Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРЧ МОП-транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Коэффициент шума | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Прирост активности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальная выходная мощность | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Минимальное напряжение проба | Текущий — Тест | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип транзистора | Номинальный объем | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БЛП7Г22-10З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,14 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nxpusainc-blp7g2210135-datasheets-7482.pdf | 12-ВДФН Открытая площадка | 13 недель | БЛП7Г22 | 16 дБ | 12-ХВСОН (6х4) | 2 Вт | 110 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD57006STR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 945 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-pd57006e-datasheets-3014.pdf | 1А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 прямых провода) | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | 20 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | PD57006 | 10 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 20 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф2 | 1А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6 Вт | 70 мА | 1А | 65В | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛА9Г1011LS-300ГУ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 1,03–1,09 ГГц | /files/ampleonusainc-bla9g1011l300u-datasheets-7707.pdf | СОТ-502Б | 13 недель | 21,8 дБ | 317 Вт | 4,2 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD84006-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd84006e-datasheets-9918.pdf | 5А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | 2 | 52 недели | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 59 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | PD84006 | 10 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 59 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г2 | 5А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6 Вт | 150 мА | 5А | 25 В | ЛДМОС | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ05MS031NR1 | NXP США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 40В | 520 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ТО-270АА | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.40 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 260 | АФТ05МС031 | 150°С | 40 | Полевой транзистор общего назначения | 17,7 дБ | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 294 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 31 Вт | 10 мА | ЛДМОС | 13,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ27С010НТ1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,17 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ПЛД-1,5Вт | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.40 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 260 | 150°С | 40 | Полевой транзистор общего назначения | 21,7 дБ | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,26 Вт | 90 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ09MS031NR1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 40В | 870 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | ТО-270АА | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.40 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 260 | АФТ09МС031 | 150°С | 40 | Полевой транзистор общего назначения | 17,2 дБ | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 317 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 31 Вт | 500 мА | ЛДМОС | 13,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFM12U7X(TE12L,Q) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 520 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | 4А | ТО-271АА | неизвестный | 20 Вт | 10,8 дБ | 4А | 10 В | 20 В | 12 Вт | 750 мА | N-канал | 7,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD54008L-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stevaltdr015v1-datasheets-4413.pdf | 3,1 В | 5А | 8-PowerVDFN | Без свинца | 5 | 12 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 26,7 Вт | КВАД | 260 | PD54008 | 14 | Одинокий | 30 | 26,7 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | S-PQCC-N5 | 5А | 15 В | 15 дБ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8 Вт | 200 мА | 5А | 25 В | ЛДМОС | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП35М805З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 2,14 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blp35m805z-datasheets-9812.pdf | 16-ВДФН Открытая площадка | 13 недель | 18 дБ | 16-ХВСОН (6х4) | 750 мВт | 55 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ05MS003NT1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 30В | 520 МГц | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nxpusainc-aft05ms003nt1-datasheets-9656.pdf | ТО-243АА | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20,8 дБ | 3 Вт | 100 мА | ЛДМОС | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFM03U3CT(TE12L) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | 16В | 520 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | 3А | 2-СМД, площадка без контакта со свинцом | 7 Вт | 14,8 дБ | РФ-CST3 | 2,5 А | 3В | 16В | 3 Вт | 3А | 500 мА | N-канал | 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ09МС015НТ1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 40В | 870 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ПЛД-1,5Вт | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.40 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 40 | 17,2 дБ | 16 Вт | 100 мА | ЛДМОС | 12,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3СК292(ТЭ85Р,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | 500 МГц | ДВОЙНЫЕ ВОРОТА, РЕЖИМ ИСТОЩЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | 30 мА | СК-61АА | 4 | 52 недели | 4 | ДА | 150 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | 26 дБ | 1,4 дБ | 30 мА | 8В | УСИЛИТЕЛЬ | 12,5 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 мА | 0,03 А | N-канальный двойной клапан | 6В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ05MS004NT1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 30В | 520 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | ТО-243АА | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 40 | 20,9 дБ | 4,9 Вт | 100 мА | ЛДМОС | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9G15XS-400АВТЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 1452–1511 ГГц | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blc9g15xs400avtz-datasheets-9707.pdf | СОТ-1258-7 | 13 недель | 16,5 дБ | 400 Вт | ЛДМОС | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC10G18XS-550АВТЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 1,805–1,88 ГГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blc10g18xs550avtz-datasheets-9711.pdf | СОТ-1258-4 | 13 недель | 16 дБ | 550 Вт | 2,8 мкА | 800мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLSC9G2731XS-200Z | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 65В | 2,7 ГГц~3,1 ГГц | Соответствует ROHS3 | СОТ-1270-1 | 13 недель | 14 дБ | 200 Вт | 2,8 мкА | 200 мА | ЛДМОС | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD55008L-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 40В | 5А | 8-PowerVDFN | Без свинца | 5 | 8 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 19,5 Вт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | PD55008 | 5 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 19,5 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 19 дБ | Не квалифицирован | S-PQCC-N5 | 5А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8 Вт | 150 мА | 5А | 40В | ЛДМОС | 12,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 511 215 бельгийских франков | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 20 В | 100 МГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-bf512235-datasheets-7325.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 8 недель | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФ511 | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г3 | 1,5 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,25 Вт | 20 В | СОЕДИНЕНИЕ | 30 мА | 5мА | 0,03 А | 0,4 пФ | N-канальный JFET | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD84008L-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stevaltdr021v1-datasheets-8263.pdf | 7А | 8-PowerVDFN | 5 | 11 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 26,7 Вт | КВАД | 225 | PD84008 | 14 | Одинокий | 26,7 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15,5 дБ | S-PQCC-N5 | 7А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 250 мА | 7А | 25 В | ЛДМОС | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD84001 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd84001-datasheets-9552.pdf | 1,5 А | ТО-243АА | Без свинца | 4 | 11 недель | 130,492855мг | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 6 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | PD84001 | 4 | Одинокий | 30 | 6 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф4 | 1,5 А | 15 В | 15 дБ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 18В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт | 30 дБм | 18В | 50 мА | ЛДМОС | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PD55003L-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | СМД/СМТ | 150°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd55003le-datasheets-9726.pdf | 12 В | 2,5 А | 8-PowerVDFN | 5 мм | 880 мкм | 5 мм | Без свинца | 5 | 11 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 14 Вт | КВАД | 260 | PD55003 | 5 | Одинокий | 30 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 19 дБ | S-PQCC-N5 | 34пФ | 2,5 А | 15 В | 40В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт | 50 мА | ЛДМОС | 5 В | 12,5 В | |||||||||||||||||||||||||||
| AFM907NT1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 30В | 136–941 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nxpusainc-afm907nt1-datasheets-9615.pdf | 16-ВДФН Открытая площадка | 14 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8,4 Вт | 10 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 10,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ8Г22ЛС-270ГВ,12 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | 65В | 2,11 ГГц~2,17 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf8g22ls270gvj-datasheets-8949.pdf | СОТ-1244С | 6 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BLF8G22 | НЕ УКАЗАН | 1 | 17,3 дБ | Р-CDSO-G6 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 80 Вт | 2,4А | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF184XRGQ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | 135 В | 108 МГц | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf184xrgj-datasheets-0342.pdf | СОТ-1214С | 13 недель | 23,9 дБ | 700 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFC270101M-V1-R1K | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 65В | 2,17 ГГц | Соответствует RoHS | 10-ЛДФН Открытая площадка | 12 недель | 20,5 дБ | ПГ-СОН-10 | 2,4 Вт | 120 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFM906NT1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 30В | 136–941 МГц | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/nxpusainc-afm906nt1-datasheets-9622.pdf | 16-ВДФН Открытая площадка | 14 недель | EAR99 | совместимый | 260 | 40 | 6,8 Вт | 2мкА | 100 мА | ЛДМОС | 10,8 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN5033 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 20 В | 1 кГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-pn5033-datasheets-9625.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 8 недель | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | 125°С | Малый сигнал общего назначения на левом транзисторе | 2 дБ | 0,35 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | P-канал | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ1518НТ1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 40В | 520 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/nxpusainc-mrf1518nt1-datasheets-9627.pdf | ПЛД-1,5 | 4 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | МРФ1518 | 150°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 13 дБ | Не квалифицирован | Р-PQSO-N4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 62,5 Вт | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8 Вт | 4А | 150 мА | 4А | ЛДМОС | 12,5 В |
