Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Время нарастания-Макс. | Напряжение проба стока к источнику | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФГА120Н30ДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fga120n30dtu-datasheets-4369.pdf | ТО-3П-3, СК-65-3 | ТО-3П | 290 Вт | 21нс | 300В | 120А | 1,4 В @ 15 В, 25 А | 120 НК | 300А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГД6NC60HT4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd6nc60ht4-datasheets-4370.pdf | 600В | 15А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 56 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТГД6 | 3 | Одинокий | 30 | 56 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 600В | 1,9 В | 17,3 нс | 600В | 15А | 222 нс | 390 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5,75 В | 2,5 В @ 15 В, 3 А | 13,6 нКл | 21А | 12 нс/76 нс | 20 мкДж (вкл.), 68 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXGX120N60B | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | HiPerFAST™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-ixgk120n60b-datasheets-5329.pdf | 600В | 200А | ТО-247-3 | Без свинца | 3 | 3 | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 660 Вт | НЕ УКАЗАН | ИКГ*120Н60 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 660 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | 60 нс | 45нс | 200 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 2,1 В | 120 нс | 600В | 200А | 540 нс | 480 В, 100 А, 2,4 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 2,1 В при 15 В, 120 А | ПТ | 350 НК | 300А | 60 нс/200 нс | 2,4 мДж (вкл.), 5,5 мДж (выкл.) | 280 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТГ20Н60С3Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-hgtg20n60c3d-datasheets-4374.pdf | 600В | 45А | ТО-247-3 | Без свинца | Нет СВХК | 3 | НПН | 164 Вт | ХГТГ20Н60 | Одинокий | 164 Вт | ТО-247-3 | 164 Вт | 32 нс | 600В | 1,4 В | 600В | 45А | 600В | 45А | 480В, 20А, 10Ом, 15В | 1,8 В @ 15 В, 20 А | 91 НК | 300А | 28 нс/151 нс | 500 мкДж (вкл.), 500 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА90Н30ТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fga90n30tu-datasheets-4376.pdf | 300В | 90А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | Нет | 219 Вт | Одинокий | 219 Вт | ТО-3П | 200 нс | 219 Вт | 300В | 1,9 В | 300В | 90А | 300В | 90А | 1,4 В @ 15 В, 20 А | 87нК | 220А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГА15Н120АНТДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fga15n120antdtu-datasheets-4377.pdf | 1,2 кВ | 15А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | 186 Вт | Одинокий | 186 Вт | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 15А | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 330 нс | 1,2 кВ | 2,4 В | 1,2 кВ | 30А | 1,2 кВ | 1200В | 600 В, 15 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 8,5 В | 2,4 В при 15 В, 15 А | ДНЯО и Траншея | 120 НК | 45А | 15 нс/160 нс | 3 мДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | 180 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГЛ160Н60УФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-sgl160n60uftu-datasheets-4353.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | ТО-264-3 | 250 Вт | 600В | 160А | 300 В, 80 А, 3,9 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 80 А | 345 НК | 300А | 40 нс/90 нс | 2,5 мДж (вкл.), 1,76 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IKW75N60TFKSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчСтоп® | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/infineontechnologies-ikw75n60tfksa1-datasheets-4378.pdf | ТО-247-3 | 3 | 16 недель | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | НЕТ | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 428 Вт | ТО-247АД | 121 нс | 69 нс | 600В | 80А | 401 нс | 400 В, 75 А, 5 Ом, 15 В | 2В при 15В, 75А | Траншейная полевая остановка | 470 НК | 225А | 33 нс/330 нс | 4,5 мДж | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТ1С7Н60С3ДС9А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-hgt1s7n60c3ds-datasheets-4298.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | ТО-263АБ | 60 Вт | 37нс | 600В | 14А | 480В, 7А, 50Ом, 15В | 2В @ 15В, 7А | 23нК | 56А | 165 мкДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГБ8202NT4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Логика | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-ngb8202nt4g-datasheets-5587.pdf | 400В | 20А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 2 | 3 | нет | EAR99 | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn80Pb20) | 150 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | НГБ8202 | 3 | 30 | 150 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 440В | 6500 нс | 1,9 В | 20А | 8000 нс | 18500 нс | 300 В, 9 А, 1 кОм, 5 В | 15 В | 2,1 В | 1,9 В @ 4,5 В, 20 А | 50А | -/5 мкс | 14000 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТ1С2Н120ЦН | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-hgt1s2n120cn-datasheets-4355.pdf | 1,2 кВ | 13А | ТО-262-3 Длинные выводы, И2Пак, ТО-262АА | Без свинца | 104 Вт | Одинокий | 104 Вт | 1,2 кВ | 2,05 В | 1,2 кВ | 13А | 1200В | 960 В, 2,6 А, 51 Ом, 15 В | 2,4 В @ 15 В, 2,6 А | ДНЯО | 30 НК | 20А | 25 нс/205 нс | 96 мкДж (вкл.), 355 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4IBC30FDPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irg4ibc30fdpbf-datasheets-4356.pdf | 600В | 20,3А | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | Нет | 45 Вт | Одинокий | 45 Вт | ТО-220АБ Фулл-Пак | 42 нс | 26нс | 310 нс | 45 Вт | 42 нс | 600В | 1,8 В | 1,8 В | 20,3А | 600В | 20,3А | 480 В, 17 А, 23 Ом, 15 В | 1,8 В @ 15 В, 17 А | 51 НК | 120А | 42 нс/230 нс | 630 мкДж (вкл.), 1,39 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГЛ60Н100ДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-fgl60n100dtu-datasheets-4359.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | ТО-264-3 | 176 Вт | 1,5 мкс | 1000В | 60А | 2,9 В при 15 В, 60 А | Тренч | 230 НК | 120А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП10НК60К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp10nc60k-datasheets-4360.pdf | 600В | 20А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | да | EAR99 | УЛЬТРА БЫСТРО | 60 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГП10 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 600В | 2В | 23 нс | 600В | 20А | 242 нс | 390 В, 5 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 6,5 В | 2,5 В @ 15 В, 5 А | 19 НК | 30А | 17 нс/72 нс | 55 мкДж (вкл.), 85 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГЛ40Н150ДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgl40n150dtu-datasheets-4362.pdf | 1,5 кВ | 40А | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 200 Вт | Одинокий | 200 Вт | 300 нс | 1,5 кВ | 3,7 В | 1,5 кВ | 40А | 1500В | 4,7 В при 15 В, 40 А | 140 НК | 120А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXST40N60B2D1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | 600В | 48А | ТО-268-3, Д3Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-268АА | Без свинца | IXS*40N60 | 600В | 48А | ПТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГХ40Н60УФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgh40n60ufdtu-datasheets-4364.pdf | 600В | 20А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 6,401 г | 3 | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ ПРОВОДИМОСТИ, ВЫСОКАЯ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ | 8541.29.00.95 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 160 Вт | НЕ УКАЗАН | СГ*40Н60 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 160 Вт | 1 | Не квалифицирован | 15 нс | 65 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 60нс | 600В | 2,1 В | 67 нс | 600В | 40А | 254 нс | 300 В, 20 А, 10 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 20 А | 97нК | 160А | 15 нс/65 нс | 160 мкДж (вкл.), 200 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГХ30Н60РУФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgh30n60ruftu-datasheets-4344.pdf | 600В | 30А | ТО-3П-3, СК-65-3 | Без свинца | 3 | 235 Вт | Одинокий | 235 Вт | 600В | 2,2 В | 600В | 48А | 300 В, 30 А, 7 Ом, 15 В | 2,8 В @ 15 В, 30 А | 85 НК | 90А | 30 нс/54 нс | 919 мкДж (вкл.), 814 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГП15Н60РУФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgp15n60ruftu-datasheets-4345.pdf | 600В | 15А | ТО-220-3 | Без свинца | 160 Вт | Одинокий | 160 Вт | ТО-220-3 | 160 Вт | 600В | 2,5 В | 600В | 24А | 600В | 24А | 300В, 15А, 13Ом, 15В | 2,8 В при 15 В, 15 А | 42 НК | 45А | 17 нс/44 нс | 320 мкДж (вкл.), 356 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГЛ60Н90ДГ3ТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | 2002 г. | /files/onsemiconductor-sgl60n90dg3tu-datasheets-4347.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | ТО-264-3 | 180 Вт | 1,5 мкс | 900В | 60А | 2,7 В @ 15 В, 60 А | Тренч | 260 НК | 120А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСЛ9В3036С3С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭкоСПАРК® | Поверхностный монтаж | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Логика | /files/onsemiconductor-isl9v3036s3st-datasheets-1138.pdf | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | совместимый | ИСЛ9В3036 | 150 Вт | 360В | 21А | 300 В, 1 кОм, 5 В | 1,6 В @ 4 В, 6 А | 17 НК | -/4,8 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГБ12НБ60КДТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgf12nb60kd-datasheets-5050.pdf | 600В | 18А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Содержит свинец | 2 | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 125 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STGB12 | 3 | Одинокий | 30 | 125 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 14,5 нс | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 80 нс | 600В | 2,2 В | 39,5 нс | 600В | 30А | 461 нс | 480 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 7В | 2,8 В @ 15 В, 12 А | 54 НК | 60А | 25 нс/96 нс | 258 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГУ20Н40ЛТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-sgr20n40ltm-datasheets-4294.pdf | 400В | 150А | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 45 Вт | Одинокий | 45 Вт | 400В | 4,5 В | 400В | 8 В @ 4,5 В, 150 А | Тренч | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SGW5N60RUFDTM | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 600В | 5А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 3 | 60 Вт | Одинокий | 60 Вт | 55 нс | 600В | 2,5 В | 600В | 8А | 300 В, 5 А, 40 Ом, 15 В | 2,8 В @ 15 В, 5 А | 16 НК | 15А | 13 нс/34 нс | 88 мкДж (вкл.), 107 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГП13Н60УФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgp13n60uftu-datasheets-4324.pdf | 600В | 6,5 А | ТО-220-3 | Без свинца | 60 Вт | СГ*13Н60 | Одинокий | 60 Вт | ТО-220-3 | 60 Вт | 600В | 2,1 В | 600В | 13А | 600В | 13А | 300 В, 6,5 А, 50 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 6,5 А | 25 НК | 52А | 20 нс/70 нс | 85 мкДж (вкл.), 95 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГЛ50Н60РУФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-sgl50n60ruftu-datasheets-4352.pdf | ТО-264-3, ТО-264АА | ТО-264-3 | 250 Вт | 600В | 80А | 300 В, 50 А, 5,9 Ом, 15 В | 2,8 В @ 15 В, 50 А | 145 НК | 150А | 26 нс/66 нс | 1,68 мДж (вкл.), 1,03 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXSH10N60B2D1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/ixys-ixsh10n60b2d1-datasheets-4326.pdf | 600В | 20А | ТО-247-3 | 16,26 мм | 21,46 мм | 5,3 мм | Без свинца | 3 | 6,500007г | 3 | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 100 Вт | НЕ УКАЗАН | IXS*10N60 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 100 Вт | 1 | Не квалифицирован | 30 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 25 нс | 600В | 2,5 В | 60 нс | 600В | 20А | 530 нс | 480 В, 10 А, 30 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 10 А | ПТ | 17 НК | 30А | 30 нс/180 нс | 430 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГС13Н60УФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgs13n60ufdtu-datasheets-4328.pdf | 600В | 6,5 А | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 45 Вт | СГ*13Н60 | Одинокий | 45 Вт | 55нс | 600В | 2,1 В | 600В | 13А | 300 В, 6,5 А, 50 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 6,5 А | 25 НК | 52А | 20 нс/70 нс | 85 мкДж (вкл.), 95 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСЛ9В3036П3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭкоСПАРК® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~175°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-isl9v3036s3st-datasheets-1138.pdf | 360В | 21А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 150 Вт | ИСЛ9В3036 | Одинокий | 150 Вт | 360В | 1,6 В | 21А | 300 В, 1 кОм, 5 В | 1,6 В @ 4 В, 6 А | 17 НК | -/4,8 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХГТП7Н60Б3Д | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-hgtp7n60b3d-datasheets-4332.pdf | 600В | 14А | ТО-220-3 | Без свинца | 1,8 г | 3 | 60 Вт | ХГТП7Н60 | Одинокий | 60 Вт | 37нс | 600В | 1,8 В | 600В | 14А | 480 В, 7 А, 50 Ом, 15 В | 2,1 В @ 15 В, 7 А | 23нК | 56А | 26 нс/130 нс | 160 мкДж (вкл.), 120 мкДж (выкл.) |
