Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактМодули Силеоводж
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | ТИП | В припании | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТЕКУИГИГ | Naprayeseee | Коунфигура | Naprayжeniee - yзolyahip | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FAM65HR51XS2 | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Чereз dыru | 16-sip-otkrыtain-ploщadka, sphormirovanne otwedenevy | 64 а | 650 | H-omoSt иертор | - | OnSemi | |||
| FAM65HR51XS1 | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Чereз dыru | 16-sip-otkrыtain-ploщadka, sphormirovanne otwedenevy | 64 а | 650 | H-omoSt иертор | - | OnSemi | |||
| FDMF5176 | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | 25-PowerWfqfn | 45 а | 25 В | 3 февраля | - | OnSemi | |||
| NFVA35065L42 | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | ASPM 27 | Чereз dыru | 27-powerdip momodooly (1,205 ", 30,60 мм) | 50 а | 650 | 3 феврал | 2500vrms | OnSemi | |||
| NFAM0512L5B | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Чereз dыru | Модуль 39-PowerDip (1413 ", 35,90 мм), 29 Свин | 5 а | 1,2 кв | 3 феврал | 2500vrms | OnSemi | |||
| NFAM5065L4BL | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Чereз dыru | Модуль 39-PowerDip (1413 ", 35,90 мм), 29 Свин | 50 а | 650 | 3 феврал | 2500vrms | OnSemi | |||
| FSAM50SM60G | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | OnSemi | ||||||||||
| FSBS10SM60I | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | OnSemi | ||||||||||
| STGIK50CH65T | Stmicroelectronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Чereз dыru | МОДУЛЯ 30-POWERDIP | 50 а | 650 | 3 феврал | 2500vrms | Stmicroelectronics | |||
| NFA50460R4B | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | Дюжеса в SPM? 5 | Чereз dыru | Модуль 23-PowerDip (0,551 ", 14,00 мм) | 4 а | 600 | 3 феврал | 1500vrms | OnSemi | |||
| IPS2050HTR | Stmicroelectronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Stmicroelectronics | |||||||||||
| NFA41560R42 | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | Чereз dыru | Модул 26-PowerDip (1024 ", 26,00 мм) | 15 а | 600 | 3 феврал | 2000vrms | OnSemi | ||||
| IPS2050HTR-32 | Stmicroelectronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Stmicroelectronics | ||||||||||
| Im111x6q1bauma1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | Автомобиль, AEC-Q100, CIPOS? | Пефер | 39-Powervqfn | 12 а | 600 | H-omoSt | 1500vrms | Infineon Technologies | |||
| NFVA36065L42 | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | ASPM 27 | Чereз dыru | 27-powerdip momodooly (1,205 ", 30,60 мм) | 60 а | 650 | 3 феврал | 2500vrms | OnSemi | |||
| FDMF5085 | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | 39-Powervfqfn | 108 а | 25 В | 3 февраля | - | OnSemi | |||
| NFAQ0560R43T | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Чereз dыru | Модуль 38-PowerDip (0,610 ", 24,00 мм), 24 Свина | 600 | 3 феврал | 2000vrms | OnSemi | ||||
| NFAM3065L4BTL | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Чereз dыru | Модуль 39-PowerDip (1413 ", 35,90 мм), 29 Свин | 30 а | 650 | 3 феврал | 2500vrms | OnSemi | |||
| AOZ5116QI-01 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 55 а | 25 В | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||
| NFA50460R47 | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | Дюжеса в SPM? 5 | Пефер | 4 а | 600 | 3 феврал | 1500vrms | OnSemi | ||||
| NFAQ1560R43T | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Чereз dыru | Модуль 38-PowerDip (0,610 ", 24,00 мм), 24 Свина | 15 а | 600 | 3 феврал | 2000vrms | OnSemi | |||
| AOZ5277QI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | 39-Powervfqfn | 60 а | 20 | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||
| AOZ5273QI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | 39-Powervfqfn | 70 а | 20 | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||
| AOZ5279QI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | 39-Powervfqfn | 60 а | 20 | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||
| NFAP0560L3TT | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Чereз dыru | Модуль 29-майкки, 21лидир, С. Формировананна | 5 а | 600 | 3 феврал | 2000vrms | OnSemi | |||
| AOZ5517QI-02 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 60 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ||||
| NXV65HR82DZ1 | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | Автомобиль, AEC-Q101 | Чereз dыru | 16-sip-otkrыtain-ploщadka, sphormirovanne otwedenevy | 26 а | 650 | H-omoSt | 5000 дней | OnSemi | |||
| NXV65HR82DS2 | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | Автомобиль, AEC-Q101 | Чereз dыru | 16-sip-otkrыtain-ploщadka, sphormirovanne otwedenevy | 26 а | 650 | H-omoSt | 5000 дней | OnSemi | |||
| BM64377S-VA | ROHM Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Чereз dыru | Модул 25-PowerDip (1,134 ", 28,80 мм) | 30 а | 600 | 3 феврал | 1500vrms | ROHM Semiconductor | |||
| FAM65CR51ADZ2 | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | Автомобиль, AEC-Q101 | Чereз dыru | 12-sip-otkrыtai-anploщaudka, sformirovanne otwedenevy | 41 а | 650 | Поломвинамос | 5000 дней | OnSemi |
