СО | 625пФ | 21 нс | 90 нс | 56 нс | 44 нс | 4,5 А | 16В | 40В | 3,1 Вт | 54мОм | 40В | N и P-канал | 625пФ при 20 В | 39 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 6,6 А 5,6 А | 22 НК при 10 В | Стандартный | 39 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4563DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si4563dyt1e3-datasheets-4444.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 186,993455мг | Неизвестный | 25мОм | 8 | EAR99 | Олово | е3 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4563 | 8 | 2 | 40 | 2 Вт | 2 | Не квалифицированный | 33 нс | 93нс | 69 нс | 80 нс | 8А | 16В | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 3,25 Вт | 8А | N и P-канал | 2390пФ при 20 В | 16 мОм при 5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 85 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI4567DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si4567dyt1e3-datasheets-4470.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | Нет СВХК | 60мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,95 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4567 | 8 | Двойной | 40 | 2,75 Вт | 2 | Другие транзисторы | 93нс | 93 нс | 19 нс | 3,6А | 16В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,2 В | 2,75 Вт 2,95 Вт | 4,1А | 40В | N и P-канал | 355пФ при 20 В | 2,2 В | 60 мОм при 4,1 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5А 4,4А | 12 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4340DY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysiliconix-si4340dyt1e3-datasheets-4440.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 12МОм | 14 | 1,43 Вт | СИ4340 | 14-СОИК | 22нс | 22 нс | 68 нс | 9,9А | 16В | 20 В | 1,14 Вт 1,43 Вт | 12мОм | 2 N-канала (двойной) | 12 мОм при 9,6 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 7,3 А 9,9 А | 15 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 12 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1988DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si1988dht1e3-datasheets-4376.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 168мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 740мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1988 | 6 | Двойной | 40 | 740мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 20 нс | 20 нс | 15 нс | 1,3А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 1,25 Вт | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 110пФ при 10В | 1 В | 168 мОм при 1,4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,1 НК при 8 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1917EDH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si1917edht1e3-datasheets-4337.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 370мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | ЧИСТЫЙ МАТОВЫЙ ТИН (SN) | 570мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1917 | 6 | Двойной | 30 | 570мВт | 2 | Другие транзисторы | 170 нс | 470 нс | 470 нс | 960 нс | -1,15А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1А | 2 P-канала (двойной) | -450 мВ | 370 мОм при 1 А, 4,5 В | 450 мВ при 100 мкА (мин) | 1А | 2 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3948DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si3948dvt1e3-datasheets-4388.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,05 мм | 1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 6 | 19,986414мг | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,15 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3948 | 6 | Двойной | 40 | 1,15 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 7 нс | 9нс | 9 нс | 13 нс | 2,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,105 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 105 мОм при 2,5 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 3,2 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW2511NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fdw2511nz-datasheets-4422.pdf | 20 В | 7.1А | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | Нет СВХК | 8 | 1,6 Вт | 1,6 Вт | 2 | 8-ЦСОП | 1нФ | 84нс | 84 нс | 41 нс | 7.1А | 12 В | 20 В | 800мВ | 1,6 Вт | 20мОм | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1000пФ при 10В | 20 мОм при 7,1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 7.1А | 17,3 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | 20 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3850ADV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si3850advt1e3-datasheets-4389.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 640МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,08 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3850 | 6 | 40 | 1,08 Вт | 2 | Другие транзисторы | 34 нс | 34 нс | 18 нс | 1,4 А | 12 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 20 В | N и P-каналы, общий сток | 1,5 В | 300 мОм при 500 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,4 А 960 мА | 1,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3585DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si3585dvt1e3-datasheets-4406.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3,1 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | Неизвестный | 200МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3585 | 6 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 11 нс | 34 нс | 34 нс | 19 нс | 19А | 12 В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600мВ | 2А | 20 В | N и P-канал | 600 мВ | 125 мОм при 2,4 А, 4,5 В | 600 мВ при 250 мкА (мин) | 2А 1,5А | 3,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4501ADY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-si4501adyt1e3-datasheets-4443.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,5494 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 18мОм | 8 | Нет | 1,3 Вт | СИ4501 | 1,3 Вт | 2 | 8-СО | 21 нс | 45нс | 45 нс | 60 нс | 6,3А | 8В | 30В 8В | 1,3 Вт | 42мОм | 8В | N и P-каналы, общий сток | 18 мОм при 8,8 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 6,3 А 4,1 А | 20 НК при 5 В | Ворота логического уровня | 18 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3983DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si3983dvt1e3-datasheets-4446.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 830мВт | СИ3983 | Двойной | 830мВт | 6-ЦОП | 55нс | 55 нс | 55 нс | -2,5 А | 8В | 20 В | 830мВт | 110мОм | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 110 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,1 В при 250 мкА | 2,1А | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | 110 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1970DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si1970dht1e3-datasheets-4363.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 225 мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 1,25 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | СИ1970 | 6 | Двойной | 40 | 740мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 10 нс | 10 нс | 10 нс | 1,3А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 2 N-канала (двойной) | 95пФ при 15В | 1,6 В | 225 мОм при 1,2 А, 4,5 В | 1,6 В при 250 мкА | 3,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3588DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si3588dvt1e3-datasheets-4374.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 145 мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | ЧИСТЫЙ МАТОВЫЙ ТИН (SN) | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3588 | 6 | Двойной | 30 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 29нс | 29 нс | 24 нс | 3А | 8В | КРЕМНИЙ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 450 мВ | 830 МВт 83 МВт | 20 В | N и P-канал | 450 мВ | 80 мОм при 3 А, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 2,5 А 570 мА | 7,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ1905ДЛ-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si1905dlt1e3-datasheets-4352.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 600мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1905 | 6 | Двойной | 20 | 270мВт | 2 | 6 нс | 25нс | 25 нс | 10 нс | 570 мА | 8В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,57 А | 8В | 2 P-канала (двойной) | -450 мВ | 600 мОм при 570 мА, 4,5 В | 450 мВ при 250 мкА (мин) | 2,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1912EDH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-si1912edht1e3-datasheets-4349.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,05 мм | 900 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 280мОм | 6 | да | EAR99 | ЗАЩИТА ОТ ЭСР | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 570мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1912 | 6 | Двойной | 30 | 570мВт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 45 нс | 85нс | 85 нс | 350 нс | 1,28А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 450 мВ | 1,13А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 450 мВ | 280 мОм при 1,13 А, 4,5 В | 450 мВ при 100 мкА (мин) | 1,13А | 1 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3951DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si3951dvt1ge3-datasheets-3040.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | Неизвестный | 115мОм | 6 | 1,14 Вт | СИ3951 | Двойной | 1,14 Вт | 6-ЦОП | 250пФ | 30 нс | 30 нс | 32 нс | -2,7 А | 12 В | 20 В | -1,5 В | 2 Вт | 115мОм | 20 В | 2 P-канала (двойной) | 250пФ при 10В | -1,5 В | 115 мОм при 2,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,7А | 5,1 нк при 5 В | Ворота логического уровня | 115 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1555DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si1555dlt1e3-datasheets-4378.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,1844 мм | 990,6 мкм | 1,3462 мм | Без свинца | Нет СВХК | 600МОм | 6 | Нет | 270мВт | СИ1555 | Одинокий | 270мВт | 2 | СК-70-6 (СОТ-363) | 25нс | 25 нс | 10 нс | 660 мА | 8В | 20В 8В | 600мВ | 270мВт | 600мОм | -8В | N и P-канал | 600 мВ | 385 мОм при 660 мА, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 660 мА 570 мА | 1,2 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 385 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1958DH-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si1958dht1e3-datasheets-4354.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 340мОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 740мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1958 | 6 | Двойной | 40 | 740мВт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 8 нс | 25нс | 25 нс | 10 нс | 1,3А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 1,25 Вт | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 105пФ при 10В | 1,6 В | 205 мОм при 1,3 А, 4,5 В | 1,6 В при 250 мкА | 3,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3586DV-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si3586dvt1e3-datasheets-4402.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | Неизвестный | 110мОм | 6 | да | EAR99 | БЫСТРОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3586 | 6 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | Другие транзисторы | 55нс | 55 нс | 55 нс | 2,9 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 В | 20 В | N и P-канал | 1,1 В | 60 мОм при 3,4 А, 4,5 В | 1,1 В при 250 мкА | 2,9 А 2,1 А | 6 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1029X-T1-E3 | Вишай Силиконикс | $3,72 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si1029xt1ge3-datasheets-1515.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 32,006612мг | Нет СВХК | 4Ом | 6 | 250 мВт | СИ1029 | 2 | Одинокий | 250 мВт | 2 | СК-89-6 | 30пФ | 20 нс | 35 нс | 500 мА | 20 В | 60В | 60В | 2,5 В | 250 мВт | 4Ом | 60В | N и P-канал | 30пФ при 25В | 2,5 В | 1,4 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 305 мА 190 мА | 0,75 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | 3 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФММ150-0075П | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ixys-fmm1500075p-datasheets-4327.pdf | i4-Pac™-5 | 5 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, ПРИЗНАННАЯ УЛ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | ФММ | 5 | НЕ УКАЗАН | 2 | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т5 | 150А | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 75В | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,0042Ом | 2 N-канала (двойной) | 4,2 мОм при 120 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 225 НК при 10 В | Стандартный |
