Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактОдиночные IGBT(3888)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Включить время задержки | Время подъема | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение проба | Код JEDEC-95 | Обратное время восстановления | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Время включения | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Время выключения-Nom (toff) | VCEsat-Макс | Условия испытаний | Напряжение затвор-эмиттер-Макс. | Затвор-эмиттер Thr Напряжение-Макс. | Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | Тип БТИЗ | Заряд от ворот | Ток-коллекторный импульсный (Icm) | Td (вкл/выкл) при 25°C | Переключение энергии | Время падения-Макс (тс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| СГС10Н60РУФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgs10n60ruftu-datasheets-4292.pdf | 600В | 10А | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 55 Вт | СГ*10Н60 | Одинокий | 55 Вт | 600В | 2,2 В | 600В | 16А | 300 В, 10 А, 20 Ом, 15 В | 2,8 В при 15 В, 10 А | 30 НК | 30А | 15 нс/36 нс | 141 мкДж (вкл.), 215 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГБ40Н6С2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fgh40n6s2-datasheets-4068.pdf | 600В | 75А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 3 | 290 Вт | ФГБ40Н6 | Одинокий | 290 Вт | ТО-263АБ | 10 нс | 290 Вт | 600В | 1,9 В | 600В | 75А | 600В | 75А | 390В, 20А, 3Ом, 15В | 2,7 В @ 15 В, 20 А | 35 НК | 180А | 8 нс/35 нс | 115 мкДж (вкл.), 195 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГР6Н60УФТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgr6n60uftf-datasheets-4256.pdf | 600В | 3А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 260,37 мг | 3 | 30 Вт | СГ*6Н60 | Одинокий | 30 Вт | 600В | 2,1 В | 600В | 6А | 300 В, 3 А, 80 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 3 А | 15 НК | 25А | 15 нс/60 нс | 57 мкДж (вкл.), 25 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXSK35N120AU1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | Непригодный | Стандартный | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/ixys-ixsk35n120au1-datasheets-4266.pdf | 1,2 кВ | 70А | ТО-264-3, ТО-264АА | Без свинца | 3 | 10.000011г | 3 | да | ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ | 300 Вт | НЕ УКАЗАН | IXS*35N120 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | 80 нс | 150 нс | 400 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 40 нс | 1,2 кВ | 230 нс | 1,2 кВ | 70А | 1200В | 1100 нс | 4 В | 960 В, 35 А, 2,7 Ом, 15 В | 20 В | 8В | 4 В @ 15 В, 35 А | 150 НК | 140А | 80 нс/400 нс | 10 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГС6Н60УФТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgs6n60uftu-datasheets-4268.pdf | 600В | 3А | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 22 Вт | СГ*6Н60 | Одинокий | 22 Вт | 600В | 2,1 В | 600В | 6А | 300 В, 3 А, 80 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 3 А | 15 НК | 25А | 15 нс/60 нс | 57 мкДж (вкл.), 25 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4PH40UD-EPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irg4ph40udepbf-datasheets-4269.pdf | 1,2 кВ | 41А | ТО-247-3 | 15,87 мм | 20,7 мм | 5,3086 мм | Без свинца | 3 | 14 недель | Нет СВХК | 3 | УЛЬТРА БЫСТРОЕ МЯГКОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ | Нет | 160 Вт | Одинокий | 160 Вт | 1 | 35 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-247АД | 63 нс | 1,2 кВ | 2,43 В | 74 нс | 3,1 В | 41А | 1200В | 750 нс | 800 В, 21 А, 10 Ом, 15 В | 3,1 В @ 15 В, 21 А | 86 НК | 82А | 46 нс/97 нс | 1,8 мДж (вкл.), 1,93 мДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП12НБ60К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp12nb60k-datasheets-4275.pdf | 600В | 18А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 125 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГП12 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 125 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 18А | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | ТО-220АБ | 600В | 2,8 В | 39,5 нс | 600В | 30А | 370 нс | 480 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 7В | 2,8 В @ 15 В, 12 А | 54 НК | 60А | 25 нс/96 нс | 258 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МГП15Н40КЛГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mgp15n40cl-datasheets-3639.pdf | 410В | 15А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | Неизвестный | 3 | да | EAR99 | ЗАЖИМ НАПРЯЖЕНИЯ | е3 | Олово (Вс) | 150 Вт | 260 | 3 | Одинокий | 40 | 150 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | 4,5 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 440В | 1,95 В | 6000 нс | 440В | 15А | 20500 нс | 300 В, 6,5 А, 1 кОм | 22В | 2,1 В | 2,9 В @ 4 В, 25 А | 50А | -/4 мкс | 20000нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGP7NB60HD | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp7nb60hd-datasheets-4279.pdf | 600В | 7А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 80 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГП7 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 80 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 7А | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | ТО-220АБ | 100 нс | 600В | 2,8 В | 63 нс | 600В | 14А | 220 нс | 480 В, 7 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 2,8 В @ 15 В, 7 А | 42 НК | 56А | 15 нс/75 нс | 85 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГП3НБ60К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stgp3nb60k-datasheets-4281.pdf | 600В | 6А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 50 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГП3 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 6А | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | ТО-220АБ | 600В | 2,8 В | 19 нс | 2,8 В | 10А | 220 нс | 480 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 7В | 2,8 В @ 15 В, 3 А | 14 НК | 24А | 14 нс/33 нс | 58 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГХ30Н6С2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fgh30n6s2d-datasheets-4101.pdf | 600В | 45А | ТО-247-3 | Без свинца | 167 Вт | Одинокий | 167 Вт | ТО-247-3 | 10 нс | 167 Вт | 600В | 2В | 600В | 45А | 600В | 45А | 390В, 12А, 10Ом, 15В | 2,5 В @ 15 В, 12 А | 23нК | 108А | 6 нс/40 нс | 55 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГС15Н40ЛТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fgs15n40ltf-datasheets-4284.pdf | 400В | 130А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 36 недель | 8 | Нет | 2 Вт | Одинокий | 2 Вт | 400В | 4,5 В | 400В | 8 В @ 4 В, 130 А | Тренч | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГР15Н40ЛТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgu15n40ltu-datasheets-4246.pdf | 400В | 130А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 3 | 45 Вт | Одинокий | 400В | 8В | 8 В @ 4,5 В, 130 А | Тренч | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГБ30Н6С2Т | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fgb30n6s2t-datasheets-4180.pdf | 600В | 45А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 3 | 167 Вт | ФГБ30Н6 | Одинокий | 167 Вт | 10 нс | 600В | 600В | 2В | 2,5 В | 45А | 390 В, 12 А, 10 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 12 А | 23нК | 108А | 6 нс/40 нс | 55 мкДж (вкл.), 110 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGP3NB60HD | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp3nb60hd-datasheets-4254.pdf | 600В | 6А | ТО-220-3 | Без свинца | 3 | 3 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 50 Вт | НЕ УКАЗАН | СТГП3 | 3 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 50 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | 3А | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | ТО-220АБ | 45нс | 600В | 2,8 В | 16 нс | 2,8 В | 10А | 168 нс | 480 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 2,8 В @ 15 В, 3 А | 21 нС | 24А | 5 нс/53 нс | 33 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГР6Н60УФТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgr6n60uftf-datasheets-4256.pdf | 600В | 3А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 3 | 30 Вт | СГ*6Н60 | Одинокий | 30 Вт | 600В | 2,1 В | 600В | 6А | 300 В, 3 А, 80 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 3 А | 15 НК | 25А | 15 нс/60 нс | 57 мкДж (вкл.), 25 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXSA10N60B2D1 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/ixys-ixsp10n60b2d1-datasheets-4202.pdf | 600В | 20А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | 9,9 мм | 4,5 мм | 9,2 мм | Без свинца | 2 | 1,59999 г | 3 | да | е3 | Матовый олово (Sn) | 100 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | IXS*10N60 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 100 Вт | 1 | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 30 нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25 нс | 600В | 2,5 В | 60 нс | 600В | 20А | 530 нс | 480 В, 10 А, 30 Ом, 15 В | 2,5 В @ 15 В, 10 А | ПТ | 17 НК | 30А | 30 нс/180 нс | 430 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IRGB8B60KPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/infineontechnologies-irgs8b60ktrlpbf-datasheets-8821.pdf | 600В | 28А | ТО-220-3 | 10,54 мм | 8,77 мм | 4,69 мм | Без свинца | 3 | 16 недель | Нет СВХК | 3 | EAR99 | Нет | 167 Вт | Одинокий | 167 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 21нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 600В | 2,2 В | 43 нс | 2,2 В | 28А | 220 нс | 400 В, 5 А, 100 Ом, 15 В | 20 В | 5,5 В | 2,2 В @ 15 В, 8 А | ДНЯО | 18,2 нК | 26А | 23 нс/140 нс | 160 мкДж (вкл.), 160 мкДж (выкл.) | 56нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRG4BC20F-СПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | 1997 год | ТО-220-3 | 60 Вт | 600В | 16А | 480 В, 9 А, 50 Ом, 15 В | 2В @ 15В, 9А | 27 НК | 64А | 24 нс/190 нс | 70 мкДж (вкл.), 600 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГМ2Н60УФТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-sgm2n60uftf-datasheets-4264.pdf | ТО-261-4, ТО-261АА | СОТ-223-4 | 2,1 Вт | 600В | 2,4А | 300 В, 1,2 А, 200 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 1,2 А | 9нК | 10А | 15 нс/80 нс | 30 мкДж (вкл.), 13 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГР2Н60УФДТМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-sgr2n60ufdtm-datasheets-4235.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 25 Вт | 600В | 2,4А | 300 В, 1,2 А, 200 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 1,2 А | 9нК | 10А | 15 нс/80 нс | 30 мкДж (вкл.), 13 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГБ3НБ60СДТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb3nb60sdt4-datasheets-4236.pdf | 600В | 3А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | Нет СВХК | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 70 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STGB3 | 3 | Одинокий | 30 | 70 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 150 нс | 3А | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 1,7 мкс | 600В | 1,5 В | 275 нс | 600В | 6А | 4800 нс | 480 В, 3 А, 1 кОм, 15 В | 20 В | 5В | 1,5 В @ 15 В, 3 А | 18нК | 25А | 125 нс/3,4 мкс | 1,15 мДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||
| СТГБ3НБ60КДТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgb3nb60kdt4-datasheets-4238.pdf | 600В | 6А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 50 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STGB3 | 3 | Одинокий | 30 | 50 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 6А | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 45нс | 600В | 2,8 В | 19 нс | 2,8 В | 10А | 220 нс | 480 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 7В | 2,8 В @ 15 В, 3 А | 14 НК | 24А | 14 нс/33 нс | 30 мкДж (вкл.), 58 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STGB7NB60KDT4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgp7nb60kd-datasheets-3641.pdf | 600В | 7А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 2 | 3 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 80 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | STGB7 | 3 | Одинокий | 30 | 80 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 7А | КРЕМНИЙ | УПРАВЛЕНИЕ ПИТАНИЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 50 нс | 600В | 2,8 В | 21 нс | 2,8 В | 14А | 202 нс | 480 В, 7 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 7В | 2,8 В @ 15 В, 7 А | 32,7 нк | 56А | 15 нс/50 нс | 140 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СГС6Н60УФДТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-sgs6n60ufdtu-datasheets-4243.pdf | 600В | 3А | ТО-220-3 Полный пакет | Без свинца | 3 | 22 Вт | СГ*6Н60 | Одинокий | 22 Вт | 52нс | 600В | 3В | 600В | 6А | 300 В, 3 А, 80 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 3 А | 15 НК | 25А | 15 нс/60 нс | 57 мкДж (вкл.), 25 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГД3НБ60ХДТ4 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerMESH™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stgd3nb60hdt4-datasheets-4244.pdf | 600В | 6А | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | Без свинца | 2 | 3 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 50 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СТГД3 | 3 | 30 | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | Не квалифицирован | Р-ПССО-Г2 | 6А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | УПРАВЛЕНИЕ ДВИГАТЕЛЕМ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 600В | 50 Вт | ТО-252АА | 95 нс | 600В | 25 нс | 2,8 В | 10А | 168 нс | 480 В, 3 А, 10 Ом, 15 В | 20 В | 5В | 2,8 В @ 15 В, 3 А | 21 нС | 24А | 5 нс/53 нс | 33 мкДж (выкл.) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| СГУ15Н40ЛТУ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-sgu15n40ltu-datasheets-4246.pdf | 400В | 130А | ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА | Без свинца | 3 | 45 Вт | Одинокий | 45 Вт | 400В | 130 В | 400В | 8 В @ 4,5 В, 130 А | Тренч | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СГР2Н60УФДТФ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-sgr2n60ufdtm-datasheets-4235.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 25 Вт | 600В | 2,4А | 300 В, 1,2 А, 200 Ом, 15 В | 2,6 В @ 15 В, 1,2 А | 9нК | 10А | 15 нс/80 нс | 30 мкДж (вкл.), 13 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФГБ30Н6С2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-fgb30n6s2t-datasheets-4180.pdf | 600В | 45А | ТО-263-3, Д2Пак (2 отверстия + вкладка), ТО-263АБ | Без свинца | 3 | 167 Вт | ФГБ30Н6 | Одинокий | 167 Вт | ТО-263АБ | 10 нс | 167 Вт | 600В | 2В | 600В | 45А | 600В | 45А | 390В, 12А, 10Ом, 15В | 2,5 В @ 15 В, 12 А | 23нК | 108А | 6 нс/40 нс | 55 мкДж (вкл.), 100 мкДж (выкл.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НГП15Н41CLG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Логика | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-ngb15n41clt4-datasheets-3604.pdf | 410В | 15А | ТО-220-3 | 6,35 мм | 6,35 мм | 25,4 мм | Без свинца | 3 | 4.535924г | Нет СВХК | 3 | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 107 Вт | 260 | НГ*15N41CL | 3 | Одинокий | 40 | 107 Вт | 1 | БИП-транзисторы с изолированным затвором | 4нс | КРЕМНИЙ | КОЛЛЕКЦИОНЕР | АВТОМОБИЛЬНОЕ ЗАЖИГАНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | ТО-220АБ | 440В | 3В | 5700 нс | 440В | 15А | 15500 нс | 300 В, 6,5 А, 1 кОм | 15 В | 2,1 В | 2,2 В @ 4 В, 10 А | 50А | -/4 мкс | 15000 нс |
