Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактМодули Силеоводж
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | ТИП | В припании | Управый | МОНТАНАНГИП | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | Колист | Верна - | МАССА | Колист | Статус жIзnennogogo цikla | PBFREE CODE | КОД ECCN | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | ТЕКУИГИГ | HTS -KOD | Колист | Н. | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Naprayeseee | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Аналогово | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Кваликакахионн Статус | Коунфигура | Tykuщiй rerйting | Колист | Naprayжeniee - yзolyahip | Power Dissipation-Max | На | NapraheneEnee yзluчalelelelekelekhyonera (vceo) | МАККСКОЛЕРНА | В конце | ТОК - В.О. | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOZ5613QI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 65 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NFAQ0860L36T | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Чereз dыru | Модуль 38-PowerDip (0,610 ", 24,00 мм), 24 Свина | 8 а | 600 | 3 феврал | 2000vrms | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5017QI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 60 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5612BQI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 60 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5317UQI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 60 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5616BQI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 55 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5311UQI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 50 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5613BQI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 65 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5016QI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 55 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5117QI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 60 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5316NQI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 55 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5517QI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 60 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5312UQI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 60 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5507QI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | 22-powervfqfn modooly | 30 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FSB50550BL | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | Дюжеса в SPM? 5 | Чereз dыru | Модуль 23-PowerDip (0,551 ", 14,00 мм) | 3 а | 500 | 3 феврал | 1500vrms | OnSemi | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5007AQI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | 22-powervfqfn modooly | 30 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5311NQI_2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 50 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIM704H50B | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | 28 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм), 19 проводников | 2 а | 500 | 3 феврал | 1500vrms | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIM702H50B | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | 28 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм), 19 проводников | 1,5 а | 500 | 3 феврал | 1500vrms | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKCS12G60DABKMA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Infineon Technologies | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5516QI_2 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 55 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AOZ5116QI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 55 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IFF150B12U1E4BOMA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Infineon Technologies | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ht4145arz | Htcsemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NFAQ0860L33T | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FSB50825US | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 150 ° С | -40 ° С | 160 мка | ROHS COMPRINT | /files/onsemoronductor-fsb50825us-datasheets-8083.pdf | Модул | 29 ММ | 3,1 мм | 12 ММ | 150 | 23 | 5.142G | 23 | Актио, а на рец (posledonniй obnownen: 1 декабря) | в дар | Ear99 | 4 а | 8541.29.00.95 | E3 | Олово (sn) | 250 | Дон | PIN/PEG | 260 | 30 | Н.Квалиирована | 4 а | 3 | 14 Вт | 250 | 250 | 4 а | 150 | 4 а | |||||||||||||||||
| FSB50250US | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 150 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2014 | /files/onsemyonductor-fsb50250us-datasheets-0379.pdf | Модул | 29 ММ | 3,1 мм | 12 ММ | 400 | 23 | 36 nedely | 5.142G | 23 | Актио, а на рец (posledonniй obnownen: 1 декабря) | в дар | Ear99 | Не | 1.1a | 8541.29.00.95 | 1 | 200 мк | E3 | Олово (sn) | 500 | Дон | Крхлоп | 260 | 15 | Коунтрлл -Дюрател афел | 30 | 1.1a | 13 Вт | 500 | 500 | 1.1a | ||||||||||||||
| IMIC22V05X6SA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IMIC34V01X6SA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IMIC32V06X6SA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 (neograniчennnый) |
