Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРЧ МОП-транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Коэффициент шума | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальная выходная мощность | Мощность — Выход | Текущий рейтинг (А) | Код JEDEC-95 | Минимальное напряжение проба | Текущий — Тест | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| БЛП9Г0722-20ГЗ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 400 МГц~2,7 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-blp9g072220gz-datasheets-8338.pdf | СОТ-1483-1 | 13 недель | 19 дБ | 43 дБм | 1,4 мкА | 180 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММРФ1014НТ1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 68В | 1,96 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | ПЛД-1,5 | 4 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 40 | 18 дБ | Р-PQSO-N4 | КРЕМНИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 Вт | 50 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGHV96050F2 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Поднос | 1 (без блокировки) | 100В | 7,9 ГГц~9,6 ГГц | Соответствует RoHS | 6А | 440210 | 8 недель | 10 дБ | 70 Вт | 500 мА | ХЕМТ | 40В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGHV40100P | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Поднос | 1 (без блокировки) | 125 В | 0 Гц~4 ГГц | Соответствует RoHS | 8,7А | 440206 | 8 недель | 11 дБ | 116 Вт | 600 мА | ХЕМТ | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АФТ05MS006NT1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 30В | 520 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | ПЛД-1,5Вт | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | 260 | 40 | 18,3 дБ | 6 Вт | 100 мА | ЛДМОС | 7,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CG2H80060D-GP4 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 2017 год | Править | 8 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLF1G0060S-30U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 150 В | 3 ГГц~3,5 ГГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-clf1g006030u-datasheets-8542.pdf | СОТ-1227Б | 2 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | CLF1G0060 | 1 | 13 дБ | Р-CDFP-F2 | НИТРИД ГАЛЛИЯ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 150 В | ВЫСОКАЯ ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ | 30 Вт | 70 мА | ХЕМТ | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MW6S004NT1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 68В | 1,96 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nxpusainc-mw6s004nt1-datasheets-8671.pdf | ПЛД-1,5 | 4 | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.75 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | MW6S004 | 150°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 18 дБ | Не квалифицированный | Р-PQSO-N4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 68В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4 Вт | 50 мА | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGHV40320D-GP4 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Поднос | 1 (без блокировки) | 150 В | 4 ГГц | Соответствует RoHS | Править | 8 недель | 19 дБ | 320 Вт | 500 мА | ХЕМТ | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ1517НТ1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 25 В | 520 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/nxpusainc-mrf1517nt1-datasheets-8639.pdf | ПЛД-1,5 | 4 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | МРФ1517 | 150°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14 дБ | Не квалифицированный | Р-PQSO-N4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 62,5 Вт | 25 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 8 Вт | 4А | 150 мА | 4А | ЛДМОС | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CGH60120D-GP4 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Поднос | 1 (без блокировки) | 84В | 6 ГГц | Соответствует RoHS | Править | 8 недель | 13 дБ | Править | 120 Вт | 1А | ХЕМТ | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGH55030F1 | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Поднос | 1 (без блокировки) | 84В | 5,5 ГГц~5,8 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | 440166 | 8 недель | 10 дБ | 440166 | 30 Вт | 3А | 250 мА | ХЕМТ | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD57060S-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 945 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd57060tre-datasheets-9123.pdf | 65В | 7А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | Без свинца | 2 | 25 недель | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 79 Вт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 250 | PD57060 | 10 | Одинокий | 30 | 79 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14,3 дБ | Р-ПДСО-Ф2 | 7А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60 Вт | 100 мА | 7А | 65В | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||
| БЛП8Г27-5З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 65В | 2,14 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ampleonusainc-blp8g275z-datasheets-8681.pdf | 16-ВДФН Открытая площадка | 13 недель | 18 дБ | 16-ХВСОН (6х4) | 750 мВт | 55 мА | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ101БН | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 133В | 1,8–250 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/nxpusainc-mrf101an13mhz-datasheets-6422.pdf | ТО-220-3 | 12 недель | 21,1 дБ | 115 Вт | 10 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ1К50HR5 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | Непригодный | 50В | 1,8–500 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/nxpusainc-afic10275nr1-datasheets-8471.pdf | СОТ-979А | 10 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 22,5 дБ | 1500 Вт | ЛДМОС | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD57060-E | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Трубка | 3 (168 часов) | 165°С | -65°С | 945 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd57060tre-datasheets-9123.pdf | 65В | 7А | PowerSO-10 Открытая нижняя подушка | Без свинца | 2 | 25 недель | 3 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | не_совместимо | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 79 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 250 | PD57060 | 10 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 79 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 14,3 дБ | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г2 | 7А | 20 В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60 Вт | 65В | 100 мА | 7А | 65В | ЛДМОС | 28В | |||||||||||||||||||||||
| АФТ09MS007NT1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 30В | 870 МГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | ПЛД-1,5Вт | 10 недель | EAR99 | 8541.29.00.40 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 260 | 150°С | 40 | Полевой транзистор общего назначения | 15,2 дБ | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 182 Вт | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7,3 Вт | 100 мА | ЛДМОС | 7,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ1513НТ1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 40В | 520 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/nxpusainc-mrf1513nt1-datasheets-8613.pdf | ПЛД-1,5 | 4 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | 8541.29.00.75 | е3 | Олово (Вс) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | МРФ1513 | 150°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 15 дБ | Не квалифицированный | Р-PQSO-N4 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 31,2 Вт | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт | 2А | 50 мА | 2А | ЛДМОС | 12,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF578XR,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 110 В | 225 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf578xr112-datasheets-8740.pdf | СОТ539А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 23,5 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 110 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1400 Вт | 40 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGHV14500F | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Поднос | 1 (без блокировки) | 125 В | 1,2 ГГц~1,4 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | 36А | 440117 | 8 недель | 17 дБ | 440117 | 500 Вт | 36А | 500 мА | ХЕМТ | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ101АН | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 133В | 1,8–250 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/nxpusainc-mrf101an13mhz-datasheets-6422.pdf | ТО-220-3 | 12 недель | 21,1 дБ | 115 Вт | 10 мкА | 100 мА | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВРФ3933 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 250 В | 30 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-vrf3933-datasheets-8769.pdf | 20А | М177 | Без свинца | 4 | 22 недели | ДА | 648 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 1 | 22 дБ | О-ЦРФМ-Ф4 | 20А | 40В | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | 260В | 250 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300 Вт | 250 мА | N-канал | 100В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП15М7160ПИ | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 860 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blp15m7160py-datasheets-8772.pdf | СОТ-1223-1 | 4 | 13 недель | EAR99 | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 20 дБ | Р-ПДФП-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 160 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGHV27015S | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 125 В | 6 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | 12-ВФДФН Открытая площадка | 8 недель | 21 дБ | 12-ДФН (4х3) | 15 Вт | 60 мА | ХЕМТ | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БФ861Б,215 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 25 В | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/nxpusainc-bf861a215-datasheets-6459.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 8 недель | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | БФ861 | 3 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,25 Вт | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | 15 мА | ТО-236АБ | 2,7 пФ | N-канальный JFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD4933MR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd4933mr-datasheets-8796.pdf | 40А | М177 | 32 недели | 177 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 648 Вт | SD4933 | 1 | 24 дБ | 40А | 20 В | 200В | 300 Вт | 250 мА | N-канал | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ174 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 65В | 150 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/macomtechnologysolutions-mrf174-datasheets-8549.pdf | 13А | 211-11, Стиль 2 | 4 | 20 недель | 4 | да | EAR99 | Нет | 270 Вт | РАДИАЛЬНЫЙ | ПЛОСКИЙ | 4 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 11,8 дБ | 3 дБ | 13А | 40В | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 125 Вт | 2А | N-канал | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGH40045F | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Поднос | 1 (без блокировки) | 84В | 0 Гц~4 ГГц | Соответствует RoHS | 2016 год | 14А | 440193 | 12 недель | CGH40* | 14 дБ | 440193 | 55 Вт | 14А | 400 мА | ХЕМТ | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CGH40120F | Кри/Вулфспид | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Ган | Поднос | 1 (без блокировки) | 84В | 0 Гц~4 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | 28А | 440193 | 8 недель | CGH40* | 19 дБ | 120 Вт | 1А | ХЕМТ | 28В |
