Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактРЧ МОП-транзисторы(4200)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Прирост | Код JESD-30 | Входная емкость | Коэффициент шума | Время подъема | Осень (тип.) | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Прирост активности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Максимальная выходная мощность | Напряжение проба | Мощность — Выход | Самый высокий частотный диапазон | Текущий рейтинг (А) | Код JEDEC-95 | Минимальное напряжение проба | Текущий — Тест | Максимальный сток (Abs) (ID) | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Рассеяние мощности при температуре окружающей среды, макс. | Тип транзистора | Напряжение – Тест |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АФТ27С006НТ1 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,17 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | ПЛД-1,5Вт | 2 | 10 недель | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 260 | 150°С | -40°С | 40 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 22 дБ | Р-ПДФМ-Ф2 | Одинокий | Н-КАНАЛЬНЫЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 28,8 дБм | 70 мА | 1,5 Вт | ЛДМОС | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF178XR,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 110 В | 108 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf178xr112-datasheets-8142.pdf | СОТ539А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 28 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 110 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1400 Вт | 40 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD2942W | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Трубка | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 175 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd2942-datasheets-2555.pdf | 40А | М244 | Без свинца | 32 недели | 5 | EAR99 | Нет | 500 Вт | SD2942 | 2 | Полномочия общего назначения FET | 17 дБ | 40А | 20 В | Одинокий | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 Вт | 130 В | 500 мА | N-канал | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PD85004 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 150°С | -65°С | 870 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-pd85004-datasheets-7965.pdf | 2А | ТО-243АА | 4,6 мм | 1,6 мм | 2,6 мм | 3 | 11 недель | 130,492855мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 6 Вт | ПЛОСКИЙ | PD85004 | 3 | Одинокий | 6 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПССО-Ф3 | 16пФ | 2А | 15 В | 17 дБ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5 Вт | 4 Вт | 50 мА | 2А | ЛДМОС | 13,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛС9Г2731Л-400У | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 65В | 2,7 ГГц~3,1 ГГц | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-bls9g2731l400u-datasheets-8174.pdf | СОТ-502А | 13 недель | 13 дБ | 400 Вт | 4мкА | 400 мА | ЛДМОС | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ647П,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 1,3 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf647p112-datasheets-8182.pdf | СОТ-1121А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | БЛФ647 | НЕ УКАЗАН | 2 | 18 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 200 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ММБФДЖ310ЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mmbfj309lt1-datasheets-1470.pdf | 25 В | 60 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 940 мкм | 1,3 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | 1,437803г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 225 МВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ММБФДЖ310 | 3 | Одинокий | 40 | 225 МВт | 1 | Другие транзисторы | 12 дБ | 60 мА | 25 В | УСИЛИТЕЛЬ | 25 В | СОЕДИНЕНИЕ | 25 В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 10 мА | 2,5 пФ | N-канальный JFET | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МРФ157 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 80 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/macomtechnologysolutions-mrf157-datasheets-8196.pdf | 60А | 368-03 | Без свинца | 2 | 20 недель | 3 | да | EAR99 | Нет | 1,35 кВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 2 | Одинокий | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 21 дБ | Р-XDFM-F2 | 60А | 40В | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | 125 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600 Вт | 800мА | N-канал | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF998E6327HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 45 МГц | ДВОЙНЫЕ ВОРОТА, РЕЖИМ ИСТОЩЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/infineontechnologies-bf998re6327htsa1-datasheets-3101.pdf | 12 В | 30 мА | ТО-253-4, ТО-253АА | 2,9 мм | 1 мм | 1,3 мм | Без свинца | 4 | 4 недели | 4 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | Не содержит галогенов | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | БФ998 | 4 | 1 | 1 | 28 дБ | 1,2 пФ | 2,8 дБ | 30 мА | 8В | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 мА | 0,03 А | N-канал | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF2040E6814HTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | 800 МГц | ДВОЙНЫЕ ВОРОТА, РЕЖИМ ИСТОЩЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/infineontechnologies-bf2040e6814htsa1-datasheets-8155.pdf | 8В | 40 мА | ТО-253-4, ТО-253АА | Без свинца | 4 | 4 недели | 4 | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | Олово | е3 | Не содержит галогенов | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | БФ2040 | НЕ УКАЗАН | 1 | 23 дБ | 1,6 дБ | 40 мА | 15 В | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | 8В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15 мА | N-канал | 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SMMBFJ310LT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mmbfj309lt1-datasheets-1470.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 8 недель | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | Без галогенов | ДА | ММБФДЖ310 | 3 | Одинокий | Другие транзисторы | 12 дБ | 25 В | 0,225 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 60 мА | 10 мА | N-канальный JFET | 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛП25М710З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 65В | 2,14 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ampleonusainc-blp25m710z-datasheets-8249.pdf | 12-ВДФН Открытая площадка | 12 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 16 дБ | Р-ПДСО-Н12 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | МО-229 | 110 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 28В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF189XRAU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 135 В | 500 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/ampleonusainc-blf189xrau-datasheets-8258.pdf | СОТ539А | 13 недель | 26,2 дБ | 1700 Вт | 2,8 мкА | 150 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК3557-7-ТБ-Э | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | 1 кГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-2sk35576tbe-datasheets-7679.pdf | 50 мА | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | Олово | 8541.21.00.95 | е6 | ДА | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2СК3557 | 3 | Одинокий | 200мВт | 1 | 1 дБ | 50 мА | -15В | УСИЛИТЕЛЬ | 15 В | СОЕДИНЕНИЕ | 15 В | 1 мА | 0,05 А | N-канальный JFET | 5В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF184XRU | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 135 В | 108 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/ampleonusainc-blf184xru-datasheets-8136.pdf | СОТ-1214А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 23,9 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 135 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АРФ1500 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | 27,12 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/microsemicorporation-arf1500-datasheets-8139.pdf | 60А | Т-1 | 6 | 27 недель | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,5 кВт | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 6 | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 19 дБ | S-CDFP-F6 | 6нс | 10 нс | 60А | 30В | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 500В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 750 Вт | N-канал | 125 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛК2425М9ЛС250З | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | 65В | 2,45 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blc2425m9ls250z-datasheets-8066.pdf | СОТ-1270-1 | 13 недель | 18,5 дБ | 250 Вт | 20 мА | ЛДМОС | 32В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLL6H0514-25,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 100В | 1,2 ГГц~1,4 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-bll6h051425112-datasheets-8070.pdf | СОТ467C | 2 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLL6H0514 | НЕ УКАЗАН | 1 | 21 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 25 Вт | 2,5 А | 50 мА | 2,5 А | ЛДМОС | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD2933W | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 200°С | -65°С | 125 В | 30 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd2933-datasheets-2576.pdf | 40А | М177 | Без свинца | 32 недели | 5 | EAR99 | Нет | 648 Вт | SD2933 | 1 | Полномочия общего назначения FET | 23,5 дБ | 40А | Одинокий | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300 Вт | 250 мА | N-канал | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF642,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 1,3 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ampleonusainc-blf642112-datasheets-8079.pdf | СОТ467C | 2 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 19 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35 Вт | 200 мА | ЛДМОС | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF573,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 110 В | 225 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf573s112-datasheets-8048.pdf | СОТ-502А | 2 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 27,2 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 110 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300 Вт | 42А | 900 мА | 42А | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ178П,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 110 В | 108 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf178p112-datasheets-8087.pdf | СОТ539А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 28,5 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 110 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1200 Вт | 88А | 40 мА | 88А | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD2932W | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Поднос | 1 (без блокировки) | 150°С | -65°С | 175 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sd2932-datasheets-2549.pdf | 40А | М244 | Без свинца | 32 недели | 5 | EAR99 | Нет | 500 Вт | SD2932 | Двойной | 500 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 16 дБ | 40А | 20 В | 125 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300 Вт | 125 В | 500 мА | 125 В | N-канал | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF645,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 65В | 1,3 ГГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/ampleonusainc-blf645112-datasheets-8103.pdf | СОТ-540А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 16,5 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 65В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100 Вт | 32А | 900 мА | 32А | LDMOS (двойной), общий источник | 32В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF888A,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 110 В | 860 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/ampleonusainc-blf888a112-datasheets-8108.pdf | СОТ539А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | BLF888 | НЕ УКАЗАН | 2 | 21 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 110 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600 Вт | 1,3А | LDMOS (двойной), общий источник | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НПТ1004Д | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 3 (168 часов) | 100В | 0 Гц~4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/macomtechnologysolutions-npt1004d-datasheets-8113.pdf | 9,5А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 недели | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 13 дБ | 37 дБм | 350 мА | ХЕМТ | 28В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CLF1G0060-10U | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 150 В | 3 ГГц~3,5 ГГц | РЕЖИМ Истощения | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-clf1g0060s10u-datasheets-8427.pdf | СОТ-1227А | 2 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | CLF1G0060 | 1 | 14,5 дБ | Р-КДФМ-Ф2 | НИТРИД ГАЛЛИЯ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 150 В | ВЫСОКАЯ ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ | 10 Вт | 50 мА | ХЕМТ | 50В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF871,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 89В | 860 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/ampleonusainc-blf871s112-datasheets-8450.pdf | СОТ467C | 13 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 19 дБ | 100 Вт | 500 мА | ЛДМОС | 40В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БЛФ573С,112 | Амплеон США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 110 В | 225 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/ampleonusainc-blf573s112-datasheets-8048.pdf | СОТ-502Б | 2 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | МЭК-60134 | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | 27,2 дБ | Р-CDFP-F2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ИСТОЧНИК | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 110 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300 Вт | 42А | 900 мА | 42А | ЛДМОС | 50В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF183XRU | Амплеон США Инк. | $150,29 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 1 (без блокировки) | 135 В | 108 МГц | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleon-blf183xru-datasheets-8876.pdf | СОТ-1121А | 4 | 13 недель | EAR99 | неизвестный | е4 | ЗОЛОТО | МЭК-60134 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 28 дБ | Р-КДФМ-Ф4 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА | УСИЛИТЕЛЬ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 135 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 Вт | 100 мА | LDMOS (двойной), общий источник | 50В |
