Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Непрерывный ток коллектора | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKW40N120H3FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ikw40n120h3fksa1-datasheets-4778.pdf | ТО-247-3 | 3 | 26 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 483 Вт | 355 нс | 78 нс | 1200В | 80А | 414 нс | 600 В, 40 А, 12 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 40 А | Траншейная полевая остановка | 185 НК | 160А | 30 нс/290 нс | 4,4 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТГ30Н60К3Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-hgtg30n60c3d-datasheets-8425.pdf | 600В | 30А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,82 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 208 Вт | ХГТГ30Н60 | Одинокий | 208 Вт | 1 | 40 нс | 45нс | 320 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | 60нс | 600В | 1,5 В | 85 нс | 600В | 63А | 550 нс | 1,8 В @ 15 В, 30 А | 162 НК | 252А | 1,05 мДж (вкл.), 2,5 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4066DPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineon-irgp4066dpbf-datasheets-8426.pdf | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,31 мм | Без свинца | 3 | 26 недель | 38.000013г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 454 Вт | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 70 нс | 225 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 454 Вт | ТО-247АС | 155 нс | 600В | 1,7 В | 120 нс | 2,1 В | 140А | 90 нс | 310 нс | 400 В, 75 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,1 В @ 15 В, 75 А | Тренч | 150 НК | 225А | 50 нс/200 нс | 2,47 мДж (вкл.), 2,16 мДж (выкл.) | 80 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXYH10N170CV1 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХПТ™ | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/ixys-ixyh10n170cv1-datasheets-4798.pdf | ТО-247-3 | 28 недель | да | неизвестный | 280 Вт | 160 нс | 1700В | 36А | 850 В, 10 А, 10 Ом, 15 В | 3,8 В @ 15 В, 10 А | 46 НК | 84А | 14 нс/130 нс | 1,4 мДж (вкл.), 700 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIKW50N65DF5XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, Trenchstop™ 5 | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-aikw50n65df5xksa1-datasheets-4800.pdf | ТО-247-3 | 39 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 270 Вт | 650В | 400 В, 25 А, 12 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 50 А | Тренч | 1018нК | 150А | 21 нс/156 нс | 490 мкДж (вкл.), 140 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТГ30Н60А4Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-hgtg30n60a4d-datasheets-4726.pdf | 600В | 30А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,82 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Олово | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | 463 Вт | ХГТГ30Н60 | Одинокий | 463 Вт | 1 | 25 нс | 12 секунд | 150 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 55нс | 600В | 1,8 В | 35 нс | 600В | 75А | 238 нс | 390 В, 30 А, 3 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 30 А | 225 НК | 240А | 25 нс/150 нс | 280 мкДж (вкл.), 240 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGP4063DPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-irgp4063depbf-datasheets-9473.pdf | 300В | 96А | ТО-247-3 | 15 875 мм | 20,3 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 26 недель | 38.000013г | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 330 Вт | IRGP4063D | Одинокий | 330 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 60 нс | 56нс | 145 нс | 96А | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 300В | ТО-247АС | 115 нс | 600В | 2,14 В | 100 нс | 2,14 В | 96А | 210 нс | 400 В, 48 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,14 В при 15 В, 48 А | Тренч | 95 НК | 144А | 60 нс/145 нс | 625 мкДж (вкл.), 1,28 мДж (выкл.) | 46нс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА60Н65СМД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-fga60n65smd-datasheets-4743.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,8 мм | 20,1 мм | 5 мм | Без свинца | 3 | 7 недель | 6,401 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 600 Вт | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 18 нс | 104 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600 Вт | 47 нс | 650В | 1,9 В | 650В | 120А | 70нс | 400 В, 60 А, 3 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В @ 15 В, 60 А | Полевая остановка | 189 НК | 180А | 18 нс/104 нс | 1,54 мДж (вкл.), 450 мкДж (выкл.) | 68нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGW60T120FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-igw60t120fksa1-datasheets-4751.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 375 Вт | ТО-247АД | 95 нс | 1200В | 100А | 730 нс | 600 В, 60 А, 10 Ом, 15 В | 2,4 В при 15 В, 60 А | Траншейная полевая остановка | 280 НК | 150А | 50 нс/480 нс | 9,5 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKW50N65ES5XKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/infineontechnologies-ikw50n65es5xksa1-datasheets-4754.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 26 недель | 3 | да | Без галогенов | 274 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 274 Вт | 70 нс | 650В | 45 нс | 650В | 80А | 198 нс | 400 В, 50 А, 8,2 Ом, 15 В | 1,7 В @ 15 В, 50 А | Тренч | 120 НК | 200А | 20 нс/127 нс | 1,23 мДж (вкл.), 550 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГЛ40Н120АНТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-fgl40n120andtu-datasheets-4671.pdf | 1,2 кВ | 64А | ТО-264-3, ТО-264АА | 20 мм | 29 мм | 5 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 6,756 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | 500 Вт | Одинокий | 500 Вт | 1 | 150°С | 15 нс | 20 нс | 110 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 64А | 112 нс | 1,2 кВ | 3,15 В | 45 нс | 1,2 кВ | 64А | 1200В | 165 нс | 600 В, 40 А, 5 Ом, 15 В | 3,2 В @ 15 В, 40 А | ДНЯО | 220 НК | 160А | 15 нс/110 нс | 2,3 мДж (вкл.), 1,1 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| RJH60F7DPQ-A0#T0 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/renesaselectronicsamerica-rjh60f7dpqa0t0-datasheets-4679.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 16 недель | 3 | да | 328,9 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | РДЖХ60Ф | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 328,9 Вт | 90 нс | 600В | 1,6 В | 144 нс | 1,75 В | 90А | 216 нс | 400 В, 30 А, 5 Ом, 15 В | 1,75 В при 15 В, 50 А | Тренч | 63 нс/142 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4PC40KDPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/infineontechnologies-irg4pc40kde206p-datasheets-5034.pdf | 600В | 42А | ТО-247-3 | 15 875 мм | 20,2946 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 160 Вт | Одинокий | 160 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 53 нс | 37нс | 110 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АС | 42 нс | 600В | 2,1 В | 89 нс | 2,6 В | 42А | 360 нс | 480 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,6 В @ 15 В, 25 А | 120 НК | 84А | 53 нс/110 нс | 950 мкДж (вкл.), 760 мкДж (выкл.) | 150 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГЛ60Н100БНТД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fgl60n100bntdtu-datasheets-2044.pdf | 1кВ | 60А | ТО-264-3, ТО-264АА | 20 мм | 26 мм | 5 мм | Без свинца | 3 | 4 недели | 6,756 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НПН | 180 Вт | Одинокий | 180 Вт | 1 | 320 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | 1кВ | 1,2 мкс | 600В | 1,5 В | 460 нс | 1кВ | 60А | 1000В | 760 нс | 600 В, 60 А, 51 Ом, 15 В | 2,9 В при 15 В, 60 А | ДНЯО и Траншея | 275 НК | 120А | 140 нс/630 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ25ГТ120БРГ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Тандерболт IGBT® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/microsemicorporation-apt25gt120brg-datasheets-4695.pdf | 1,2 кВ | 54А | ТО-247-3 | 21,46 мм | 5,31 мм | 16,26 мм | Без свинца | 3 | 24 недели | 38.000013г | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 347 Вт | 3 | Одинокий | 1 | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 54А | ТО-247АА | 1,2 кВ | 3,2 В | 41 нс | 1,2 кВ | 54А | 1200В | 220 нс | 800 В, 25 А, 5 Ом, 15 В | 3,7 В @ 15 В, 25 А | ДНЯО | 170 НК | 75А | 14 нс/150 нс | 930 мкДж (вкл.), 720 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ40Н60СМД | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fgh40n60smd-datasheets-4698.pdf | ТО-247-3 | 15,6 мм | 20,6 мм | 4,7 мм | Без свинца | 3 | 5 недель | 6,39 г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 349 Вт | ФГХ40Н60 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 349 Вт | ТО-247АБ | 36 нс | 600В | 2,1 В | 37 нс | 600В | 80А | 28нс | 132 нс | 400 В, 40 А, 6 Ом, 15 В | 20 В | 6В | 2,5 В при 15 В, 40 А | Полевая остановка | 119 НК | 120А | 12 нс/92 нс | 870 мкДж (вкл.), 260 мкДж (выкл.) | 17нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТБ25Н120ФЛ3РГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | Непригодный | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-ngtb25n120fl3wg-datasheets-4705.pdf | ТО-247-3 | Без свинца | 7 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | 349 Вт | 349 Вт | 114 нс | 1,2 кВ | 1,7 В | 2,4 В | 100А | 1200В | 600 В, 25 А, 10 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 136 НК | 15 нс/109 нс | 1 мДж (вкл.), 700 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGW39NC60VD | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw39nc60vd-datasheets-4711.pdf | 600В | 40А | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | Без свинца | 3 | 8 недель | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 250 Вт | STGW39 | 3 | Одинокий | 250 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 33 нс | 13нс | 178 нс | 40А | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | ТО-247АС | 45нс | 600В | 1,8 В | 46 нс | 600В | 80А | 366 нс | 390 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,4 В при 15 В, 30 А | 126 НК | 220А | 33 нс/178 нс | 333 мкДж (вкл.), 537 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ75Т65ШДТ-Ф155 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fgh75t65shdtf155-datasheets-4715.pdf | ТО-247-3 | 7 недель | 6,39 г | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | 455 Вт | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 455 Вт | 76 нс | 650В | 2,1 В | 150А | 400 В, 75 А, 3 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 75 А | Траншейная полевая остановка | 123нК | 225А | 28 нс/86 нс | 3 мДж (вкл.), 750 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKW25N120H3FKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-ikw25n120h3fksa1-datasheets-4722.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 326 Вт | 290 нс | 61 нс | 1200В | 50А | 397 нс | 600 В, 25 А, 23 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 25 А | Траншейная полевая остановка | 115 НК | 100А | 27 нс/277 нс | 2,65 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГТГ15Н60С1ЭГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ngtg15n60s1eg-datasheets-4646.pdf | ТО-220-3 | 10,28 мм | 15,75 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 2 недели | 2,299997г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 16 часов назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НЕТ | 117 Вт | 3 | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 65 нс | 170 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 117 Вт | ТО-220АБ | 600В | 1,95 В | 93 нс | 600В | 30А | 440 нс | 400 В, 15 А, 22 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 1,7 В при 15 В, 15 А | ДНЯО | 88нК | 120А | 65 нс/170 нс | 550 мкДж (вкл.), 350 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВА50М65ДФ2 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | М | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgwa50m65df2-datasheets-4651.pdf | ТО-247-3 | 30 недель | СТГВА50 | 375 Вт | 162 нс | 650В | 80А | 400 В, 50 А, 6,8 Ом, 15 В | 2,1 В при 15 В, 50 А | Траншейная полевая остановка | 150 НК | 150А | 42 нс/130 нс | 880 мкДж (вкл.), 1,57 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИКП20Н60ТКСКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ikp20n60tahksa1-datasheets-2074.pdf | ТО-220-3 | 3 | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 166 Вт | ТО-220АБ | 41нс | 36 нс | 600В | 40А | 299 нс | 400 В, 20 А, 12 Ом, 15 В | 2,05 В @ 15 В, 20 А | Траншейная полевая остановка | 120 НК | 60А | 18 нс/199 нс | 770мкДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HGTP2N120CN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-hgtp2n120cn-datasheets-4659.pdf | ТО-220-3 | ТО-220-3 | 104 Вт | 1200В | 13А | 960 В, 2,6 А, 51 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 2,6 А | ДНЯО | 30 НК | 20А | 25 нс/205 нс | 96 мкДж (вкл.), 355 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AIKW50N60CTXKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchStop™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-aikw50n60ctxksa1-datasheets-4661.pdf | ТО-247-3 | 39 недель | ПГ-ТО247-3-41 | 333 Вт | 600В | 80А | 400В, 50А, 7Ом, 15В | 2В @ 15В, 50А | Траншейная полевая остановка | 310 НК | 150А | 26 нс/299 нс | 1,2 мДж (вкл.), 1,4 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FGY75N60SMD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-fgy75n60smd-datasheets-4664.pdf | ТО-247-3 Вариант | 15,87 мм | 20,32 мм | 4,82 мм | Без свинца | 3 | 6 недель | 7,629 г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (последнее обновление: 8 часов назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | Нет | 8541.29.00.95 | е3 | Олово (Вс) | 750 Вт | Одинокий | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 750 Вт | 55 нс | 600В | 1,9 В | 76 нс | 600В | 150А | 161 нс | 400 В, 75 А, 3 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,5 В @ 15 В, 75 А | Полевая остановка | 248 НК | 225А | 24 нс/136 нс | 2,3 мДж (вкл.), 770 мкДж (выкл.) | 29нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГХ15Н60РУФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgh15n60rufdtu-datasheets-4588.pdf | 600В | 15А | ТО-3П-3, СК-65-3 | 15,6 мм | 19,9 мм | 4,8 мм | Без свинца | 6,401 г | 3 | Нет | 160 Вт | Одинокий | 160 Вт | 17 нс | 44 нс | 60нс | 600В | 2,2 В | 600В | 24А | 300 В, 15 А, 13 Ом, 15 В | 2,8 В при 15 В, 15 А | 42 НК | 45А | 17 нс/44 нс | 320 мкДж (вкл.), 356 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBH12N300 | IXYS / Литтльфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | БИМОСФЕТ™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/ixys-ixbh12n300-datasheets-4590.pdf | ТО-247-3 | 3 | 24 недели | 3 | да | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 160 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 160 Вт | 1,4 мкс | 3кВ | 460 нс | 3,2 В | 30А | 3000В | 705 нс | 20 В | 5В | 3,2 В @ 15 В, 12 А | 62 НК | 100А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХВ30Н160Р5ХКСА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп™ | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-ihw30n160r5xksa1-datasheets-4592.pdf | ТО-247-3 | 16 недель | 263 Вт | 1600В | 60А | 600 В, 30 А, 10 Ом, 15 В | 2,15 В при 15 В, 30 А | Траншейная полевая остановка | 205 НК | 90А | -/290нс | 2мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГВ60Х65ДФБ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgw60h65dfb-datasheets-4596.pdf | ТО-247-3 | 15,75 мм | 20,15 мм | 5,15 мм | Без свинца | 20 недель | 38.000013г | Нет СВХК | 3 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | 375 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГВ60 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 375 Вт | 60 нс | 650В | 1,6 В | 650В | 80А | 400 В, 60 А, 5 Ом, 15 В | 20 В | 2В @ 15В, 60А | Траншейная полевая остановка | 306нК | 240А | 51 нс/160 нс | 1,09 мДж (вкл.), 626 мкДж (выкл.) |
