Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактМодули Силеоводж
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | ТИП | В припании | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ТЕКУИГИГ | Naprayeseee | Коунфигура | Naprayжeniee - yзolyahip | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FSAM75SM60SL | Fairchild (napoluprovodonke) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | SPM? | Чereз dыru | Модуль 32-PowerDip (1370 ", 34,80 мм) | 75 а | 600 | 3 февраля | 2500vrms | Fairchild Semiconductor | |||
| FSBS15SM60I | Fairchild (napoluprovodonke) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Fairchild Semiconductor | ||||||||||
| FSBS15CH60AA | Fairchild (napoluprovodonke) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Fairchild Semiconductor | ||||||||||
| FSBS10NH60I | Fairchild (napoluprovodonke) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Fairchild Semiconductor | ||||||||||
| IRAMX30TP60A-INF | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Чereз dыru | Модулб и 23 псевдонимов, 19 лгув, сфармированов | 30 а | 600 | 3 феврал | 2000vrms | Infineon Technologies | |||
| Irams06up60a | ДОДЕЛИНАРЕДНА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | Imotion? | Чereз dыru | Модулб и 23 псевдонимов, 19 лгув, сфармированов | 6 а | 600 | 3 февраля | 2000vrms | ДОДЕЛИНАРЕДНА | |||
| Iram236-1067a | ДОДЕЛИНАРЕДНА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | - | Чereз dыru | Модуль 29-майкки, 21лидир, С. Формировананна | - | - | ДОДЕЛИНАРЕДНА | |||||
| NFAQ1060L33T | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Чereз dыru | Модуль 38-PowerDip (0,610 ", 24,00 мм), 24 Свина | 10 а | 600 | 3 феврал | 2000vrms | OnSemi | |||
| CA3292 UTRA | ХArrISCORPORAHIN | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Пефер | 28 SOIC (0,295 дюйма, Ирина 7,50 мм) | 1,6 а | 36 | 3 феврал | - | ХArrISCORPORAHIN | |||
| Im393m6fpxkla1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | Cipos? | Чereз dыru | Модулб с 26 псевньянми, 22 лгун | 10 а | 600 | 3 феврал | 2000vrms | Infineon Technologies | |||
| FSBS10SM60I | Fairchild (napoluprovodonke) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Fairchild Semiconductor | ||||||||||
| IM393S6FPXKLA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | Cipos? | Чereз dыru | Модулб с 26 псевньянми, 22 лгун | 6 а | 600 | 3 феврал | 2000vrms | Infineon Technologies | |||
| NVG800A75L4DSC | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | ШASCI | Модул | 800 а | 750 | Поломвинамос | 4200vrms | OnSemi | |||
| FSAM10SH60A-FS | Fairchild (napoluprovodonke) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | Дюжеса в SPM? | Чereз dыru | Модуль 32-PowerDip (1370 ", 34,80 мм) | 10 а | 600 | 3 феврал | 2500vrms | Fairchild Semiconductor | |||
| FSB50550TB2 | Fairchild (napoluprovodonke) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Плет | SPM? | Чereз dыru | 23-Dip Module | 1,8 а | 500 | 3 февраля | 1500vrms | Fairchild Semiconductor | |||
| IRAM136-1060BS | ДОДЕЛИНАРЕДНА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | Imotion? | Чereз dыru | Модуль 29-sip, 21лидрер, сфармированов | 3,6 а | 600 | 3 феврал | 2000vrms | ДОДЕЛИНАРЕДНА | |||
| FCBS0550-ON | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | OnSemi | ||||||||||
| FSBB30CH60CM | Fairchild (napoluprovodonke) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Fairchild Semiconductor | ||||||||||
| MSCSM120SKM11CT3AG | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | ШASCI | Модул | 254 а | 1,2 кв | 1 феврал | 4000 дней | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | |||
| MSCSM70TAM05TPAG | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | ШASCI | Модул | 273 а | 700 | 3 феврал | - | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | |||
| IKCM20L60GBXKMA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Infineon Technologies | ||||||||||
| IRAM136-1061A2-IR | ДОДЕЛИНАРЕДНА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | Imotion? | Чereз dыru | 23-sip, 19 LiDOW, С. Формированан. | 12 а | 600 | 3 феврал | 2000vrms | ДОДЕЛИНАРЕДНА | |||
| IRAM136-1060A | ДОДЕЛИНАРЕДНА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | - | Чereз dыru | Модуль 29-майкки, 21лидир, С. Формировананна | 10 а | 600 | 3 февраля | 2000vrms | ДОДЕЛИНАРЕДНА | |||
| IRAM256-1067A2 | ДОДЕЛИНАРЕДНА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Igbt | Imotion? | Чereз dыru | Модуль 29-майкки, 21лидир, С. Формировананна | 10 а | 600 | 3 февраля | 2000vrms | ДОДЕЛИНАРЕДНА | |||
| IFS100B12N3E4B31BDLA1 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Infineon Technologies | ||||||||||
| FSB50450BSL | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | Дюжеса в SPM? 5 | Пефер | Модуль 23-powersmd, krыlogly | 2,2 а | 500 | 3 феврал | 1500vrms | OnSemi | |||
| AOZ5118QI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 65 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ||||
| AOZ5312NQI | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 60 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ||||
| AOZ5117QI-01 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 60 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ||||
| AOZ5118QI-01 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МОСС | - | Пефер | Модуль 31-Powervfqfn | 65 а | 1 феврал | - | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
