Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактRF MOSFET транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальная выходная мощность | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Код JEDEC-95 | Текущий — Тест | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STAC2942BW | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 175 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stac2942b-datasheets-3134.pdf | 40А | СТАК244Ф | Без свинца | 32 недели | 5 | EAR99 | Нет | 625 Вт | СТАК294 | 625 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 21 дБ | 40А | 20 В | Одинокий | 130 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 450 Вт | 250 мА | 130 В | N-канал | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC8G27LS-210ПВЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 2,6 ГГц~2,7 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ampleonusainc-blc8g27ls210pvy-datasheets-0185.pdf | СОТ-1251-3 | 13 недель | 17 дБ | 8-ДФМ | 65 Вт | 1,73А | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТАК2933 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stac2933-datasheets-8984.pdf | 40А | СТАК177Б | 32 недели | 5 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 795 Вт | СТАК293 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 23,5 дБ | 40А | 20 В | Одинокий | 130 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400 Вт | 250 мА | 130 В | N-канал | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9H10XS-500AZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 105В | 617–960 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-blc9h10xs500az-datasheets-9301.pdf | СОТ1273-1 | 13 недель | 18,9 дБ | 500 Вт | 1,4 мкА | 500 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 48В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF8G20LS-400PGVQ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | 65В | 1,81 ГГц~1,88 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/ampleonusainc-blf8g20ls400pvu-datasheets-0059.pdf | СОТ-1242С | 8 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | BLF8G20 | НЕ УКАЗАН | 2 | 19 дБ | Р-CDSO-G8 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 95 Вт | 3,4А | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC10G27XS-551АВТЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 13 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF888EU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 104В | 600 МГц~700 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf888eu-datasheets-9108.pdf | СОТ539А | 13 недель | 17 дБ | СОТ539А | 750 Вт | 600 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD55003TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd55003se-datasheets-9103.pdf | 2,5 А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | 2 | 25 недель | 4 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 31,7 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | PD55003 | 10 | Одинокий | 30 | 31,7 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17 дБ | Р-ПДСО-Г2 | 2,5 А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт | 50 мА | 40В | ЛДМОС | 12,5 В | ||||||||||||||||||||||||||
| BLF2425M7LS250P,11 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 2,45 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf2425m7l250p112-datasheets-8984.pdf | СОТ539Б | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLF2425 | НЕ УКАЗАН | 2 | 15 дБ | Р-CDFP-F4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 250 Вт | 20 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MW6S010NR1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 68В | 960 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-mw6s010gnr1-datasheets-8724.pdf | ТО-270АА | 2 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | MW6S010 | 225°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 18 дБ | Не квалифицированный | Р-ПДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 61,4 Вт | 68В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 Вт | 125 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CLF1G0035S-100,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 150 В | 3 ГГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-clf1g0035s100112-datasheets-9115.pdf | СОТ467Б | 2 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | CLF1G0035 | НЕ УКАЗАН | 1 | 12 дБ | Р-CDFP-F2 | НИТРИД ГАЛЛИЯ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 150 В | ВЫСОКАЯ ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ | 100 Вт | 330 мА | ХЕМТ | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLL6H1214-500,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 100В | 1,2 ГГц~1,4 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ampleonusainc-bll6h1214500112-datasheets-9121.pdf | СОТ539А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLL6H1214 | НЕ УКАЗАН | 2 | 17 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500 Вт | 150 мА | 45А | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ1105Р,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 7В | 800 МГц | ДВОЙНЫЕ ВОРОТА, РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/nxpusainc-bf1105215-datasheets-6251.pdf | СОТ-143Р | 4 | 13 недель | EAR99 | 8541.21.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФ1105 | 4 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 20 дБ | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г4 | 1,7 дБ | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | 7В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30 мА | 0,03 А | 0,04 пФ | N-канальный двойной клапан | 5В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ6Г13Л-250П,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 100В | 1,3 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ampleonusainc-blf6g13ls250pgj-datasheets-0528.pdf | СОТ-1121А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | БЛФ6Г13 | НЕ УКАЗАН | 2 | 17 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИСТОЧНИК | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 250 Вт | 100 мА | 42А | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD55008TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 500 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd55008se-datasheets-8042.pdf | 4А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 52,8 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | PD55008 | 10 | Одинокий | 30 | 52,8 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 17 дБ | Р-ПДСО-Г2 | 4А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8 Вт | 150 мА | 4А | 40В | ЛДМОС | 12,5 В | |||||||||||||||||||||||||
| BLF888BS,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 104В | 470–860 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf888b112-datasheets-8311.pdf | СОТ539Б | 4 | 13 недель | EAR99 | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLF888 | НЕ УКАЗАН | 2 | 21 дБ | Р-CDFP-F4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 104В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 250 Вт | 2,8 мкА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ1511НТ1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 40В | 175 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-mrf1511nt1-datasheets-8786.pdf | ПЛД-1,5 | 4 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | МРФ1511 | 150°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 13 дБ | Не квалифицированный | Р-PQSO-N4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 62,5 Вт | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8 Вт | 4А | 150 мА | 4А | ЛДМОС | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ09МС031ГНР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 40В | 870 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | ТО-270БА | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.40 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 260 | АФТ09МС031 | 150°С | 40 | Полевой транзистор общего назначения | 17,2 дБ | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 317 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 31 Вт | 500 мА | ЛДМОС | 13,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD57018S-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 945 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd57018stre-datasheets-9597.pdf | 65В | 2,5 А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | Без свинца | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 31,7 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 250 | PD57018 | 10 | Одинокий | 30 | 31,7 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16,5 дБ | Р-ПДСО-Ф2 | 2,5 А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 18 Вт | 100 мА | 760мОм | 65В | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||
| PD84006L-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd84006le-datasheets-9208.pdf | 5А | 8-PowerVDFN | 8 | 11 недель | 14 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 31 Вт | ДВОЙНОЙ | 225 | PD84006 | 8 | Одинокий | 31 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | С-ПДСО-Н8 | 5А | 15 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6 Вт | 2 Вт | 150 мА | 5А | 25 В | ЛДМОС | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||
| BLC10G18XS-400АВТЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 1,805–1,88 ГГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blc10g18xs400avtz-datasheets-9215.pdf | СОТ-1258-4 | 13 недель | 15,7 дБ | 400 Вт | 2,8 мкА | 800мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD57018TR-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 945 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd57018stre-datasheets-9597.pdf | 2,5 А | PowerSO-10RF Открытая нижняя площадка (2 формованных выхода) | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 31,7 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | PD57018 | 10 | Одинокий | 30 | 31,7 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 16,5 дБ | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г2 | 2,5 А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 18 Вт | 100 мА | 760мОм | 65В | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||
| МРФ6С20010ГНР1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 68В | 2,17 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nxpusainc-mrf6s20010gnr1-datasheets-9217.pdf | ТО-270БА | 2 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | МРФ6С20010 | 225°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15,5 дБ | Не квалифицированный | Р-ПДФМ-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 68В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 Вт | 130 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF182XRSU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 135 В | 108 МГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf182xru-datasheets-9060.pdf | СОТ-1121Б | 13 недель | 28 дБ | 250 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLC9H10XS-300PZ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 108В | 600–960 МГц | /files/ampleonusainc-blc9h10xs300py-datasheets-0075.pdf | СОТ1273-1 | 13 недель | 21 дБ | 300 Вт | 1,4 мкА | 600 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП25М705З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,14 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blp25m705z-datasheets-8921.pdf | 12-ВДФН Открытая площадка | 12 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 16 дБ | Р-ПДСО-Н12 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт | МО-229 | 55 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF183XRSU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 135 В | 108 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ampleonusainc-blf183xrsu-datasheets-9034.pdf | СОТ-1121Б | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | е4 | ЗОЛОТО | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 28 дБ | Р-CDFP-F4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 135 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF8G20LS-400PVJ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 65В | 1,81 ГГц~1,88 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/ampleonusainc-blf8g20ls400pvu-datasheets-0059.pdf | СОТ-1242Б | 13 недель | BLF8G20 | 19 дБ | CDFM8 | 95 Вт | 3,4А | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF888DU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 104В | 860 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ampleonusainc-blf888du-datasheets-9040.pdf | СОТ539А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 21 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 104В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 250 Вт | 1,3А | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛА6Х0912Л-1000У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 100В | 1,03 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ampleonusainc-bla6h0912l1000u-datasheets-9047.pdf | СОТ539А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 15,5 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1000 Вт | 200 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В |
