RF MOSFET-транзисторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по продаже электронных компонентов - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Напряжение - номинальное Частота Режим работы Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/ключи Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Код JESD-609 Терминальные отделки Справочный стандарт Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Базовый номер детали Количество контактов Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние активности Количество элементов Подкатегория Прирост Код JESD-30 Поставщик пакета оборудования Коэффициент шума Время подъема Осень (тип.) Непрерывный ток стока (ID) Напряжение от затвора до источника (Vgs) Прирост активности Материал транзисторного элемента Конфигурация Соединение корпуса Применение транзистора Полярность/Тип канала Напряжение стока к источнику (Vdss) DS Напряжение проба-мин. Технология полевых транзисторов Максимальная выходная мощность Мощность — Выход Текущий рейтинг (А) Код JEDEC-95 Текущий — Тест Максимальный сток (Abs) (ID) Напряжение проба стока к источнику Тип транзистора Напряжение – Тест
BLF182XRU BLF182XRU Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 135 В 108 МГц Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf182xru-datasheets-9060.pdf СОТ-1121Б 13 недель 28 дБ 250 Вт 100 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
ARF1501 АРФ1501 Микросеми
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Трубка 1 (без блокировки) 175°С -55°С 1000В 27,12 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует RoHS 1998 год /files/microsemicorporation-arf1501-datasheets-9063.pdf 30А Т-1 Без свинца 6 24 недели В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) нет EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е0 Оловянный свинец ДА 1,5 кВт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 6 1 Полевой транзистор общего назначения 17 дБ S-CDFP-F6 5нс 13 нс 30А 30В ОДИНОКИЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ 1кВ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 750 Вт N-канал 250 В
BLF888DSU BLF888DSU Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 104В 860 МГц Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blf888du-datasheets-9040.pdf СОТ539Б 13 недель 21 дБ СОТ539Б 250 Вт 1,3А ЛДМОС 50В
BLF644PU БЛФ644ПУ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 65В 860 МГц РЕЖИМ Истощения Соответствует ROHS3 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blf644pu-datasheets-8998.pdf СОТ-1228А 4 13 недель EAR99 МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 23,5 дБ Р-КДФМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 100 Вт 200 мА LDMOS (двойной), общий источник 32В
BLL8H1214L-500U БЛЛ8Х1214Л-500У Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 100 В 1,2 ГГц~1,4 ГГц Соответствует ROHS3 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-bll8h1214ls500u-datasheets-8577.pdf СОТ539А 13 недель 17 дБ СОТ539А 500 Вт 150 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
BLP8G10S-270PWY BLP8G10S-270PWY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Разрезанная лента (CT) 3 (168 часов) 65В 718,5–765,5 МГц Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blp8g10s270pwy-datasheets-8941.pdf СОТ-1221-2 13 недель 20 дБ 6-ХСОПФ 56 Вт LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLF184XRSU BLF184XRSU Амплеон США Инк. $178,60
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 135 В 108 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2007 год /files/ampleonusainc-blf184xru-datasheets-8136.pdf СОТ-1214Б 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 23,9 дБ Р-CDFP-F4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 135 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 700 Вт 100 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
BLM7G1822S-80PBY БЛМ7Г1822С-80ПБИ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 2,17 ГГц 2011 г. /files/ampleonusainc-blm7g1822s80pbgy-datasheets-7827.pdf СОТ-1211-2 13 недель 28 дБ 8 Вт 80 мА ЛДМОС (двойной) 28В
BLC9G20LS-470AVTZ BLC9G20LS-470АВТЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 3 (168 часов) 65В 1,81 ГГц~1,88 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blc9g20ls470avtz-datasheets-9084.pdf СОТ-1258-3 13 недель 15,7 дБ 470 Вт 400 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLF2324M8LS200PU БЛФ2324М8ЛС200ПУ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 65В 2,3 ГГц~2,4 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blf2324m8ls200pu-datasheets-9018.pdf СОТ539Б 13 недель 17,2 дБ 60 Вт 1,74А LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLA6G1011L-200RG,1 БЛА6Г1011Л-200РГ,1 Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 65В 1,03–1,09 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-bla6g1011200r112-datasheets-0884.pdf СОТ-502Д 2 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН БЛА6Г1011 НЕ УКАЗАН 1 20 дБ Р-КДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 200 Вт 49А 100 мА 49А ЛДМОС 28В
BLM8G0710S-45ABY BLM8G0710S-45ABY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 957,5 МГц 2011 г. /files/ampleonusainc-blm8g0710s45abgy-datasheets-8084.pdf СОТ-1211-2 13 недель 35 дБ 3 Вт 30 мА ЛДМОС (двойной) 28В
SMMBFJ309LT1G SMMBFJ309LT1G ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 150°С -55°С Соответствует ROHS3 2006 г. /files/onsemiconductor-mmbfj309lt1-datasheets-1470.pdf 30 мА ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 Без свинца 8 недель 3 АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) да 3 Одинокий 25 В N-канальный JFET
BLC9G20LS-361AVTY BLC9G20LS-361AVTY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 1,81 ГГц~1,88 ГГц Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blc9g20ls361avty-datasheets-8971.pdf СОТ-1258-3 13 недель 15,7 дБ СОТ-1258-3 0,6 дБ 360 Вт 300 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLP25M705Z БЛП25М705З Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 2,14 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ampleonusainc-blp25m705z-datasheets-8921.pdf 12-ВДФН Открытая площадка 12 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ НЕТ ЛИДЕСА НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 16 дБ Р-ПДСО-Н12 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 1 Вт МО-229 55 мА ЛДМОС 28В
BLF183XRSU BLF183XRSU Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 135 В 108 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blf183xrsu-datasheets-9034.pdf СОТ-1121Б 4 13 недель EAR99 неизвестный е4 ЗОЛОТО МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 2 28 дБ Р-CDFP-F4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 135 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 350 Вт 100 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
CGH60060D-GP4 CGH60060D-GP4 Кри/Вулфспид
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Ган Поднос 1 (без блокировки) 84В 6 ГГц Соответствует RoHS Править 13 дБ 60 Вт 400 мА ХЕМТ 28В
BLF8G22LS-270GVJ БЛФ8Г22ЛС-270ГВДЖ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 65В 2,11 ГГц~2,17 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blf8g22ls270gvj-datasheets-8949.pdf СОТ-1244С 6 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН BLF8G22 НЕ УКАЗАН 1 17,3 дБ Р-CDSO-G6 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 80 Вт 2,4А ЛДМОС 28В
BLC9G22XS-400AVTZ BLC9G22XS-400АВТЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 3 (168 часов) 65В 2,11 ГГц~2,2 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blc9g22xs400avtz-datasheets-8953.pdf СОТ-1258-4 13 недель 15,3 дБ 580 Вт 810мА ЛДМОС 32В
SD2943W SD2943W СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Винт Поднос 1 (без блокировки) 150°С -65°С 130 В 30 МГц Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-sd2943w-datasheets-8842.pdf 40А М177 32 недели 5 EAR99 Нет 648 Вт SD2943 1 Полевой транзистор общего назначения 25 дБ 40А 20 В Одинокий МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 350 Вт 250 мА N-канал 50В
BLF882SU BLF882SU Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 104В 705 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2011 г. /files/ampleonusainc-blf882u-datasheets-1065.pdf СОТ-502Б 2 13 недель EAR99 неизвестный е4 ЗОЛОТО МЭК-60134 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 20,6 дБ Р-CDFP-F2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 104В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 200 Вт 100 мА ЛДМОС 50В
MRF151A МРФ151А Технологические решения МАКОМ
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Винт Поднос 1 (без блокировки) 200°С -65°С 30–175 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2009 год /files/macomtechnologysolutions-mrf151a-datasheets-8855.pdf 16А П-244 4 14 недель 4 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет 416 Вт РАДИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ 4 Одинокий 1 13 дБ ~ 22 дБ 16А 40В УСИЛИТЕЛЬ 125 В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 150 Вт 250 мА N-канал 50В
BLF884PS,112 BLF884PS,112 Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 104В 860 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blf884p112-datasheets-8499.pdf СОТ-1121Б 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF884 НЕ УКАЗАН 2 21 дБ Р-CDFP-F4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 104В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 150 Вт 650 мА LDMOS (двойной), общий источник 50В
PD55025S-E PD55025S-E СТМикроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Трубка 3 (168 часов) 165°С -65°С 500 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 /files/stmicroelectronics-pd55025tre-datasheets-7773.pdf 40В PowerSO-10 Открытая нижняя подушка Без свинца 2 25 недель 4 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е3 МАТОВАЯ ТУНКА 79 Вт ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 250 PD55025 10 Одинокий 30 79 Вт 1 Полевой транзистор общего назначения 14,5 дБ Р-ПДСО-Ф2 20 В 14 дБ ИСТОЧНИК УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 40В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 25 Вт 200 мА 40В ЛДМОС 12,5 В
BLF2425M7L250P,112 БЛФ2425М7Л250П,112 Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 1 (без блокировки) 65В 2,45 ГГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2007 год /files/ampleonusainc-blf2425m7l250p112-datasheets-8984.pdf СОТ539А 4 13 недель EAR99 МЭК-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF2425 НЕ УКАЗАН 2 15 дБ Р-КДФМ-Ф4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 250 Вт 20 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLP8G10S-45PGY БЛП8Г10С-45ПГY Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65В 952,5–957,5 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2006 г. /files/nxpusainc-blp8g10s45pgj-datasheets-7516.pdf 4-БЕСОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 4 13 недель EAR99 неизвестный МЭК-60134 ДА КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН БЛП8Г10 НЕ УКАЗАН 2 20,8 дБ Р-ПДСО-Г4 КРЕМНИЙ ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 2 ЭЛЕМЕНТА УСИЛИТЕЛЬ Н-КАНАЛЬНЫЙ 65В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 2,5 Вт 224 мА LDMOS (двойной), общий источник 28В
BLC9G20XS-160AVZ BLC9G20XS-160AVZ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 3 (168 часов) 65В 1,81 ГГц~1,88 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blc9g20xs160avy-datasheets-9217.pdf СОТ1275-3 13 недель 16,6 дБ 200 Вт 300 мА LDMOS (двойной), общий источник 30В
BLC2425M8LS300PZ БЛК2425М8ЛС300ПЗ Амплеон США Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поднос 3 (168 часов) 65В 2,45 ГГц Соответствует ROHS3 2010 год /files/ampleonusainc-blc2425m8ls300py-datasheets-9363.pdf СОТ1250-1 13 недель 17,5 дБ 300 Вт 20 мА LDMOS (двойной), общий источник 32В
MRFE6VS25LR5 MRFE6VS25LR5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Лента и катушка (TR) Непригодный 133В 512 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ Соответствует ROHS3 2012 год НИ-360 2 10 недель EAR99 8541.29.00.75 ДА ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 260 MRFE6VS25 150°С -40°С 40 1 Полевой транзистор общего назначения 25,9 дБ Р-ПДФМ-Ф2 КРЕМНИЙ ОДИНОКИЙ Н-КАНАЛЬНЫЙ 133В МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК 25 Вт 10 мА ЛДМОС 50В
AFT31150NR5 АФТ31150НР5 НХП Полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Разрезанная лента (CT) 3 (168 часов) 65В 2,7 ГГц~3,1 ГГц Соответствует ROHS3 2017 год /files/nxpusainc-aft31150nr5-datasheets-8808.pdf ОМ-780-2 10 недель EAR99 260 40 17,2 дБ 150 Вт 10 мкА 100 мА ЛДМОС 32В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.